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Etiqueta: Transistor

Transistor

Mostrando 76–100 de 127 resultadosOrdenado por los últimos

  • Transistor Mosfet FSW25N50A

    30 disponibles

    Transistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC

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  • Transistor MOSFET IRFBC40

    Transistor MOSFET IRFBC40

    $ 5.800,0 +IVA

    9 disponibles

    El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.

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  • Transistor MOSFET IRF1407

    Transistor MOSFET IRF1407

    $ 4.700,0 +IVA

    15 disponibles

    Diseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.

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  • Transistor MOSFET IRF2805

    Transistor MOSFET IRF2805

    $ 4.400,0 +IVA

    30 disponibles

    Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.

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  • Transistor MOSFET IRF1405

    Transistor MOSFET IRF1405

    $ 4.300,0 +IVA

    16 disponibles

    Cuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Transistor MOSFET IRF1312

    Transistor MOSFET IRF1312

    $ 5.000,0 +IVA

    27 disponibles

    Transistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.

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  • Transistor MOSFET IRFB3207

    8 disponibles

    Transistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.

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  • Transistor mosfet MMD60R360P SMD

    4 disponibles

    Transistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.

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  • Transistor IGBT MGD623S

    Transistor IGBT MGD623S

    $ 9.000,0 +IVA

    27 disponibles

    Transistor IGBT MGD623S con un VCE= 600V e IC= 50V

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  • Transistor Mosfet HY4008 Canal N

    6 disponibles

    Transistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.

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  • Transistor Mosfet M3056 SMD

    3 disponibles

    El transistor MOSFET M3056 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3056, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.

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  • Transistor mosfet IRFB4227

    33 disponibles

    El IRFB4227PBF es un mosfet conmutador  de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.

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  • Transistor mosfet P75NF75 Canal N

    10 disponibles

    Transistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V.  Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.

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  • Transistor Mosfet IRF1404 Canal N

    10 disponibles

    Transistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFP150N

    28 disponibles

    Transistor Mosfet IRFP150N son una ventaja de combinado con la rápida velocidad de conmutación y diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-247AC es el preferido para aplicaciones comerciales e industriales en …

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  • Transistor Mosfet IRFP4868

    Transistor Mosfet IRFP4868

    $ 35.000,0 +IVA

    4 disponibles

    Transistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Transistor IGBT G50T65D

    Transistor IGBT G50T65D

    $ 10.900,0 +IVA

    10 disponibles

    Transistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET)  de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de …

    Transistor IGBT G50T65DLeer más

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  • Transistor Mosfet FTP11N60C

    30 disponibles

    Transistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.

    Encapsulado: TO-220-3

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  • Mosfet STN4NF20L

    27 disponibles

    Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC  aislados de alta eficiencia.

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  • Transistor bipolar GB8204NG

    11 disponibles

    El Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.

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  • Transistor 2SC945

    60 disponibles

    El Transistor 2SC945 NPN ofrece conmutación y amplificación confiables en encapsulado TO-92.
    Además, soporta tensiones moderadas y buena respuesta en alta frecuencia.
    Por lo tanto, resulta adecuado para diseños electrónicos compactos y estables.

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  • MOSFET IRF510

    10 disponibles

    El Transistor MOSFET IRF510 proporciona conmutación estable y eficiente en aplicaciones de potencia media. Ofrece manejo sencillo y encapsulado robusto.

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  • MOSFET IRF520

    6 disponibles

    El Transistor MOSFET IRF520 ofrece conmutación eficiente y control confiable de potencia. Su encapsulado TO-220AB facilita disipación térmica.

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  • MOSFET IRF740

    10 disponibles

    El Transistor MOSFET IRF720 ofrece conmutación eficiente en aplicaciones de alta tensión. Combina baja carga de compuerta y alta capacidad de disipación.

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  • Transistor MOSFET

    365 disponibles

    El Transistor MOSFET BSS138LT1G ofrece conmutación eficiente de señal en formato SMD. Canal N, bajo consumo y alta confiabilidad para circuitos compactos.

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