Transistor MOSFET IRF1312
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Transistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
7 disponibles
Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRF1312
Características:
- Tensión umbral entre gate y source |Vgs(th)|: 5.5V
- Carga de la gate (Qg): 93nC
- Resistencia entre drain y source RDS(on): 0.01 Ohm
- Cubierta: TO-220AB
Especificaciones máximas:
- Máxima disipación de potencia (Pd): 210W
- Voltaje máximo drain – source |Vds|: 80V
- Corriente continua de drain |Id|: 95A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
Hoja de datos: IRF1312
Aplicaciones:
- Alta frecuencia en convertidores DC-DC
- Control de motor
- Fuentes de poder ininterrumpidas
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