Transistor Mosfet FTP11N60C
$ 0.8
Transistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.
Encapsulado: TO-220-3
8 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor Mosfet FTP11N60C
Características:
- Encapsulado: TO-220-3
- Polaridad del transistor: N
- Número de canales: 1
- Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 600 V
- Id – Corriente de drenaje continua: 11 A
- Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 380 mOhms
- Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 30 V, + 30 V
- Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
- Qg – Carga de puerta: 40 nC
- Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
- Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
- Dp – Disipación de potencia : 36 W
Salida de pines:
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