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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Categoría: MOSFET

MOSFET

Mostrando los 53 resultados

  • El Transistor BUS48AP es un dispositivo semiconductor diseñado para manejar altas corrientes y voltajes, con una capacidad para conmutar rápidamente entre estados de encendido y apagado. Este transistor está encapsulado en un empaque que garantiza su protección y disipación de calor eficiente, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento confiable y una larga vida útil.

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  • El transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.

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  • Transistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.

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  • Los MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.

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  • Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • El dispositivo «4813NHG» es un semiconductor diseñado para aplicaciones de potencia, con características como baja resistencia de conducción (RDS(on)), baja capacitancia y carga de puerta optimizada. Está destinado a ser utilizado en una variedad de aplicaciones, incluyendo suministro de energía para CPU, convertidores DC-DC y conmutación en el lado de alta potencia. También está calificado según los estándares automotrices y es compatible con PPAP.

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  • El transistor IRFB3607  de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.

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  • El transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.

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  • El transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal

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  • El transistor IRFB3306  de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia  está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.

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  • Transistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Este MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.

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  • Transistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC

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  • El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.

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  • Diseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.

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  • Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.

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  • Cuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Transistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.

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  • Transistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.

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  • Transistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.

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  • El transistor MOSFET M3056 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3056, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.

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  • El IRFB4227PBF es un mosfet conmutador  de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.

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  • Transistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V.  Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.

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  • Transistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFP4868

    Transistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Convertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.

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  • Transistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.

    Encapsulado: TO-220-3

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  • Mosfet STN4NF20L

    Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC  aislados de alta eficiencia.

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  • El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.

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  • El Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.

     

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  • El Transistor Mosfet SVF23N50PN ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activado obteniendo tiempos de conmutación más cortos aumentando su eficiencia.

    Se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor PWM de puente H, los cuales requieren una gran potencia con tiempos muy cortos.

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  • El Mosfet de potencia NCE80H11 cuenta con tiempos de conmutación muy cortos por lo cual es optimo para fuentes de conmutación de alta frecuencia. Cuenta con un excelente encapsulado el cual garantiza una correcta disipación de calor.

     

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  • El Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.

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  • El Mosfet de Potencia NCE80H15 de Canal N esta diseñado para proporcionar una RDS baja, haciendo su tiempo de conmutación mas corto, brindando una alta eficiencia. Puede utilizarse en una gran variedad de aplicaciones.

    Cuenta con un excelente encapsulado para garantizar una buena disipación de calor.

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  • El transistor MOSFET FTP03N06NA es un dispositivo de canal N que controla la corriente eléctrica en aplicaciones con un máximo de 3 amperios y 60 voltios. Se utiliza en una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación, inversores y control de motores eléctricos.

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  • El transistor MOSFET FTP10N40C es un dispositivo de canal N diseñado para controlar la corriente eléctrica en aplicaciones electrónicas. Tiene una corriente máxima de 10 amperios y una tensión máxima de 400 voltios, lo que lo hace adecuado para conmutación y amplificación en diversas aplicaciones, como fuentes de alimentación conmutadas, inversores y control de motores eléctricos.

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  • El transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.

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  • Transistor Mosfet IRF740

    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

    Estos transistores de efecto de campo de potencia en modo de realce de canal N se fabrican utilizando la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado encendido, proporcionando una conmutación superior y soportando impulsos de alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y balastos electrónicos de lámparas basados en medio puente.

     

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  • Transistor Mosfet de potencia 6N65K3

    El Transistor Mosfet de potencia 6N65K3, es un dispositivo que cuenta con una resistencia a la conexión extremadamente baja, un rendimiento dinámico superior y una alta capacidad de avalancha, lo que lo hace adecuado para las aplicaciones más exigentes.

     

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  • MOSFET IRF510

    El transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.

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  • MOSFET IRF520

    El transistor IRF750 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.

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  • MOSFET IRF740

    Este transistor de potencia de categoría MOSFET,  tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS. Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Este dispositivo está bien adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y dispositivos electrónicos como lámparas basados en medio puente.

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  • Transistor MOSFET

    Las aplicaciones típicas son convertidores DC a DC, distribución de energía en productos portátiles y alimentados por batería como computadoras, impresoras, teléfonos celulares y algunos dispositivos inalámbricos.

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  • MOSFET 30F126

    IGBT 30F126 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 330V.

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  • MOSFET 30F126

    IGBT 30F124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 300V.

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  • MOSFET 30F126

    IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.

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  • MOSFET 30F126

    IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.

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  • SO-16N

    Buck síncrono de alta frecuencia, funciona como  convertidor para potencia en procesadores de computadora, sistema de CC-CC aislada de alta frecuencia y cuenta con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial

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  • SO-16N

    Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de  175 °C, una potencia de 48W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable para uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • SO-16N

    Convertidores reductores síncronos de alta frecuencia para potencia de procesador de computadora.  Tambien trabaja como convertidor CC-CC aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial

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  • SO-16N

    Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de  175 °C, máxima disipación de potencia  140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.

     

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  • El transistor Mosfet IRF540N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • El transistor Mosfet IRF3703 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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