Categoría: MOSFET
MOSFET
Los MOSFET son transistores de efecto de campo ideales para controlar corriente y voltaje en circuitos electrónicos. Se utilizan en fuentes de poder, motores, amplificadores y sistemas de conmutación.
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MOSFET IRF2807 Canal N 75V 82A TO-220
$ 3.500,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl IRF2807 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de cargas de alta corriente. Soporta una tensión máxima de drenaje-fuente de 75 V y una corriente continua de hasta 82 A a 25 °C, con una resistencia de conducción máxima de 13 mΩ a VGS = 10 V.
Su encapsulado TO-220AB facilita el montaje en placas electrónicas y permite utilizar disipadores cuando la potencia disipada así lo requiere.
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Leer másEl BTN7930B es un controlador de motor de alta corriente de la familia NovalithIC de Infineon. Integra un MOSFET P de lado alto, un MOSFET N de lado bajo y el circuito de control en un solo encapsulado, formando una etapa half bridge para accionar motores DC.
Está diseñado para aplicaciones de control mediante PWM, con capacidad de hasta 25 kHz, diagnóstico de corriente y protecciones frente a sobrecorriente, cortocircuito, sobretemperatura, sobretensión y subtensión. La variante BTN7930B utiliza encapsulado SMD PG-TO263-7-1.
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IRL530N MOSFET Canal N de Potencia 100 V 17 A
$ 2.200,0 +IVA100 disponibles
Añadir al carritoEl IRL530N es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Soporta una tensión máxima drenador-fuente de 100 V y una corriente continua de hasta 17 A a 25 °C, según las condiciones especificadas por el fabricante.
Su característica Logic Level permite obtener una baja resistencia de conducción con tensiones de compuerta relativamente bajas, alcanzando hasta 150 mΩ a VGS = 4.5 V según la especificación del fabricante. El IRL530N original utiliza encapsulado TO-220 y actualmente figura como producto descontinuado; existe la variante SMD IRL530NS en D2PAK.
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MOSFET P-Channel AONS21357 30V 36A 7.8mΩ
$ 2.600,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl MOSFET P-Channel AONS21357 ofrece una tensión de drenador-fuente de -30V y una capacidad de corriente de hasta 36A.
Su baja resistencia RDS(on) facilita aplicaciones de conmutación, protección de baterías y gestión de potencia. -
MOSFET de Potencia N-Channel IRFP240 200V 20A TO-247
$ 8.300,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoEl IRFP240 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Soporta una tensión Drain-Source de 200 V, una corriente continua de hasta 20 A y una resistencia RDS(on) máxima de 0.18 Ω. Su encapsulado TO-247 permite una buena disipación térmica, siendo adecuado para fuentes conmutadas, control de motores, amplificadores de audio, convertidores y aplicaciones de alta potencia.
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MOSFET de Potencia N-Channel IRF820 500V TO-220
$ 2.800,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEl IRF820 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 500 V y está disponible en encapsulado TO-220, siendo adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, UPS, controladores de motores y otras aplicaciones de electrónica de potencia. Dependiendo del fabricante y la versión, sus especificaciones de corriente y resistencia RDS(on) pueden variar.
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Leer másEl IRF721 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 350 V, una corriente continua de aproximadamente 3.3 A a 25 °C y una resistencia RDS(on) máxima de 1.8 Ω. Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, UPS, control de motores, relés y solenoides.
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MOSFET de Potencia N-Channel IRF230 200V 9A TO-3
$ 38.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl IRF230 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 200 V, una corriente continua de hasta 9 A a 25 °C y presenta una resistencia RDS(on) máxima de 0.40 Ω.
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Transistor BJT NPN 2SD400 TO-220
$ 500,0 +IVA50 disponibles
Añadir al carritoEl 2SD400 es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de media potencia. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 400 V, una corriente máxima de colector de 4 A y una disipación de potencia de hasta 40 W, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación, control de motores, reguladores, inversores y equipos electrónicos industriales. Se presenta en encapsulado TO-220.
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Transistor Darlington NPN 2SD1071 450V 6A TO-220
$ 3.000,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl 2SD1071 es un transistor Darlington NPN de silicio fabricado mediante tecnología de difusión triple (Triple Diffused Planar), lo que le proporciona una alta ganancia de corriente (hFE), baja tensión de saturación y excelente confiabilidad en aplicaciones de potencia. Está diseñado para trabajar en sistemas de alta tensión donde se requiere un transistor robusto con …
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Transistor MOSFET Canal N IRF1010E 60V 84A TO-220
$ 3.400,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoEl IRF1010E es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de 60 V, una corriente continua de hasta 84 A y presenta una baja resistencia RDS(on) de 12 mΩ, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora el rendimiento en fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores y convertidores DC-DC.
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Transistor MOSFET Canal N RU7570L 75V 70A TO-252
$ 2.500,0 +IVA19 disponibles
Añadir al carritoEl PIC16F882-I/SP es un microcontrolador de 8 bits de Microchip Technology, perteneciente a la familia PIC16F88X. Cuenta con 3.5 KB de memoria Flash, 128 bytes de EEPROM, 128 bytes de RAM, convertidor ADC de 10 bits con 11 canales, módulos EUSART, SPI e I²C, comparadores analógicos y tecnología nanoWatt, lo que lo convierte en una excelente opción para sistemas embebidos, automatización, robótica, instrumentación y proyectos electrónicos.
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Transistor MOSFET Canal N HY3912
$ 17.000,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl HY3912 es un transistor MOSFET de potencia canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, control de motores y sistemas de potencia de alta corriente.
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Transistor MOSFET IRFP064N Canal N 55V 110A TO-247
$ 8.500,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl IRFP064N es un MOSFET de potencia canal N de 55V y 110A, diseñado para aplicaciones de alta corriente como inversores, fuentes conmutadas, controladores de motores y sistemas de potencia.
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Leer másEl IR2103 es un controlador de compuerta MOSFET e IGBT de lado alto y lado bajo capaz de operar hasta 600V, ideal para inversores, fuentes conmutadas, convertidores de potencia y control de motores.
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10 disponibles
Añadir al carritoEl IR2102 es un controlador de compuerta MOSFET e IGBT de lado alto y lado bajo con capacidad de hasta 600V, ideal para inversores, fuentes conmutadas y control de motores.
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Transistor HY3810 MOSFET Canal N
$ 7.500,0 +IVA23 disponibles
Añadir al carritoEl HY3810 es un MOSFET Canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de conmutación, inversores, fuentes de alimentación y sistemas de gestión de potencia.
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Transistor 28NM60ND MOSFET Canal N
$ 11.000,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoDescripción corta:
El 28NM60ND es un MOSFET N-Channel de alta tensión ideal para fuentes switching, inversores y electrónica de potencia de hasta 600V y 28A. -
Circuito Integrado TC4420 Driver MOSFET
$ 6.000,0 +IVA20 disponibles
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Transistor MJE13005G NPN Alta Tensión
$ 3.000,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoTransistor mje13005g npn alta tension diseñado para conmutación en fuentes de alimentación y circuitos de potencia.
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Transistor 2SJ380 MOSFET Canal P
$ 6.000,0 +IVA4 disponibles
Añadir al carritoTransistor 2sj380 MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de potencia, especialmente en amplificadores de audio y circuitos electrónicos de alta eficiencia.
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Controlador ORing Hot Swap TPS2410
$ 8.000,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl controlador ORing hot swap TPS2410 optimiza la gestión de energía redundante.
Permite control preciso de MOSFET externos para protección. -
IRL1404 MOSFET Canal N 40V 160A TO-220
$ 5.500,0 +IVA19 disponibles
Añadir al carritoEl IRL1404 es un MOSFET canal N de baja resistencia y alta corriente para aplicaciones de potencia y conmutación eficiente.
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MOSFET Canal N – IRL1404S / L1404S 160A 40V TO-263
$ 7.000,0 +IVA25 disponibles
Añadir al carritoIRL1404S / L1404S 160A 40V TO-263 es un MOSFET canal N de alta corriente y baja RDS(on), ideal para aplicaciones de potencia.
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Módulo MOSFET IRF640N/9530N de Efecto de Campo
$ 17.000,0 +IVAMira variaciones
Seleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoMódulo MOSFET IRF640N/9530N para control de cargas de potencia. Soporta < 30 V y ofrece control flexible mediante jumper.
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