Categoría: MOSFET
MOSFET
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Leer másEl MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N es un transistor diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V y una corriente de drenaje continua de 25A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido …
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El MOSFET de Potencia IRFP250 de Canal N esta diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 200V y una corriente de drenaje continua de 30A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido (Rds(on)) de aproximadamente …
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El OB2358 es un interruptor de alimentación que combina un controlador PWM de modo de corriente con un MOSFET de alta tensión, optimizado para aplicaciones de convertidores flyback, ofreciendo eficiencia energética y múltiples características de protección.
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Transistor BUS48AP
$ 43,000.0Añadir al carritoEl Transistor BUS48AP es un dispositivo semiconductor diseñado para manejar altas corrientes y voltajes, con una capacidad para conmutar rápidamente entre estados de encendido y apagado. Este transistor está encapsulado en un empaque que garantiza su protección y disipación de calor eficiente, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento confiable y una larga vida útil.
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Transistor Mosfet IRFP360
$ 10,900.0Añadir al carritoEl transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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Transistor MOSFET IRFP350
$ 11,100.0Añadir al carritoTransistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
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Transistor MOSFET IRFP9240
$ 12,400.0Añadir al carritoLos MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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Transistor MOSFET IRFP140N
$ 10,600.0Añadir al carritoLos HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET 4813NHG
$ 1,400.0Añadir al carritoEl dispositivo «4813NHG» es un semiconductor diseñado para aplicaciones de potencia, con características como baja resistencia de conducción (RDS(on)), baja capacitancia y carga de puerta optimizada. Está destinado a ser utilizado en una variedad de aplicaciones, incluyendo suministro de energía para CPU, convertidores DC-DC y conmutación en el lado de alta potencia. También está calificado según los estándares automotrices y es compatible con PPAP.
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Transistor MOSFET IRFB3607
$ 5,700.0Leer másEl transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB4310
$ 5,700.0Añadir al carritoEl transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB3006
$ 5,700.0Añadir al carritoEl transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
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Transistor MOSFET IRFB3306
$ 5,700.0Añadir al carritoEl transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Transistor MOSFET IRFB4110
$ 5,700.0Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRFB3077
$ 5,700.0Añadir al carritoEste MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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Transistor Mosfet FSW25N50A
$ 5,400.0Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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Transistor MOSFET IRFBC40
$ 5,800.0Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Transistor MOSFET IRF1407
$ 4,700.0Añadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF2805
$ 4,400.0Añadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF1405
$ 4,300.0Añadir al carritoCuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRF1312
$ 5,000.0Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5,700.0Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Transistor Mosfet HY4008 Canal N
$ 12,600.0Añadir al carritoTransistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.
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Transistor Mosfet M3056 SMD
$ 3,500.0Leer másEl transistor MOSFET M3056 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3056, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor mosfet IRFB4227
$ 5,700.0Añadir al carritoEl IRFB4227PBF es un mosfet conmutador de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.
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Transistor mosfet P75NF75 Canal N
$ 2,900.0Añadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
$ 2,000.0Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFP4868
$ 35,000.0Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Regulador de voltaje XL4016
$ 10,000.0Añadir al carritoConvertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.
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Transistor Mosfet FTP11N60C
$ 3,000.0Añadir al carritoTransistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.
Encapsulado: TO-220-3
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Transistor Mosfet STN4NF20L
$ 2,500.0Añadir al carritoEste canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
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Transistor MOSFET IGBT 20N60C3
$ 8,000.0Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.
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Mosfet FDA70N20 Canal N
$ 8,500.0Añadir al carritoEl Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.
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Transistor Mosfet SVF23N50PN
$ 14,000.0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet SVF23N50PN ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activado obteniendo tiempos de conmutación más cortos aumentando su eficiencia.
Se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor PWM de puente H, los cuales requieren una gran potencia con tiempos muy cortos.
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Mosfet de potencia NCE80H11
$ 3,500.0Añadir al carritoEl Mosfet de potencia NCE80H11 cuenta con tiempos de conmutación muy cortos por lo cual es optimo para fuentes de conmutación de alta frecuencia. Cuenta con un excelente encapsulado el cual garantiza una correcta disipación de calor.
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Mosfet de potencia NCE80H12
$ 3,500.0Añadir al carritoEl Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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Mosfet de potencia NCE80H15
$ 3,800.0Añadir al carritoEl Mosfet de Potencia NCE80H15 de Canal N esta diseñado para proporcionar una RDS baja, haciendo su tiempo de conmutación mas corto, brindando una alta eficiencia. Puede utilizarse en una gran variedad de aplicaciones.
Cuenta con un excelente encapsulado para garantizar una buena disipación de calor.
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Transistor Mosfet FTP03N06NA Canal N
$ 5,000.0Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP03N06NA es un dispositivo de canal N que controla la corriente eléctrica en aplicaciones con un máximo de 3 amperios y 60 voltios. Se utiliza en una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación, inversores y control de motores eléctricos.
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Transistor Mosfet FTP10N40C Canal N
$ 3,500.0Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP10N40C es un dispositivo de canal N diseñado para controlar la corriente eléctrica en aplicaciones electrónicas. Tiene una corriente máxima de 10 amperios y una tensión máxima de 400 voltios, lo que lo hace adecuado para conmutación y amplificación en diversas aplicaciones, como fuentes de alimentación conmutadas, inversores y control de motores eléctricos.
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Transistor Mosfet FTP1404 Canal N
$ 4,500.0Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
