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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor MOSFET IRFB3207

$ 1.4

Transistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.

38 disponibles

Contenido:

  • 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFB3207

Características:

  • Polaridad del transistor: N
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 330W
  • Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4V
  • Carga de la puerta (Qg): 180nC
  • Tiempo de subida (tr): 120nS
  • Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
  • Cubierta: TO220AB

Hoja de datos: irfb3207

Aplicaciones:

  • Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS
  • Sistema de alimentación ininterrumpida DVDSS 75V
  • Conmutación de energía de alta velocidad 3.6mRDS (on)
  • Circuitos de alta frecuencia

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