Transistor MOSFET IRFB3207
$ 1.4
Transistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
18 disponibles
Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFB3207
Características:
- Polaridad del transistor: N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 330W
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4V
- Carga de la puerta (Qg): 180nC
- Tiempo de subida (tr): 120nS
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
- Cubierta: TO220AB
Hoja de datos: irfb3207
Aplicaciones:
- Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS
- Sistema de alimentación ininterrumpida DVDSS 75V
- Conmutación de energía de alta velocidad 3.6mRDS (on)
- Circuitos de alta frecuencia
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