Transistor Mosfet IRFP150N
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Transistor Mosfet IRFP150N son una ventaja de combinado con la rápida velocidad de conmutación y diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para en una amplia variedad de aplicaciones.
El encapsulado TO-247AC es el preferido para aplicaciones comerciales e industriales en las que impiden el uso de dispositivos TO-220AB. El TO-247AC es similar pero superior al anterior TO-218 gracias a su orificio de montaje aislado. También proporciona mayores distancias de fuga entre pines para cumplir los
requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor Mosfet IRFP150N
Características:
- Polaridad de transistor: N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 230 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 41 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 140(max) nC
- Tiempo de subida (tr): 120 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
- Cubierta: TO247AC
Salida de pines:
Hoja de datos:
Aplicaciones:
- Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS.
- Sistema de alimentación interrumpida.
- Conmutación de potencia de alta velocidad
- Circuitos conmutados y de alta frecuencia
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