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Etiqueta: Transistor

Transistor

  • MOSFET Canal-P AOD417 (TO-252)

    92 disponibles

    El AOD417 es un MOSFET canal-P de 30 V, 25 A y baja RDS(on) (34 mΩ a VGS = –10 V), en encapsulado TO-252, diseñado para conmutación de alta corriente y eficiencia térmica.

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  • MOSFET IRF4905PBF TO-220

    MOSFET IRF4905PBF TO-220

    $ 5.000,0 +IVA

    4 disponibles

    El IRF4905PBF TO-220 es un MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de potencia, ofreciendo alta capacidad de corriente y baja resistencia interna, lo que asegura eficiencia y confiabilidad en sistemas electrónicos exigentes.

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  • Transistor BC327-25 TO-92

    Transistor BC327-25 TO-92

    $ 1.000,0 +IVA

    110 disponibles

    El BC327-25 TO-92 es un transistor PNP versátil de 0.8A y 45V, ampliamente usado en circuitos de conmutación y amplificación en aplicaciones electrónicas generales.

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  • MOSFET 2SC2240 TO-92

    Próximamente

    El MOSFET 2SC2240 TO-92 es un transistor diseñado para amplificación de señales pequeñas, ofreciendo excelente desempeño en circuitos de audio de alta fidelidad y radiofrecuencia.

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  • Transistor SS8050 TO-92

    Transistor SS8050 TO-92

    $ 1.000,0 +IVA

    102 disponibles

    El Transistor SS8050 es un NPN de propósito general en encapsulado TO-92, con capacidad de corriente de 1.5A y bajo consumo, perfecto para amplificación y conmutación.

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  • AO3400/AO3401/AO3402 MOSFET SOT-23

    Mira variaciones

    El MOSFET AO3400 y sus versiones AO3401/AO3402 en encapsulado SOT-23 son transistores de efecto de campo diseñados para aplicaciones SMD, con alta eficiencia y versatilidad.

    Seleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de producto
  • IRF630N MOSFET DIP TO-220

    IRF630N MOSFET DIP TO-220

    $ 4.000,0 +IVA

    10 disponibles

    El IRF630N MOSFET DIP TO-220 ofrece alta capacidad de corriente, baja resistencia Rds(on) y excelente disipación térmica, siendo perfecto para proyectos de potencia y control electrónico.

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  • MOSFET IRFZ24N IRFZ24 TO-220

    35 disponibles

    El MOSFET IRFZ24N IRFZ24 TO-220 ofrece bajo Rds(on), alta capacidad de corriente y buena disipación térmica, lo que lo convierte en un componente confiable para proyectos de potencia.

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  • MOSFET FGA25N120AN TO-3P

    MOSFET FGA25N120AN TO-3P

    $ 12.800,0 +IVA

    3 disponibles

    El MOSFET FGA25N120AN TO-3P combina alta eficiencia, confiabilidad y capacidad de manejo de potencia, siendo una excelente opción para aplicaciones industriales exigentes.

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  • MOSFET IRF3205S Canal N SOT 263

    5 disponibles

    El MOSFET IRF3205S Canal N en encapsulado SOT-263 combina alta capacidad de corriente, baja resistencia y montaje SMD, perfecto para aplicaciones de potencia.

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  • MOSFET K4107 N-Channel TO-220

    5 disponibles

    MOSFET K4107 N-Channel TO-220 para aplicaciones de alta potencia. Ofrece baja resistencia interna y alta capacidad de conmutación en fuentes, controladores y sistemas industriales.

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  • Transistor SPA11N80 TO-220 11N80

    Pregúntanos

    El transistor SPA11N80 TO-220 11N80 es un MOSFET de alta tensión diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y confiabilidad en el manejo de cargas eléctricas.

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  • Transistor MOSFET FQPF8N60C

    20 disponibles

    El FQPF8N60C es un MOSFET N-Channel de 600V y 8A, diseñado para conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia y rendimiento confiable.

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  • Transistor BC817-25 6B SMD NPN

    10 disponibles

    El transistor BC817-25 6B es un dispositivo SMD NPN versátil, diseñado para amplificación y conmutación en una amplia gama de aplicaciones electrónicas.

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  • MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N

    7 disponibles

    El MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N es un transistor diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V y una corriente de drenaje continua de 25A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido …

    MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal NLeer más

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  • Transistor TIP36C PNP

    Transistor TIP36C PNP

    $ 9.500,0 +IVA

    7 disponibles

    El Transistor TIP36C PNP es un dispositivo de alta potencia diseñado para manejar cargas de hasta 125W y 25A. Ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación, con encapsulado TO-247.

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  • Transistor TIP35C NPN

    Transistor TIP35C NPN

    $ 9.500,0 +IVA

    9 disponibles

    El Transistor TIP35C NPN es un dispositivo de alta potencia que soporta hasta 125W y 25A, ideal para amplificación y conmutación en electrónica de potencia. Viene en un encapsulado TO-247.

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  • Transistor TIP147 PNP

    Transistor TIP147 PNP

    $ 10.000,0 +IVA

    10 disponibles

    El Transistor TIP147 PNP es un dispositivo de alta potencia, con capacidad de disipar hasta 125W y corriente máxima de 10A, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en electrónica de potencia.

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  • Transistor TIP142 NPN

    Transistor TIP142 NPN

    $ 10.000,0 +IVA

    9 disponibles

    El Transistor TIP142 NPN es un transistor de potencia con capacidad de 125W y corriente máxima de 10A, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.

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  • Triac BT139 600V 16A

    Triac BT139 600V 16A

    $ 2.500,0 +IVA

    30 disponibles

    El TRIAC BT139 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 16A y voltajes de hasta 600V, el BT139 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.

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  • Triac BT138 600V 12A

    Triac BT138 600V 12A

    $ 2.500,0 +IVA

    10 disponibles

    El TRIAC BT138 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 12A y voltajes de hasta 600V, el BT138 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.

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  • Triac BT137 600V 8A

    Triac BT137 600V 8A

    $ 2.500,0 +IVA

    8 disponibles

    El TRIAC BT137 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 8A y voltajes de hasta 600V, el BT137 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.

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  • Transistor MOSFET M3054M

    Transistor MOSFET M3054M

    $ 1.200,0 +IVA

    8 disponibles

    El transistor MOSFET M3046 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3054, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.

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  • Transistor MOSFET M3058M

    Transistor MOSFET M3058M

    $ 1.200,0 +IVA

    8 disponibles

    Transistor Mosfet M3056 SMD de canal N  de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON

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  • Transistor MOSFET M3052M

    Transistor MOSFET M3052M

    $ 1.200,0 +IVA

    10 disponibles

    El QM3052M6 se destaca como un MOSFET de canal N de vanguardia, reconocido por su excepcional rendimiento y una densidad de celda sin precedentes. Diseñado para brindar una eficiencia superior en una amplia gama de aplicaciones de convertidores reductores síncronos, este dispositivo ofrece una baja resistencia de encendido (RdsON) y una carga de compuerta optimizada. Su combinación de características lo posiciona como una opción líder para sistemas que requieren un alto nivel de eficiencia y fiabilidad en la conversión de energía.

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