Transistor Mosfet IRFP4868
$ 8.8
Transistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFP4868 maneja canel N utilizado principalmente en fuentes switcheadas.
Tiene como beneficio la puerta, avalancha y dV/dt dinámico mejorados robustez, capacitancia totalmente caracterizada y SOA de avalancha, mejora de la capacidad dV/dt y dI/dt de los diodos, sin plomo.
El mosfet IRF está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de comunicación, controladores de motor, controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta.
Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor Mosfet IRFP4868
Características:
- Vdss: 300V.
- RDS(on): 25.5mΩ
- Id: 70A
- Potencia: 517W
- Voltaje máximo puerta-fuente (Vgs): 20V
- Voltaje máximo de umbral de puerta Vgs (th): 5V
- Encapsulado TO247
- Material: metal-óxido-semiconductor
- Polaridad: canal N
- Conmutador de Potencia
- Temperatura máxima de la unión (Tj): 175 °C:
Salida de pines:
Hoja de datos:
Aplicaciones:
- Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS.
- Sistema de alimentación interrumpida.
- Conmutación de potencia de alta velocidad
- Circuitos conmutados y de alta frecuencia
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