Transistor MOSFET IRF1405
$ 1.1
Cuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
27 disponibles
Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRF1405
Características:
- Polaridad de transistor: N
- Tensión de umbral entre gate y drain |Vgs(th)|: 4V
- Carga de la puerta (Qg): 170nC
- Tiempo de subida (tr): 190nS
- Conductania de drain – sustrato (Cd): 1210pF
- Resistencia entre drain y fuente RDS(on): 0.0053 Ohm
- Paquete: TO220AB
Hoja de datos: IRF1405
Aplicaciones:
- Tecnología de proceso avanzada
- Resistencia ultra baja
- Temperatura de funcionamiento de 175 °C
- Cambio rápido
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