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Categoría: Transistor SMD

Transistor SMD

Transistor SMD NPN y PNP con diversidad de aplicaciones como switch o como amplificador, de bajo coste y de alta efectividad.

Mostrando los 22 resultados

  • Transistor IGBT NGD8201

    $ 0.8

    El Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.

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  • Transistor Mosfet NCE4688

    $ 0.0

    El transistor Mosfet IRF840N es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.

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  • Transistor 2N2222A NPN SMD x10

    $ 0.3

    Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el SOT-23, con estructura de plástico con tres terminales (pines).

    Cantidad: 10 transistores 2N2222A.

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  • Transistor FGH40N60SFD

    $ 2.3

    Este es un transistor de canal utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF840

    $ 0.6

    Transistor Mosfet IRF840 es un dispositivo electronico de canal N de montaje superficial con un encapsulado SOT263. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alta potencia.

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  • Transistor Mosfet IRFR3607

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR3806

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR5410

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.

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  • Transistor Mosfet AO4606

    $ 0.6

    El transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .

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  • Transistor Mosfet BSS138

    $ 0.1

    Es un transistor mosfet de efecto de campo de canal N diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y proporcionar un rendimiento de conmutación rapido, robusto, fiable y rápido. Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

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  • Transistor Mosfet FDN360P

    $ 0.4

    El FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.

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  • Kit Surtido de 180 transistores (SOT-23) SMD

    $ 3.0

    Kit Surtido de 180 transistores (SOT-23) SMD con 18 tipos diferentes de transistores

    Encapsulado: SOT-23

     

     

     

     

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  • Transistor MMBTA92 PNP SOT-23 x10

    $ 0.5

    Transistor MMBTA92 PNP SMD  encapsulado  SOT-23 en miniatura para circuitos de montaje en superficie

    El tipo complementario NPN es MMBTA42

     

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  • Transistor MJD32C

    $ 0.6

    Transistor MJD32C está diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y amplificación de propósito general  100V 3A

    Complemento MJD31C

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  • MOSFET P DE POTENCIA TSM085P03CS RLG

    $ 0.8

    Este MOSFET  de potencia está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.

    Incluye protección contra ESD

     

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  • MOSFET P DMP1045U-7 SMD

    $ 0.3

    Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.

    Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico

    Incluye protección contra ESD

     

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  • MOSFET P Pmv48xp SMD

    $ 0.5

    Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.

    Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico

    Incluye protección contra ESD

     

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  • FDN340P MOSFET P TREN SOT23

    $ 0.2

    Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet FDN340P cuenta con una capacidad de 2A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.

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  • Transistor MMBT3904 NPN SOT-23 x10

    $ 0.5

    Transistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904

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  • Transistor MMBT2907 PNP SOT-23 x10

    $ 0.5

    Transistor de propósito general MMBT2907A (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT2222A

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  • Transistor MMBT3906 PNP SOT-23 x10

    $ 0.5

    Transistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904

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  • Transistor MMBT2222A NPN SOT-23 x10

    $ 0.5

    Transistor NPN de corriente máxima en colector de 1A y de montaje superficial, eficiente en aplicaciones como switch (Corte-Saturación) y amplificador.

    Cantidad : 10 transistores MMBT2222A.

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