Fácil, rápido y seguro a través de
Categoría: Transistor SMD
Transistor SMD
Transistor SMD NPN y PNP con diversidad de aplicaciones como switch o como amplificador, de bajo coste y de alta efectividad.
Mostrando los 26 resultados
-
Transistor Mosfet IRFR3707Z smd
$ 0.4Añadir al carritoBuck síncrono de alta frecuencia, funciona como convertidor para potencia en procesadores de computadora, sistema de CC-CC aislada de alta frecuencia y cuenta con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
-
Transistor Mosfet IRFR4105Z smd
$ 0.4Añadir al carritoEste MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, una potencia de 48W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable para uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.
-
Transistor Mosfet IRFR3709Z smd
$ 0.4Añadir al carritoReductor síncrono de alta frecuencia Convertidores para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como CC-CC aislada de alta frecuencia con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
-
Transistor Mosfet IRFR3711Z smd
$ 0.4Añadir al carritoConvertidores reductores síncronos de alta frecuencia para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como convertidor CC-CC aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
-
Transistor Mosfet IRFR3710Z smd
$ 0.4Añadir al carritoEste MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, máxima disipación de potencia 140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.
-
Transistor IGBT NGD8201
$ 0.8Añadir al carritoEl Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
-
Transistor Mosfet NCE4688
$ 1.5Añadir al carritoEl Transistor Mosfet NCE4688 es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.
-
Transistor 2N2222A NPN SMD x10
$ 0.3Añadir al carritoEste dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el SOT-23, con estructura de plástico con tres terminales (pines).
Cantidad: 10 transistores 2N2222A.
-
Transistor FGH40N60SFD
$ 2.3Añadir al carritoEste es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
-
Transistor Mosfet IRF840 SMD
$ 0.6Añadir al carritoTransistor Mosfet IRF840 es un dispositivo electronico de canal N de montaje superficial con un encapsulado SOT263. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alta potencia.
-
Transistor Mosfet IRFR3607
$ 0.4Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
-
Transistor Mosfet IRFR3806
$ 0.4Agotado
Leer másEl transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
-
Transistor Mosfet IRFR5410
$ 0.4Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.
-
Transistor Mosfet AO4606
$ 0.6Añadir al carritoEl transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .
-
Transistor Mosfet FDN360P
$ 0.4Añadir al carritoEl FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.
-
Kit Surtido de 180 transistores (SOT-23) SMD
$ 3.8Añadir al carritoKit Surtido de 180 transistores (SOT-23) SMD con 18 tipos diferentes de transistores
Encapsulado: SOT-23
-
Transistor MMBTA92 PNP SOT-23 x10
$ 0.5Añadir al carritoTransistor MMBTA92 PNP SMD encapsulado SOT-23 en miniatura para circuitos de montaje en superficie
El tipo complementario NPN es MMBTA42
-
Transistor MJD32C
$ 0.6Añadir al carritoTransistor MJD32C está diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y amplificación de propósito general 100V 3A
Complemento MJD31C
-
MOSFET P DE POTENCIA TSM085P03CS RLG
$ 0.8Agotado
Leer másEste MOSFET de potencia está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Incluye protección contra ESD
-
MOSFET P DMP1045U-7 SMD
$ 0.3Agotado
Leer másEste MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico
Incluye protección contra ESD
-
MOSFET P Pmv48xp SMD
$ 0.5Añadir al carritoEste MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico
Incluye protección contra ESD
-
FDN340P MOSFET P TREN SOT23
$ 0.2Añadir al carritoEstos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet FDN340P cuenta con una capacidad de 2A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
-
Transistor MMBT3904 NPN SOT-23 x10
$ 0.5Añadir al carritoTransistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904
-
Transistor MMBT2907 PNP SOT-23 x10
$ 0.5Añadir al carritoTransistor de propósito general MMBT2907A (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT2222A
-
Transistor MMBT3906 PNP SOT-23 x10
$ 0.5Añadir al carritoTransistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904
-
Transistor MMBT2222A NPN SOT-23 x10
$ 0.5Añadir al carritoTransistor NPN de corriente máxima en colector de 1A y de montaje superficial, eficiente en aplicaciones como switch (Corte-Saturación) y amplificador.
Cantidad : 10 transistores MMBT2222A.