Categoría: Transistor SMD
Transistor SMD
Transistor SMD NPN y PNP con diversidad de aplicaciones como switch o como amplificador, de bajo coste y de alta efectividad.
Mostrando los 44 resultados
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Transistor 3904 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 3904 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor A92 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor A92 SMD, es un transistor PNP de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor 5551 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 5551 SMD, es un transistor NPN de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor 5401 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 5401 SMD, es un transistor 2L bipolar de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor 2222 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 2222 SMD, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general, sirve para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, construir puentes H, variar la velocidad de motores pequeños e intensidad de led.
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Transistor 3906 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 3906 SMD, es un transistor Superficial PNP con corriente de colector máxima de -200 mA, voltaje colector-emisor máximo de -40 V. Sus aplicaciones más comunes son como switch y amplificador. Viene en un empaque SOT23.
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Transistor A42 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor A42 SMD, es un transistor NPN de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor C1815 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl C1815 es un transistor bipolar NPN de propósito general con una tensión máxima de 60 V y una corriente máxima de 150 mA. El dispositivo está diseñado para aplicaciones de amplificador de propósito general de audiofrecuencia.
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Transistor A1015 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor A1015 SMD, es un transistor PNP de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor S8550 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S8550 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S8050 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S8050 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor C945 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor C945 es un de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.
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Transistor A733 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl A733 es un transistor PNP de pequeña señal y puede ser usado como conmutador o amplificador
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Transistor S9018 SMD
$ 0.2Añadir al carritoTransistor S9018 J8 bipolar epitaxial de silicio. Transistor diseñado como amplificador AM / FM, oscilador local de FM / VHF Tune. High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ) con una alta ganancia de ancho de banda.
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Transistor S9015 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9015 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Preamplificador, bajo nivel y bajo nivel de ruido. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, como interruptor, switch u oscilador para generar señales. Utilizado en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S9014 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9014 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Preamplificador, bajo nivel y bajo nivel de ruido. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, como interruptor, switch u oscilador para generar señales. Utilizado en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S9013 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9013 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Alta corriente de colector. Excelente linealidad hFE. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, como interruptor, switch u oscilador para generar señales. Utilizado en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S9012 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9012 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Alta corriente de colector. Excelente linealidad hFE. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general.
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Añadir al carritoBuck síncrono de alta frecuencia, funciona como convertidor para potencia en procesadores de computadora, sistema de CC-CC aislada de alta frecuencia y cuenta con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
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Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, una potencia de 48W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable para uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Reductor síncrono de alta frecuencia Convertidores para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como CC-CC aislada de alta frecuencia con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
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Convertidores reductores síncronos de alta frecuencia para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como convertidor CC-CC aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
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Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, máxima disipación de potencia 140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.
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Transistor IGBT NGD8201
$ 0.9Añadir al carritoEl Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
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Añadir al carritoEl Transistor Mosfet NCE4688 es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.
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Añadir al carritoEste dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el SOT-23, con estructura de plástico con tres terminales (pines).
Cantidad: 10 transistores 2N2222A.
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Transistor FGH40N60SFD
$ 2.3Leer másEste es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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Añadir al carritoTransistor Mosfet IRF840 es un dispositivo electronico de canal N de montaje superficial con un encapsulado SOT263. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alta potencia.
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Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.
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Transistor Mosfet AO4606
$ 0.6Añadir al carritoEl transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .
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Añadir al carritoEl FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.
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Añadir al carritoKit Surtido de 180 transistores (SOT-23) SMD con 18 tipos diferentes de transistores
Encapsulado: SOT-23
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Añadir al carritoTransistor MMBTA92 PNP SMD encapsulado SOT-23 en miniatura para circuitos de montaje en superficie
El tipo complementario NPN es MMBTA42
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Transistor MJD32C
$ 0.6Añadir al carritoTransistor MJD32C está diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y amplificación de propósito general 100V 3A
Complemento MJD31C
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Leer másEste MOSFET de potencia está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Incluye protección contra ESD
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MOSFET P DMP1045U-7 SMD
$ 0.3Leer másEste MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico
Incluye protección contra ESD
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MOSFET P Pmv48xp SMD
$ 0.5Añadir al carritoEste MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico
Incluye protección contra ESD
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Añadir al carritoEstos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet FDN340P cuenta con una capacidad de 2A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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Transistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904
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Transistor de propósito general MMBT2907A (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT2222A
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Transistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904
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Transistor NPN de corriente máxima en colector de 1A y de montaje superficial, eficiente en aplicaciones como switch (Corte-Saturación) y amplificador.
Cantidad : 10 transistores MMBT2222A.