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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N

$ 0.4

Transistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

20 disponibles

Transistor Mosfet IRF1404 Canal N viene en empaque TO220 . Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

Cantidad:

  • 1 unidad – Transistor Mosfet IRF1404 Canal N

Características:

  • Categoría de producto: MOSFET
  • Estilo de montaje: Through Hole
  • Paquete / Cubierta: TO-220-3
  • Polaridad del transistor: N-Channel
  • Número de canales: 1 Channel
  • Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 40 V
  • Id – Corriente de drenaje continua: 162 A
  • Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 4 mOhms
  • Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
  • Qg – Carga de puerta: 160 nC
  • Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
  • Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
  • Dp – Disipación de potencia : 333 W
  • Modo canal: Enhancement
  • Configuración: Single
  • Tiempo de caída: 33 ns
  • Altura: 15.65 mm
  • Longitud: 10 mm
  • Tiempo de subida: 190 ns
  • Tipo de transistor: 1 N-Channel
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
  • Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
  • Referencia de producto: IRF1404

Salida de pines:

Transistor Mosfet IRF1404 Canal N pines

Hoja de datos:

Aplicaciones:

  • Amplificación.
  • Conmutación de señales de electronica en inversoras.
  • Montajes UPS.
  • Rectificación.
  • Fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

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