Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
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Transistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N viene en empaque TO220 . Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
Características:
- Categoría de producto: MOSFET
- Estilo de montaje: Through Hole
- Paquete / Cubierta: TO-220-3
- Polaridad del transistor: N-Channel
- Número de canales: 1 Channel
- Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 40 V
- Id – Corriente de drenaje continua: 162 A
- Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 4 mOhms
- Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
- Qg – Carga de puerta: 160 nC
- Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
- Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
- Dp – Disipación de potencia : 333 W
- Modo canal: Enhancement
- Configuración: Single
- Tiempo de caída: 33 ns
- Altura: 15.65 mm
- Longitud: 10 mm
- Tiempo de subida: 190 ns
- Tipo de transistor: 1 N-Channel
- Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
- Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
- Referencia de producto: IRF1404
Salida de pines:
Hoja de datos:
Aplicaciones:
- Amplificación.
- Conmutación de señales de electronica en inversoras.
- Montajes UPS.
- Rectificación.
- Fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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