Transistor Mosfet STN4NF20L
$ 0.6
Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
13 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad – Mosfet STN4NF20L
Características:
- Máxima disipación de potencia (Pd): 3.3 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 200 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
- Carga de la puerta (Qg): 0.9 nC
- Tiempo de subida (tr): 2 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Salida de pines:
Hoja de datos:
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