Etiqueta: Transistor
Transistor
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Transistor Mosfet IRFP360
$ 10.900,0 +IVA4 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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Transistor MOSFET IRFP350
$ 11.100,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
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Transistor MOSFET IRFP9240
$ 12.400,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoLos MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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Transistor MOSFET IRFP140N
$ 13.500,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoLos HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Triodo Transistor 2SA1020
$ 400,0 +IVA21 disponibles
Añadir al carritoEl 2SA1020 es un transistor bipolar PNP de pequeña señal diseñado para diversas aplicaciones, que presenta una corriente de colector continua (I(C)) de 2 A y una tensión de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO) de 50 V. Construido a partir de silicio, este transistor utiliza un solo elemento dentro de su diseño. Viene empaquetado en una configuración TO-92, lo que garantiza una fácil integración en una amplia gama de circuitos electrónicos.
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Transistor NPN BUV48A
$ 3.800,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.
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Transistor MOSFET IRFB3607
$ 5.700,0 +IVA16 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB4310
$ 5.700,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB3006
$ 5.700,0 +IVA34 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
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Transistor MOSFET IRFB3306
$ 5.700,0 +IVA36 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Transistor MOSFET IRFB4110
$ 5.700,0 +IVA75 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRFB3077
$ 5.700,0 +IVA48 disponibles
Añadir al carritoEste MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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Tiristor SCR TYN1225
$ 6.100,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
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Tiristor SCR TYN610
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
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Transistor Mosfet IRFP4242
$ 17.700,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
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Transistor Mosfet FSW25N50A
$ 5.400,0 +IVA12 disponibles
Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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Transistor MOSFET IRFBC40
$ 5.800,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Transistor MOSFET IRF1407
$ 4.700,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF2805
$ 4.400,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF1405
$ 4.300,0 +IVA13 disponibles
Añadir al carritoCuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRF1312
$ 5.000,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5.700,0 +IVA11 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Transistor mosfet MMD60R360P SMD
$ 3.000,0 +IVA4 disponibles
Añadir al carritoTransistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.
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Transistor Mosfet HY4008 Canal N
$ 12.600,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoTransistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.
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