Etiqueta: Transistor
Transistor
Mostrando 1–60 de 72 resultados
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Triac BT139 600V 16A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT139 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 16A y voltajes de hasta 600V, el BT139 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT138 600V 12A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT138 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 12A y voltajes de hasta 600V, el BT138 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT137 600V 8A
$ 0.6Añadir al carritoEl TRIAC BT137 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 8A y voltajes de hasta 600V, el BT137 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Transistor MOSFET M3054M
$ 0.3Añadir al carritoEl transistor MOSFET M3046 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3054, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor MOSFET M3058M
$ 0.3Añadir al carritoTransistor Mosfet M3056 SMD de canal N de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON
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Transistor MOSFET M3052M
$ 0.3Añadir al carritoEl QM3052M6 se destaca como un MOSFET de canal N de vanguardia, reconocido por su excepcional rendimiento y una densidad de celda sin precedentes. Diseñado para brindar una eficiencia superior en una amplia gama de aplicaciones de convertidores reductores síncronos, este dispositivo ofrece una baja resistencia de encendido (RdsON) y una carga de compuerta optimizada. Su combinación de características lo posiciona como una opción líder para sistemas que requieren un alto nivel de eficiencia y fiabilidad en la conversión de energía.
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Añadir al carritoEl transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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Transistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
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Los MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Añadir al carritoEl 2SA1020 es un transistor bipolar PNP de pequeña señal diseñado para diversas aplicaciones, que presenta una corriente de colector continua (I(C)) de 2 A y una tensión de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO) de 50 V. Construido a partir de silicio, este transistor utiliza un solo elemento dentro de su diseño. Viene empaquetado en una configuración TO-92, lo que garantiza una fácil integración en una amplia gama de circuitos electrónicos.
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Transistor NPN BUV48A
$ 1.0Añadir al carritoEl Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.
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Añadir al carritoEl transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Añadir al carritoEl transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Añadir al carritoEl transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
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Añadir al carritoEl transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Añadir al carritoEste MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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Tiristor SCR TYN1225
$ 1.5Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
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Tiristor SCR TYN610
$ 1.5Añadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
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Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
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Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Añadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Añadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
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Añadir al carritoCuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Añadir al carritoTransistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.
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Transistor IGBT MGD623S
$ 2.3 -
Añadir al carritoEl transistor MOSFET M3056 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3056, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Añadir al carritoEl IRFB4227PBF es un mosfet conmutador de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.
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Añadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP150N son una ventaja de combinado con la rápida velocidad de conmutación y diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-247AC es el preferido para aplicaciones comerciales e industriales en …
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Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor IGBT G50T65D
$ 1.5Añadir al carritoTransistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET) de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de …
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Añadir al carritoTransistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.
Encapsulado: TO-220-3
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Añadir al carritoEste canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
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Añadir al carritoEl Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.
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Transistor 2SC945 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl transistor 2SC945 de pequeña señal diseñado para el uso en aplicaciones de etapa de manejo del amplificador AF y conmutación de baja velocidad.
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Transistor MOSFET IRF510
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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Transistor Mosfet Irf520
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor IRF750 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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Transistor MOSFET IRF720
$ 0.5Añadir al carritoEste transistor de potencia de categoría MOSFET, tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS. Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Este dispositivo está bien adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y dispositivos electrónicos como lámparas basados en medio puente.
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Añadir al carritoLas aplicaciones típicas son convertidores DC a DC, distribución de energía en productos portátiles y alimentados por batería como computadoras, impresoras, teléfonos celulares y algunos dispositivos inalámbricos.
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Transistor MMBT8050 NPN
$ 0.0Añadir al carritoMMTB8050 es un transistor de silicio epitaxial de montaje en superficie NPN con baja tensión, alta intensidad y pequeña señal. El dispositivo está diseñado para amplificadores de audio y aplicaciones de uso general.
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Añadir al carritoIGBT 30F126 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 330V.
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IGBT 30F124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 300V.
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IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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Transistor 2SD1415 NPN
$ 0.6Añadir al carritoAplicaciones de conmutación de alta potencia, también cuenta con accionamiento de martillo enfocado para el uso de accionamiento de motor de impulsos
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Transistor 2SD2058 NPN
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de propósito general, unión bipolar tipo PNP , su uso depende de como se configure ya sea para conmutación o amplificación.
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Transistor 2SD1594 NPN
$ 1.5Añadir al carritoFunciona como Amplificador de potencia de baja frecuencia y como conmutador de alta velocidad en uso industrial
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Añadir al carritoEl Transistor Mosfet RD15HVF1 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 30V a 4A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET.
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Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP9140 es un componente eléctrico de canal P que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutación de propósito general.
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Añadir al carritoEl Transistor 2SA2210 Y 2SC6082 son transistores bipolares PNP y NPN. Soportan 50V-20A y 50V-15A respectivamente.
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Añadir al carritoLos 2N5460 son transistores JFET de canal P de silicio diseñados para aplicaciones de amplificadores de bajo nivel. además de poder implementarse en aplicaciones de propósito general, siendo diseñado principalmente para audio de bajo nivel y también aplicaciones de alta impedancia.
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Añadir al carritoEl 2N5457 está diseñado para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. Además cuenta con una capacidad de 10mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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Transistor 2n6027
$ 0.2Añadir al carritoEl 2N6027 es un transistor de unijuntura programable (PUT), estos dispositivos también se pueden utilizar en tiristores especiales. Se encuentra en un paquete de plástico TO-92 económico para requisitos de alto volumen,este paquete es fácilmente adaptable para su uso.
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Transistor 2N3904 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N3904 es un transistor NPN el cual está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general para distintas aplicaciones. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como interruptor y a 100 MHz como amplificador, debido a sus características, es un transistor utilizado para aplicaciones de contaminación rápida.