Etiqueta: Transistor
Transistor
Mostrando los 33 resultados
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Añadir al carritoEl Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.
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Transistor 2SC945 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl transistor 2SC945 de pequeña señal diseñado para el uso en aplicaciones de etapa de manejo del amplificador AF y conmutación de baja velocidad.
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Transistor MOSFET IRF510
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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C3-B-7-B
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor IRF750 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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Transistor MOSFET IRF720
$ 0.5Añadir al carritoEste transistor de potencia de categoría MOSFET, tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS. Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Este dispositivo está bien adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y dispositivos electrónicos como lámparas basados en medio puente.
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Añadir al carritoLas aplicaciones típicas son convertidores DC a DC, distribución de energía en productos portátiles y alimentados por batería como computadoras, impresoras, teléfonos celulares y algunos dispositivos inalámbricos.
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Transistor MMBT8050 NPN
$ 0.0Añadir al carritoMMTB8050 es un transistor de silicio epitaxial de montaje en superficie NPN con baja tensión, alta intensidad y pequeña señal. El dispositivo está diseñado para amplificadores de audio y aplicaciones de uso general.
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Añadir al carritoIGBT 30F126 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 330V.
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IGBT 30F124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 300V.
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IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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Transistor 2SD1415 NPN
$ 0.6Añadir al carritoAplicaciones de conmutación de alta potencia, también cuenta con accionamiento de martillo enfocado para el uso de accionamiento de motor de impulsos
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Transistor 2SD2058 NPN
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de propósito general, unión bipolar tipo PNP , su uso depende de como se configure ya sea para conmutación o amplificación.
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Transistor 2SD1594 NPN
$ 0.9Añadir al carritoFunciona como Amplificador de potencia de baja frecuencia y como conmutador de alta velocidad en uso industrial
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Añadir al carritoEl Transistor Mosfet RD15HVF1 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 30V a 4A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET.
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Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP9140 es un componente eléctrico de canal P que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutación de propósito general.
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Añadir al carritoEl Transistor 2SA2210 Y 2SC6082 son transistores bipolares PNP y NPN. Soportan 50V-20A y 50V-15A respectivamente.
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Añadir al carritoLos 2N5460 son transistores JFET de canal P de silicio diseñados para aplicaciones de amplificadores de bajo nivel. además de poder implementarse en aplicaciones de propósito general, siendo diseñado principalmente para audio de bajo nivel y también aplicaciones de alta impedancia.
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Leer másEl 2N5457 está diseñado para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. Además cuenta con una capacidad de 10mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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Transistor 2n6027
$ 0.2Leer másEl 2N6027 es un transistor de unijuntura programable (PUT), estos dispositivos también se pueden utilizar en tiristores especiales. Se encuentra en un paquete de plástico TO-92 económico para requisitos de alto volumen,este paquete es fácilmente adaptable para su uso.
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Transistor 2N3904 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N3904 es un transistor NPN el cual está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general para distintas aplicaciones. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como interruptor y a 100 MHz como amplificador, debido a sus características, es un transistor utilizado para aplicaciones de contaminación rápida.
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Transistor BJT 2N2907
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP, se utiliza principalmente para fines generales, relacionados con amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación-switcheo. Es un transistor rápido, pues puede operar a altas velocidades.
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Transistor 2N5551 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N5551 es un transistor NPN de propósito general, diseñado para montaje por orificio pasante en un encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alta tensión de propósito general, también de switcheo y controladores de pantalla de descarga de gas.
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Transistor FGH40N60SFD
$ 2.3Leer másEste es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP460 es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentacion conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutacion de proposito general.
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Leer másEl transistor Mosfet IRFP90N20D es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.
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Añadir al carritoTIP29C Transistor BJT NPN 100V 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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TIP31C Transistor BJT NPN 100V / 3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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Añadir al carritoTIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
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Añadir al carritoTIP41C Transistor BJT NPN 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC
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Añadir al carritoTIP42C Transistor BJT PNP 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.
Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC
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Añadir al carritoEl Mosfet IRF3205 es un dispositivo con capacidad de conducción actual de 110ª, velocidad de conmutación rápida, bajo estado encendido resistencia, clasificación de voltaje de ruptura de 55V, y Max. Tensión umbral de 4 voltios
