Categoría: Transistores
Transistores
Descubre nuestros transistores, ideales para electrónica y proyectos PCB, ofreciendo precisión, confiabilidad y alto rendimiento en todas tus aplicaciones profesionales y diseños de circuitos.
Mostrando 1–25 de 255 resultadosOrdenado por los últimos
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Transistor MOSFET 2SJ374 Canal P 60 V 20 A TO-220F
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ374 es un transistor MOSFET de potencia de canal P, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente continua de hasta −20 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Está disponible en versiones documentadas por distintos fabricantes, por lo que se recomienda verificar el encapsulado y los parámetros de la referencia exacta antes de instalarlo.
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Transistor MOSFET 2SJ349 Canal P 60 V 20 A TO-220NIS
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ349 es un transistor MOSFET de potencia de canal P, fabricado originalmente por Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente continua máxima de −20 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Su resistencia de conducción típica de 33 mΩ permite reducir las pérdidas eléctricas y facilita su uso en convertidores DC-DC, accionamiento de relés y control de motores.
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Transistor MOSFET 2SJ334 Canal P 60 V 30 A TO-220NIS
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ334 es un transistor MOSFET de potencia de canal P fabricado originalmente por Toshiba. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente continua máxima de −30 A bajo las condiciones especificadas en la hoja de datos. Su baja resistencia de conducción, de 29 mΩ típica, permite utilizarlo en circuitos de conmutación de alta corriente, convertidores DC-DC, accionamiento de relés y control de motores.
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Transistor D13003 NPN de Alta Tensión 400V 1.5A
$ 3.000,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl D13003 es un transistor bipolar de potencia tipo NPN, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, lámparas de bajo consumo, balastos electrónicos y transformadores electrónicos. Algunas versiones se comercializan en encapsulado TO-126; verifica la presentación específica del producto antes de comprar.
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Transistor MOSFET 2SJ330 Canal P 60 V 20 A MP-45F
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ330 es un transistor MOSFET de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación electrónica. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente continua de hasta −20 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Su baja resistencia de conducción y sus diodos de protección entre compuerta y fuente lo hacen apropiado para circuitos de accionamiento de motores, solenoides, lámparas y otras cargas eléctricas.
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Transistor MOSFET 2SJ329 Canal P 60 V 15 A MP-45F
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ329 es un transistor MOSFET de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control electrónico. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente máxima de drenador de −15 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Incorpora protección entre compuerta y fuente y presenta una baja resistencia de conducción, por lo que resulta adecuado para circuitos de control de motores, solenoides y etapas de potencia.
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Tiristor SCR 2P4M TO-126 400V 2A
$ 4.000,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl 2P4M es un tiristor SCR de propósito general diseñado para controlar la conducción de corriente en circuitos electrónicos. Soporta una tensión repetitiva de bloqueo de hasta 400 V y una corriente eficaz de conducción de 2 A, según la versión especificada. Su encapsulado TO-126 facilita el montaje en placas electrónicas y aplicaciones de control de potencia.
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Transistor MOSFET 2SJ308 Canal P 250 V 9 A TO-220ML
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoDescripción corta: El 2SJ308 es un transistor MOSFET de potencia de canal P, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Soporta una tensión drenador-fuente de hasta −250 V y una corriente continua de drenador de −9 A, con una resistencia de conducción típica de 0,35 Ω. Su encapsulado TO-220ML permite integrarlo en diferentes diseños …
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Transistor IGBT CRG40T60AN3H 40A 600V/650V TO-3PN
$ 12.000,0 +IVA13 disponibles
Añadir al carritoEl G40T60AN3H es un transistor de potencia tipo IGBT diseñado para aplicaciones de conmutación electrónica. Se utiliza en equipos como soldadoras inverter, convertidores de frecuencia, inversores y sistemas UPS. Su encapsulado TO-3PN facilita el montaje en circuitos electrónicos de potencia con la disipación térmica adecuada.
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4 disponibles
Añadir al carritoEl kit de amplificador TDA2030A permite construir un circuito amplificador de audio basado en el integrado TDA2030A, un amplificador monolítico de potencia de clase AB diseñado para aplicaciones de baja frecuencia. El circuito integrado puede entregar hasta 18 W de potencia de salida bajo condiciones específicas de alimentación y carga.
Es una alternativa práctica para proyectos de electrónica, audio DIY, reparación y aprendizaje, permitiendo experimentar con circuitos de amplificación de potencia utilizando un número reducido de componentes externos.
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Transistor 2SA1020L PNP 50V 2A – Transistor de Potencia para Amplificación y Conmutación
$ 2.500,0 +IVA36 disponibles
Añadir al carritoEl 2SA1020L es un transistor bipolar PNP de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos electrónicos. Su capacidad de manejar una tensión colector-emisor de hasta 50 V y una corriente de colector de hasta 2 A lo hace adecuado para diferentes etapas de potencia y control.
Su encapsulado compacto facilita su instalación en placas electrónicas y proyectos de reparación o diseño. Puede utilizarse en circuitos de amplificación, conmutación y control de cargas, siempre respetando los límites eléctricos indicados en la hoja de datos correspondiente.
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Transistor 2SC2655L NPN 50 V 2 A
$ 4.500,0 +IVA16 disponibles
Añadir al carritoEl 2SC2655L es un transistor bipolar NPN de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación. Soporta hasta 50 V entre colector y emisor y una corriente continua de colector de hasta 2 A.
Su baja tensión de saturación, especificada hasta 0,5 V a 1 A, y su rápida respuesta de conmutación lo hacen adecuado para circuitos de control, fuentes de alimentación y aplicaciones de potencia. La versión consultada utiliza encapsulado TO-92L con configuración de pines 1-Emisor, 2-Colector, 3-Base.
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Transistor BC549B – NPN de Propósito General de Bajo Ruido
$ 2.500,0 +IVA100 disponibles
Añadir al carritoEl BC549B es un transistor bipolar NPN de silicio diseñado para aplicaciones generales de amplificación y conmutación. La versión B ofrece una ganancia de corriente mínima de 200, con una frecuencia de transición mínima de 300 MHz.
Su encapsulado TO-92 facilita su integración en protoboards y circuitos electrónicos convencionales. Es una opción habitual para etapas de pequeña señal, preamplificadores, sensores y circuitos de control.
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IRL530N MOSFET Canal N de Potencia 100 V 17 A
$ 2.200,0 +IVA100 disponibles
Añadir al carritoEl IRL530N es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Soporta una tensión máxima drenador-fuente de 100 V y una corriente continua de hasta 17 A a 25 °C, según las condiciones especificadas por el fabricante.
Su característica Logic Level permite obtener una baja resistencia de conducción con tensiones de compuerta relativamente bajas, alcanzando hasta 150 mΩ a VGS = 4.5 V según la especificación del fabricante. El IRL530N original utiliza encapsulado TO-220 y actualmente figura como producto descontinuado; existe la variante SMD IRL530NS en D2PAK.
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Transistor NPN de Potencia 2SD880 60V 3A TO-220
$ 2.000,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEl 2SD880 es un transistor bipolar NPN de potencia (BJT) diseñado para aplicaciones de amplificación, regulación y conmutación. Soporta una tensión colector-emisor de hasta 60 V, una corriente de colector de hasta 3 A y una disipación máxima de aproximadamente 30 W. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en PCB y la conexión a un disipador térmico.
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MOSFET de Potencia N-Channel IRF820 500V TO-220
$ 2.800,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEl IRF820 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 500 V y está disponible en encapsulado TO-220, siendo adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, UPS, controladores de motores y otras aplicaciones de electrónica de potencia. Dependiendo del fabricante y la versión, sus especificaciones de corriente y resistencia RDS(on) pueden variar.
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Leer másEl IRF721 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 350 V, una corriente continua de aproximadamente 3.3 A a 25 °C y una resistencia RDS(on) máxima de 1.8 Ω. Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, UPS, control de motores, relés y solenoides.
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Leer másEl 2N3053 es un transistor bipolar NPN de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta velocidad. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 40 V, una corriente de colector de 700 mA y una frecuencia de transición de hasta 100 MHz, siendo ideal para amplificadores, osciladores, controladores y circuitos de radiofrecuencia. Se presenta en encapsulado metálico TO-39.
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Transistor Darlington NPN MPSA13 TO-92
$ 800,0 +IVA50 disponibles
Añadir al carritoEl MPSA13 es un transistor Darlington NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta ganancia de corriente y conmutación de cargas de baja y media potencia. Soporta un voltaje colector-emisor de 30 V, una corriente de colector de hasta 500 mA y ofrece una ganancia de corriente (hFE) mínima de 5000, siendo ideal para interfaces con microcontroladores, relés, LEDs de potencia y circuitos de control. Se presenta en encapsulado TO-92.
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Transistor NPN de Potencia 2SD313 TO-220
$ 2.000,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEl D313, también identificado como 2SD313, es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación. Soporta un voltaje colector-emisor de 60 V, una corriente de colector de hasta 3 A y una potencia de disipación de 30 W, siendo ideal para amplificadores de audio, fuentes de alimentación y circuitos de control de potencia. Se presenta en encapsulado TO-220.
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Transistor BJT NPN 2SD400 TO-220
$ 500,0 +IVA50 disponibles
Añadir al carritoEl 2SD400 es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de media potencia. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 400 V, una corriente máxima de colector de 4 A y una disipación de potencia de hasta 40 W, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación, control de motores, reguladores, inversores y equipos electrónicos industriales. Se presenta en encapsulado TO-220.
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Transistor Darlington NPN 2SD1071 450V 6A TO-220
$ 3.000,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl 2SD1071 es un transistor Darlington NPN de silicio fabricado mediante tecnología de difusión triple (Triple Diffused Planar), lo que le proporciona una alta ganancia de corriente (hFE), baja tensión de saturación y excelente confiabilidad en aplicaciones de potencia. Está diseñado para trabajar en sistemas de alta tensión donde se requiere un transistor robusto con …
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Transistor MOSFET Canal N IRF1010E 60V 84A TO-220
$ 3.400,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoEl IRF1010E es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de 60 V, una corriente continua de hasta 84 A y presenta una baja resistencia RDS(on) de 12 mΩ, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora el rendimiento en fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores y convertidores DC-DC.
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Transistor BJT PNP BCP53 SOT-223
$ 1.200,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl BCP53 es un transistor bipolar PNP de potencia media diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 80 V, una corriente de colector de hasta 1 A y se presenta en encapsulado SOT-223, ofreciendo una excelente disipación térmica para circuitos de regulación, control de potencia, drivers de MOSFET y equipos electrónicos industriales.
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Transistor MOSFET Canal N 2N06L64 60V 35A TO-252
$ 2.500,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2N06L64 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y conversión de potencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de 60 V, una corriente continua de hasta 35 A y presenta una baja resistencia RDS(on), lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia. Se suministra en encapsulado TO-252 (DPAK) para montaje superficial (SMD).
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