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Categoría: Transistores

Transistores

Mostrando los 23 resultados

  • Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP

    $ 0.8

    Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad : 10 Transitores BC557B

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  • Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP

    $ 0.8

    Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad : 10 Transitores BC557B

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  • Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP

    $ 0.8

    Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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  • Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP

    $ 0.8

    Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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  • Transistor de empalme bipolar BC560C 100mA 50V BJT PNP

    $ 0.4

    Transistor de empalme bipolar BC560C 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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  • Transistor de empalme bipolar 2N5401 500mA 160V BJT PNP

    $ 1.0

    Transistor de empalme bipolar 2N5401 500mA 160V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  2N5401

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  • Transistor de empalme bipolar 2N5551 600mA 180V BJT NPN

    $ 1.0

    Transistor de empalme bipolar 2N5551 600mA 180V BJT NPN Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  2N5551

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  • Transistor de empalme bipolar 2N4401 600mA 60V BJT NPN

    $ 0.8

    Transistor de empalme bipolar 2N4401 NPN 600mA 60V BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  BC546B

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  • Transistor de empalme bipolar 2N4403 600mA 40V BJT PNP

    $ 0.3

    2N4403 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP.

    Transistor de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW y  controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC

     

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  • Transistor de empalme bipolar BC546B BJT NPN

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC546B BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  BC546B

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  • Transistor 2N2907 BJT PNP -60V / -600mA x 10

    $ 0.8

    El 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP utilizado para los fines generales de amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación. Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  2N2907

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  • Transistor TIP29C BJT NPN de potencia 100V 1A

    $ 0.5

    TIP29C Transistor BJT NPN 100V  1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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  • Transistor TIP30C BJT PNP de potencia 100V 1A

    $ 0.5

    TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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  • Transistor TIP31C BJT NPN de potencia 100V 3A

    $ 0.5

    TIP31C Transistor BJT NPN 100V / 3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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  • Transistor TIP32C BJT PNP de potencia -100V -3A

    $ 0.5

    TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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  • Transistor TIP41C NPN de potencia 100V 6A

    $ 0.5

    TIP41C Transistor BJT NPN 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.

    Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC

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  • Transistor TIP42C PNP de potencia 100V 6A

    $ 0.5

    TIP42C Transistor BJT PNP 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.

    Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC

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  • Transistor IRF3205 MOSFET

    $ 0.5

    El Mosfet IRF3205 es un dispositivo con capacidad de conducción actual de 110ª, velocidad de conmutación rápida, bajo estado encendido resistencia, clasificación de voltaje de ruptura de 55V, y Max. Tensión umbral de 4 voltios

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  • Transistor 2N3904 BJT NPN 40V x 10

    $ 0.7

    Transistor bipolar NPN de baja potencia y uso general, sirve para aplicaciones de amplificación y conmutación. Amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, puente H.

    Cantidad: 10 transistores  2N3904

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  • Transistor 2N3906 BJT PNP 40V x 10

    $ 0.7

    Transistor bipolar PNP de baja potencia y uso general, sirve para aplicaciones de amplificación y conmutación. Amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, puente H.

    Cantidad: 10 transistores  2N3906

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  • Transistor Bipolar 2SC5200 (BJT) NPN

    $ 4.5

    2SC5200 Transistor BJT NPN es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.

    Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.

    Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.

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  • Transistor Bipolar 2SA1943 (BJT) PNP

    $ 4.8

    2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.

    Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.

    Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.

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  • Transistor 2N2222A NPN x10

    $ 0.8

    Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plástico con tres terminales (pines).

    Cantidad: 10 transistores 2N2222A.

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