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Categoría: Transistores
Transistores
Mostrando 1–48 de 67 resultados
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Transistor 2SD2012 NPN
$ 0.0Añadir al carritoEs un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
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Transistor 2SD1415 NPN
$ 0.0Añadir al carritoAplicaciones de conmutación de alta potencia, también cuenta con accionamiento de martillo enfocado para el uso de accionamiento de motor de impulsos
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Transistor 2SD2058 NPN
$ 0.0Añadir al carritoTransistor de propósito general, unión bipolar tipo PNP , su uso depende de como se configure ya sea para conmutación o amplificación.
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Transistor 2SD1594 NPN
$ 0.0Añadir al carritoFunciona como Amplificador de potencia de baja frecuencia y como conmutador de alta velocidad en uso industrial
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Fuente de Corriente Ajustable LM334Z
$ 1.3Añadir al carritoFuente de Corriente Ajustable LM334Z es un dispositvo electrónico tipo through hole de tres terminales que proporciona una fuente de corriente con un rango de corriente de operación de 10000:1 manteniendo excelente regulación de corriente en un amplio rango de voltaje de operación. En la Fuente de Corriente Ajustable LM334Z la mínima funcionalidad se obtiene con una simple resitencia externa para establecer la corriente y no se requieren componentes electrónicos adicionales.
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Transistor Mosfet IRFP9140
$ 1.6Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP9140 es un componente eléctrico de canal P que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutación de propósito general.
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Transistor 2SA2210 Y 2SC6082
$ 1.1Añadir al carritoEl Transistor 2SA2210 Y 2SC6082 son transistores bipolares PNP y NPN. Soportan 50V-20A y 50V-15A respectivamente.
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Transistor 2N5460 JFET Canal P
$ 0.4Añadir al carritoLos 2N5460 son transistores JFET de canal P de silicio diseñados para aplicaciones de amplificadores de bajo nivel. además de poder implementarse en aplicaciones de propósito general, siendo diseñado principalmente para audio de bajo nivel y también aplicaciones de alta impedancia.
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Transistor 2N5457 JFET CANAL N 25V 10MA
$ 0.4Añadir al carritoEl 2N5457 está diseñado para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. Además cuenta con una capacidad de 10mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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Transistor 2n6027
$ 0.2Añadir al carritoEl 2N6027 es un transistor de unijuntura programable (PUT), estos dispositivos también se pueden utilizar en tiristores especiales. Se encuentra en un paquete de plástico TO-92 económico para requisitos de alto volumen,este paquete es fácilmente adaptable para su uso.
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Transistor 2N3904 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N3904 es un transistor NPN el cual está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general para distintas aplicaciones. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como interruptor y a 100 MHz como amplificador, debido a sus características, es un transistor utilizado para aplicaciones de contaminación rápida.
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Transistor BJT 2N2907
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP, se utiliza principalmente para fines generales, relacionados con amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación-switcheo. Es un transistor rápido, pues puede operar a altas velocidades.
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Transistor 2N5551 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N5551 es un transistor NPN de propósito general, diseñado para montaje por orificio pasante en un encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alta tensión de propósito general, también de switcheo y controladores de pantalla de descarga de gas.
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Triac BT136 600V 4A
$ 0.4Añadir al carritoTriac BT136 600V 4A es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.
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Transistor IGBT NGD8201
$ 0.8Añadir al carritoEl Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
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Transistor Mosfet NCE4688
$ 1.5Añadir al carritoEl Transistor Mosfet NCE4688 es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.
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Transistor Mosfet FTP23N10A
$ 0.9Añadir al carritoEl transistor Mosfet FTP23N10A es un transistor de canal N de 100V y 57A es un dispositivo electrónico semiconductor. Permite el paso de una señal en respuesta a otra. Se puede configurar como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos como radios, televisores y computadoras. Habitualmente dentro de los llamados circuitos integrados.
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Transistor A2222 Y C6144
$ 1.2Agotado
Leer másEl A2222 Y C6144 son transistores bipolares 2SA2222SG PNP y 2SC6144SG NPN . Soportan 50V y 10A, ideales para la board de la Impresora Epson con un encapsulado TO220.
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Transistor IGBT 60T65
$ 3.1Añadir al carritoEl Transistor IGBT 60T65 es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-247 de 3 pines, soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 650V.
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Transistor Mosfet IRFB4115
$ 0.9Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFB4115 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 150V a 104A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos conmutados y de alta frecuencia.
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Transistor FGH40N60SFD
$ 2.3Añadir al carritoEste es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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Transistor IGBT FGH60N60S
$ 3.3Añadir al carritoEl IGBT FGH60N60S es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet 2N7000 X10
$ 0.8Añadir al carritoEl transistor Mosfet 2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
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Transistor Mosfet IRFZ44N
$ 0.4Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFZ44N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistores Mosfet Rd06
$ 4.8Añadir al carritoTransistores Mosfet Rd06 es un dispositivo electrónico con una baja resistencia de encendido, rápida velocidad de conmutación y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones como amplificadores de potencia VHF/RF.
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Tiristor C106D SCR
$ 0.4Añadir al carritoEl Tiristor C106D SCR soporta una tensión máxima de 400V, una corriente máxima de 4A y su encapsulado es TO-126. Diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, control de motores, controladores de compuerta para tiristores más grandes, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.
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Transitor IGBT K40H603
$ 2.9Agotado
Leer másEl IGBT K40H603 es un transistor de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 306 W. Viene en un encapsulado TO247.
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Transitor IGBT K75T60
$ 2.4Añadir al carritoEl IGBT K75T60 es un transistor de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 428 W. Viene en un encapsulado TO247.
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Transistor Mosfet IRF840N
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF840N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF640N
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF640N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF530N
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFR3607
$ 0.4Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFR3806
$ 0.4Agotado
Leer másEl transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF6218
$ 0.9Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF6218 es un dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF3708
$ 0.6Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF3708 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF3709
$ 0.6Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF3709 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF3808
$ 0.6Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFR5410
$ 0.4Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.
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Transistor Mosfet AO4606
$ 0.6Añadir al carritoEl transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .
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Transistor Mosfet BSS138
$ 0.1Añadir al carritoEs un transistor mosfet de efecto de campo de canal N diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y proporcionar un rendimiento de conmutación rapido, robusto, fiable y rápido. Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
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Transistor Mosfet FDN360P
$ 0.4Añadir al carritoEl FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.
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Transistor Mosfet IRFP460
$ 1.6Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP460 es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentacion conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutacion de proposito general.
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Transistor Mosfet IRFP90N20D
$ 1.9Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP90N20D es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.
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Transistor Mosfet IRFP260N
$ 1.4Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP260N es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.
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Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
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Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
Cantidad : 10 Transitores BC557B
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Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.
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Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.