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Categoría: Transistores

Transistores

Mostrando 1–48 de 67 resultados

  • Transistor 2SD2012 NPN

    $ 0.0

    Es un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.

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  • Transistor 2SD1415 NPN

    $ 0.0

    Aplicaciones de conmutación de alta potencia, también cuenta con accionamiento de martillo enfocado para el uso de accionamiento de motor de impulsos

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  • Transistor 2SD2058 NPN

    $ 0.0

    Transistor de propósito general, unión bipolar tipo PNP , su uso depende de como se configure ya sea para conmutación o amplificación.

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  • Transistor 2SD1594 NPN

    $ 0.0

    Funciona como Amplificador de potencia de baja frecuencia y como conmutador de alta velocidad en uso industrial

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  • Fuente de Corriente Ajustable LM334Z

    $ 1.3

    Fuente de Corriente Ajustable LM334Z es un dispositvo electrónico tipo through hole de tres terminales que proporciona una fuente de corriente con un rango de corriente de operación de 10000:1 manteniendo excelente regulación de corriente en un amplio rango de voltaje de operación. En la Fuente de Corriente Ajustable LM334Z la mínima funcionalidad se obtiene con una simple resitencia externa para establecer la corriente y no se requieren componentes electrónicos adicionales.

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  • Transistor Mosfet IRFP9140

    $ 1.6

    El transistor Mosfet IRFP9140 es un componente eléctrico de canal P que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutación de propósito general.

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  • Transistor 2SA2210 Y 2SC6082

    $ 1.1

    El Transistor 2SA2210 Y 2SC6082 son transistores bipolares PNP y NPN. Soportan 50V-20A y 50V-15A respectivamente.

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  • Transistor 2N5460 JFET Canal P

    $ 0.4

    Los 2N5460 son transistores JFET de canal P de silicio diseñados para aplicaciones de amplificadores de bajo nivel. además de poder implementarse en aplicaciones de propósito general, siendo diseñado principalmente para audio de bajo nivel y también aplicaciones de alta impedancia.

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  • Transistor 2N5457 JFET CANAL N 25V 10MA

    $ 0.4

    El 2N5457 está diseñado para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. Además cuenta con una capacidad de 10mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.

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  • Transistor 2n6027

    $ 0.2

    El 2N6027 es un transistor de unijuntura programable (PUT), estos dispositivos también se pueden utilizar en tiristores especiales. Se encuentra en un paquete de plástico TO-92 económico para requisitos de alto volumen,este paquete es fácilmente adaptable para su uso.

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  • Transistor 2N3904 NPN

    $ 0.1

    El 2N3904 es un transistor NPN el cual está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general para distintas aplicaciones. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como interruptor y a 100 MHz como amplificador, debido a sus características, es un transistor utilizado para aplicaciones de contaminación rápida.

     

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  • Transistor BJT 2N2907

    $ 0.1

    El 2N2907 es  un transistor de unión bipolar PNP, se utiliza principalmente para fines generales, relacionados con amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación-switcheo. Es un transistor rápido, pues puede operar a altas velocidades.

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  • Transistor 2N5551 NPN

    $ 0.1

    El 2N5551 es un transistor NPN de propósito general, diseñado para montaje por orificio pasante en un encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alta tensión de propósito general, también de switcheo y controladores de pantalla de descarga de gas.

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  • Triac BT136 600V 4A

    $ 0.4

    Triac BT136 600V 4A es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

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  • Transistor IGBT NGD8201

    $ 0.8

    El Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.

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  • Transistor Mosfet NCE4688

    $ 1.5

    El Transistor Mosfet NCE4688 es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.

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  • Transistor Mosfet FTP23N10A

    $ 0.9

    El transistor Mosfet FTP23N10A es un transistor de canal N de 100V y 57A  es un dispositivo electrónico semiconductor. Permite el paso de una señal en respuesta a otra. Se puede configurar como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos como radios, televisores y computadoras. Habitualmente dentro de los llamados circuitos integrados.

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  • Transistor A2222 Y C6144

    $ 1.2

    Agotado

    El A2222 Y C6144 son transistores bipolares 2SA2222SG PNP y 2SC6144SG NPN . Soportan 50V y 10A, ideales para la board de la  Impresora Epson con un encapsulado TO220.

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  • Transistor IGBT 60T65

    $ 3.1

    El Transistor IGBT 60T65 es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-247 de 3 pines, soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 650V.

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  • Transistor Mosfet IRFB4115

    $ 0.9

    El Transistor Mosfet IRFB4115 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 150V a 104A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos conmutados y de alta frecuencia.

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  • Transistor FGH40N60SFD

    $ 2.3

    Este es un transistor de canal utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

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  • Transistor IGBT FGH60N60S

    $ 3.3

    El IGBT FGH60N60S es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

     

     

     

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  • Transistor Mosfet 2N7000 X10

    $ 0.8

    El transistor Mosfet 2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida  de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.

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  • Transistor Mosfet IRFZ44N

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFZ44N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistores Mosfet Rd06

    $ 4.8

    Transistores Mosfet Rd06 es un dispositivo electrónico con una baja resistencia de encendido, rápida velocidad de conmutación y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones como amplificadores de potencia VHF/RF.

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  • Tiristor C106D SCR

    $ 0.4

    El Tiristor C106D SCR  soporta una tensión máxima de 400V, una corriente máxima de 4A y su encapsulado es TO-126. Diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, control de motores, controladores de compuerta para tiristores más grandes, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.

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  • Transitor IGBT K40H603

    $ 2.9

    Agotado

    El IGBT K40H603 es un transistor  de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 306 W. Viene en un encapsulado TO247.

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  • Transitor IGBT K75T60

    $ 2.4

    El IGBT K75T60 es un transistor  de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 428 W. Viene en un encapsulado TO247.

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  • Transistor Mosfet IRF840N

    $ 0.5

    El transistor Mosfet IRF840N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF640N

    $ 0.5

    El transistor Mosfet IRF640N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF530N

    $ 0.5

    El transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR3607

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR3806

    $ 0.4

    Agotado

    El transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF6218

    $ 0.9

    El transistor Mosfet IRF6218 es un dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF3708

    $ 0.6

    El transistor Mosfet IRF3708 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF3709

    $ 0.6

    El transistor Mosfet IRF3709 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF3808

    $ 0.6

    El transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR5410

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.

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  • Transistor Mosfet AO4606

    $ 0.6

    El transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .

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  • Transistor Mosfet BSS138

    $ 0.1

    Es un transistor mosfet de efecto de campo de canal N diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y proporcionar un rendimiento de conmutación rapido, robusto, fiable y rápido. Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

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  • Transistor Mosfet FDN360P

    $ 0.4

    El FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.

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  • Transistor Mosfet IRFP460

    $ 1.6

    El transistor Mosfet IRFP460 es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentacion conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutacion de proposito general.

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  • Transistor Mosfet IRFP90N20D

    $ 1.9

    El transistor Mosfet IRFP90N20D es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.

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  • Transistor Mosfet IRFP260N

    $ 1.4

    El transistor Mosfet IRFP260N es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.

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  • Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad : 10 Transitores BC557B

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  • Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad : 10 Transitores BC557B

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  • Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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  • Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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