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Categoría: Transistores

Transistores

Mostrando 1–48 de 56 resultados

  • Triac BT136 600V 4A

    $ 0.4

    Triac BT136 600V 4A es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

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  • Transistor IGBT NGD8201

    $ 0.8

    El Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.

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  • Transistor Mosfet NCE4688

    $ 0.0

    El transistor Mosfet IRF840N es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.

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  • Transistor Mosfet FTP23N10A

    $ 0.9

    El transistor Mosfet FTP23N10A es un transistor de canal N de 100V y 57A  es un dispositivo electrónico semiconductor. Permite el paso de una señal en respuesta a otra. Se puede configurar como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos como radios, televisores y computadoras. Habitualmente dentro de los llamados circuitos integrados.

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  • Transistor A2222 Y C6144

    $ 1.1

    El A2222 Y C6144 son transistores bipolares 2SA2222SG PNP y 2SC6144SG NPN . Soportan 50V y 10A, ideales para la board de la  Impresora Epson con un encapsulado TO220.

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  • Transistor IGBT 60T65

    $ 3.1

    El Transistor IGBT 60T65 es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-247 de 3 pines, soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 650V.

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  • Transistor Mosfet IRFB4115

    $ 0.9

    El Transistor Mosfet IRFB4115 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 150V a 104A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos conmutados y de alta frecuencia.

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  • Transistor FGH40N60SFD

    $ 2.3

    Este es un transistor de canal utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

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  • Transistor IGBT FGH60N60S

    $ 3.3

    El IGBT FGH60N60S es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.

     

     

     

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  • Transistor Mosfet 2N7000 X10

    $ 0.8

    El transistor Mosfet 2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida  de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.

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  • Transistor Mosfet IRFZ44N

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFZ44N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistores Mosfet Rd06

    $ 4.8

    Transistores Mosfet Rd06 es un dispositivo electrónico con una baja resistencia de encendido, rápida velocidad de conmutación y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones como amplificadores de potencia VHF/RF.

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  • Tiristor C106D SCR

    $ 0.4

    El Tiristor C106D SCR  soporta una tensión máxima de 400V, una corriente máxima de 4A y su encapsulado es TO-126. Diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, control de motores, controladores de compuerta para tiristores más grandes, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.

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  • Transitor IGBT K40H603

    $ 2.9

    El IGBT K40H603 es un transistor  de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 306 W. Viene en un encapsulado TO247.

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  • Transitor IGBT K75T60

    $ 2.4

    El IGBT K75T60 es un transistor  de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 428 W. Viene en un encapsulado TO247.

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  • Transistor Mosfet IRF840N

    $ 0.5

    El transistor Mosfet IRF840N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF640N

    $ 0.5

    El transistor Mosfet IRF640N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF540N

    $ 0.5

    El transistor Mosfet IRF540N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF530N

    $ 0.5

    El transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR3607

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR3806

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF6218

    $ 0.9

    El transistor Mosfet IRF6218 es un dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF3703

    $ 0.8

    El transistor Mosfet IRF3703 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF3708

    $ 0.6

    El transistor Mosfet IRF3708 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF3709

    $ 0.6

    El transistor Mosfet IRF3709 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRF3808

    $ 0.6

    El transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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  • Transistor Mosfet IRFR5410

    $ 0.4

    El transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.

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  • Transistor Mosfet AO4606

    $ 0.6

    El transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .

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  • Transistor Mosfet BSS138

    $ 0.1

    Es un transistor mosfet de efecto de campo de canal N diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y proporcionar un rendimiento de conmutación rapido, robusto, fiable y rápido. Este producto es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como el control de pequeños servomotores, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

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  • Transistor Mosfet FDN360P

    $ 0.4

    El FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.

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  • Transistor Mosfet IRFP460

    $ 1.6

    El transistor Mosfet IRFP460 es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentacion conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutacion de proposito general.

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  • Transistor Mosfet IRFP90N20D

    $ 1.9

    El transistor Mosfet IRFP90N20D es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.

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  • Transistor Mosfet IRFP260N

    $ 1.4

    El transistor Mosfet IRFP260N es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.

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  • Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC558B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad : 10 Transitores BC557B

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  • Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC557B 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad : 10 Transitores BC557B

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  • Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC556B 100mA 65V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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  • Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar BC559B 100mA 30V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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  • Transistor de empalme bipolar BC560C 100mA 50V BJT PNP X10

    $ 0.4

    Transistor de empalme bipolar BC560C 100mA 50V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

     

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  • Transistor de empalme bipolar 2N5401 500mA 160V BJT PNP

    $ 0.8

    Transistor de empalme bipolar 2N5401 500mA 160V BJT PNP Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  2N5401

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  • Transistor de empalme bipolar 2N5551 600mA 180V BJT NPN

    $ 0.8

    Transistor de empalme bipolar 2N5551 600mA 180V BJT NPN Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  2N5551

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  • Transistor de empalme bipolar 2N4401 600mA 60V BJT NPN

    $ 0.6

    Transistor de empalme bipolar 2N4401 NPN 600mA 60V BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  BC546B

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  • Transistor de empalme bipolar 2N4403 600mA 40V BJT PNP

    $ 0.3

    2N4403 Transistor BJT PNP -40V / -600mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP.

    Transistor de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW y  controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC

     

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  • Transistor de empalme bipolar BC546B BJT NPN

    $ 0.5

    Transistor de empalme bipolar BC546B BJT NPN utilizado para los fines de empalme Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  BC546B

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  • Transistor 2N2907 BJT PNP -60V / -600mA x 10

    $ 0.3

    El 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP utilizado para los fines generales de amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación. Está diseñado para la baja de corriente media, baja potencia, de media tensión, y puede operar a moderadamente altas velocidades.

    Cantidad: 10 transistores  2N2907

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  • Transistor TIP29C BJT NPN de potencia 100V 1A

    $ 0.4

    TIP29C Transistor BJT NPN 100V  1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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  • Transistor TIP30C BJT PNP de potencia 100V 1A

    $ 0.4

    TIP30C Transistor BJT PNP 100V / 1A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 30W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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  • Transistor TIP31C BJT NPN de potencia 100V 3A

    $ 0.3

    TIP31C Transistor BJT NPN 100V / 3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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  • Transistor TIP32C BJT PNP de potencia -100V -3A

    $ 0.4

    TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP.

    Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.

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