Transistor IGBT G50T65D
$ 1.5
6 disponibles
Transistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET) de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC
donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y conmutación.
Tiene un empaqueto TO247.
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor IGBT G50T65D
Características:
- Tipo de transistor: IGBT
- Temperatura máxima de unión (TJ): 175°C.
- Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo.
- Alta capacidad de corriente.
- Voltaje de saturación colector-emisor VCE(sat), typ:1.65V.
- Colector de Corriente Continua: 50A.
- Alta impedancia de entrada
- Conmutación rápida
- Este dispositivo no contiene Pb y cumple la directiva RoHS
- Máxima potencia disipada (Pc):87W
- Tiempo de subida (tr), typ:32 nS.
- Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Salida de pines:
Hoja de datos:
Aplicaciones:
- Inversores solares (conmutación de corriente y voltaje a una frecuencia muy alta).
- Sistema de alimentación ininterrumpida (proteger los aparatos electrónicos de los cortes de electricidad o de las subidas de tensión de la red eléctrica.)
- Soldadores.
- Telecomunicaciones.
- ESS (Comunicación digital).
- PFC (Corrección de factor de potencia).
Debes acceder para publicar una valoración.
Productos relacionados
-
Añadir al carritoEl Transistor 2SA2210 Y 2SC6082 son transistores bipolares PNP y NPN. Soportan 50V-20A y 50V-15A respectivamente.
-
Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
-
Añadir al carrito
TIP31C Transistor BJT NPN 100V / 3A TO-220 es un semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Este transistor es capaz de disipar hasta 40W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran tensiones de hasta 100VDC.
-
Añadir al carritoTIP41C Transistor BJT NPN 100V 6A TO-220, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN.
Capaz de disipar hasta 65W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 6A o que requieran tensiones de hasta 100VDC
-
Transistor 2N5551 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl 2N5551 es un transistor NPN de propósito general, diseñado para montaje por orificio pasante en un encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alta tensión de propósito general, también de switcheo y controladores de pantalla de descarga de gas.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.