Transistor IGBT G50T65D
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Transistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET) de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC
donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y conmutación.
Tiene un empaqueto TO247.
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor IGBT G50T65D
Características:
- Tipo de transistor: IGBT
- Temperatura máxima de unión (TJ): 175°C.
- Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo.
- Alta capacidad de corriente.
- Voltaje de saturación colector-emisor VCE(sat), typ:1.65V.
- Colector de Corriente Continua: 50A.
- Alta impedancia de entrada
- Conmutación rápida
- Este dispositivo no contiene Pb y cumple la directiva RoHS
- Máxima potencia disipada (Pc):87W
- Tiempo de subida (tr), typ:32 nS.
- Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
Salida de pines:
Hoja de datos:
Aplicaciones:
- Inversores solares (conmutación de corriente y voltaje a una frecuencia muy alta).
- Sistema de alimentación ininterrumpida (proteger los aparatos electrónicos de los cortes de electricidad o de las subidas de tensión de la red eléctrica.)
- Soldadores.
- Telecomunicaciones.
- ESS (Comunicación digital).
- PFC (Corrección de factor de potencia).
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