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Transistor MOSFET IRFBC40

$ 1.5

El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.

10 disponibles

Contenido:

  • 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFBC40

Características:

  • Tipo de FET: MOSFET
  • Polaridad de transistor: N
  • Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
  • Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
  • Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
  • Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
  •  Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm
  • Empaquetado / Estuche: TO220AB

Hoja de datos: IRFBC40

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