Transistor MOSFET IRFBC40
$ 1.5
El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFBC40
Características:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220AB
Hoja de datos: IRFBC40
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