Transistor Mosfet HY4008 Canal N
$ 3.2
Transistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.
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Transistor Mosfet HY4008 Canal N de potencia 80V 200A para aplicaciones de swicheo de alta potencia. Utilizado en gran medida en inversores, si se ensamblan varios correctamente se pueden obtener inversores con potencias superiores de 10kW
Cuando se aplica un voltaje positivo al terminal de la puerta, atrae electrones al canal, creando una capa de inversión y permitiendo que la corriente fluya entre los terminales de fuente y drenaje.
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor Mosfet HY4008 Canal N
Características:
- VDSS = 80V
- RDS(on) = 2,9mO
- ID = 200A.
- Tipo de FET: MOSFET
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 195 nC
- Tiempo de subida (tr): 18 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1029 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
- Temperatura de almacenamiento: Tstg = -55 a +175 °C
- Polaridad de transistor: N
- Empaquetado: TO-247
- Características máximas:
- Máxima disipación de potencia (Pd): 397 W
- Voltaje máximo drenador – fuente (Vds): 80 V
- Voltaje máximo fuente – puerta (Vgs): 25 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 200 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
Hoja de datos:
Salida de pines:
Aplicaciones:
- Swicheo de alta potencia
- Gestión de Energía para Sistemas Inversores.
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