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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor MOSFET IRF2805

$ 0.5

Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.

10 disponibles

Contenido:

  • 1 Unidad – Transistor MOSFET IRF2805

Características:

  • Polaridad del transistor: N
  • Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 55 V
  • Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
  • Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
  • Carga de la puerta (Qg): 150 nC
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1190 pF
  • Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0047 Ohm
  • Paquete: TO220AB

Hoja de datos: IRF2805

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SKU: C9-A7-A Categorías: , Etiquetas: , ,