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Mosfet
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Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Convertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.
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Transistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.
Encapsulado: TO-220-3
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Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
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El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.
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Mosfet FDA70N20 Canal N
$ 2.3Añadir al carritoEl Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.
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El Transistor Mosfet SVF23N50PN ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activado obteniendo tiempos de conmutación más cortos aumentando su eficiencia.
Se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor PWM de puente H, los cuales requieren una gran potencia con tiempos muy cortos.
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El Mosfet de potencia NCE80H11 cuenta con tiempos de conmutación muy cortos por lo cual es optimo para fuentes de conmutación de alta frecuencia. Cuenta con un excelente encapsulado el cual garantiza una correcta disipación de calor.
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El Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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El MMF60R360Q es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión de magnachip que puede tener muy baja resistencia de encendido y carga de puerta. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.
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El Transistor MOSFET IRF510 proporciona conmutación estable y eficiente en aplicaciones de potencia media. Ofrece manejo sencillo y encapsulado robusto.
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El Transistor MOSFET IRF520 ofrece conmutación eficiente y control confiable de potencia. Su encapsulado TO-220AB facilita disipación térmica.
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El Transistor MOSFET IRF720 ofrece conmutación eficiente en aplicaciones de alta tensión. Combina baja carga de compuerta y alta capacidad de disipación.
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El Transistor MOSFET BSS138LT1G ofrece conmutación eficiente de señal en formato SMD. Canal N, bajo consumo y alta confiabilidad para circuitos compactos.
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El Transistor IGBT 30F126 permite conmutación eficiente de alta corriente. Canal N, 330V y 200A, ideal para sistemas de potencia exigentes.
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El Transistor IGBT 30F124 ofrece conmutación eficiente de alta corriente. Soporta 300V y 200A, con encapsulado TO-220 y tecnología de sexta generación.
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El Transistor IGBT 30J127 permite conmutación de alta potencia con estabilidad y eficiencia. Soporta 600V y 200A en encapsulado TO-220.
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El Transistor IGBT 30J124 ofrece conmutación eficiente de alta potencia. Soporta 600V y 200A, con baja saturación y encapsulado TO-220.
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El Transistor Mosfet IRFR3707Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, maneja corrientes elevadas con excelente estabilidad térmica.
Es ideal para proyectos exigentes de electrónica de potencia. -
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El Transistor Mosfet IRFR4105Z garantiza conmutación eficiente y estable.
Además, maneja corrientes elevadas con bajas pérdidas por conducción.
Es ideal para electrónica de potencia y sistemas de control. -
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El Transistor Mosfet IRFR3709Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, maneja corrientes elevadas con mínima pérdida por conducción.
Es ideal para electrónica de potencia y control avanzado. -
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El Transistor Mosfet IRFR3711Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, soporta corrientes elevadas en encapsulado SMD.
Es ideal para etapas de potencia de alta velocidad. -
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El Transistor Mosfet IRFR3710Z proporciona conmutación rápida y eficiente.
Además, soporta alto voltaje y corriente en encapsulado SMD.
Es ideal para electrónica de potencia y control. -
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El Transistor Mosfet RD15HVF1 ofrece conmutación eficiente y confiable.
Además, soporta alta disipación de potencia y operación estable.
Ideal para proyectos electrónicos y aplicaciones de potencia. -
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El Transistor Mosfet IRFP9140 es un dispositivo P-Channel de alta potencia, confiable y eficiente, perfecto para control de energía y aplicaciones de conmutación rápida en electrónica.
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El transistor MOSFET IRF840 N-Channel soporta hasta 500V y 8A, ideal para fuentes conmutadas, inversores y sistemas de control de potencia de alta tensión.
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El transistor MOSFET IRF640N N-Channel ofrece alta tensión de trabajo y baja resistencia, ideal para fuentes conmutadas, inversores y controladores de potencia.
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El transistor MOSFET IRF540N N-Channel ofrece alta corriente y baja pérdida de conducción. Ideal para control de potencia, fuentes conmutadas y motores eléctricos.
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El transistor MOSFET IRF530N N-Channel ofrece alta eficiencia y baja resistencia, ideal para fuentes de poder, control de motores y aplicaciones de conmutación.
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El Transistor MOSFET IRFR3607 ofrece alta corriente, baja resistencia y conmutación rápida para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRFR3806 combina baja resistencia, rápida conmutación y alta fiabilidad para aplicaciones de potencia y control electrónico
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El Transistor MOSFET IRF6218 P-Canal combina alta tensión, baja resistencia y excelente disipación térmica para control y conmutación de potencia.
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El Transistor MOSFET IRF3703 ofrece ultra baja resistencia, alta capacidad de corriente y conmutación rápida para aplicaciones de potencia intensiva.
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El Transistor MOSFET IRF3708 ofrece alta corriente, baja RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRF3709 ofrece alta corriente, baja resistencia RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para fuentes de poder y controladores.
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El Transistor MOSFET IRF3808 combina baja resistencia RDS(on) y alta corriente para lograr máxima eficiencia en sistemas de potencia y conmutación rápida.
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El Transistor MOSFET IRFR5410 ofrece alta eficiencia, rápida conmutación y excelente capacidad de manejo de corriente para aplicaciones electrónicas exigentes.
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El Transistor MOSFET AO4606 combina canal N y P en un encapsulado SOIC-8, con 30V de voltaje de drenaje y 2W de disipación, ideal para circuitos de conmutación eficiente.
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El Transistor MOSFET FDN360P ofrece conmutación eficiente con 30V y 2A en encapsulado SMD, ideal para proyectos compactos de control y gestión de potencia.
