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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor MOSFET IGBT 20N60C3

$ 2.0

El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.

24 disponibles

Cantidad:

  • 1 unidad – Transistor MOSFET IGBT 20N60C3

Características:

  • Polaridad: Canal-N
  • VDS Tensión de la fuente de drenaje: 600V
  • VGS Tensión puerta-fuente: ±30V
  • ID Corriente de drenaje (continua Tc=25°C) = 20A
  • Disipación de potencia PD 208 W

Aplicaciones:

  • Control de motores
  • Fuentes de alimentación
  • Fuentes conmutadas

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SKU: C14-B-6 Categoría: Etiquetas: ,