Transistor MOSFET IGBT 20N60C3
$ 2.0
El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.
29 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor MOSFET IGBT 20N60C3
Características:
- Polaridad: Canal-N
- VDS Tensión de la fuente de drenaje: 600V
- VGS Tensión puerta-fuente: ±30V
- ID Corriente de drenaje (continua Tc=25°C) = 20A
- Disipación de potencia PD 208 W
Aplicaciones:
- Control de motores
- Fuentes de alimentación
- Fuentes conmutadas
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