Mosfet FDA70N20 Canal N
$ 2.1
El Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.
23 disponibles
Cantidad
- 1 unidad – Mosfet FDA70N20 Canal N
Características
- VDS Tensión de la fuente de drenaje: 200V
- VGS Tensión puerta-fuente: ±30V
- ID Corriente de drenaje (continua Tc=25°C) = 70A
- ID Corriente de drenaje (continua Tc=100°C) = 45A
Aplicación
- Corrección del factor de potencia.
- Fuentes conmutadas
Hoja de Datos
Debes acceder para publicar una valoración.
Productos relacionados
-
Leer másEste MOSFET de potencia está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Incluye protección contra ESD
-
Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
-
Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
-
MOSFET P DMP1045U-7 SMD
$ 0.3Leer másEste MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico
Incluye protección contra ESD
-
Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP260N es un componente eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada. Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento Gate.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.