Categoría: MOSFET
MOSFET
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Transistor Mosfet M3056 SMD
$ 3.500,0Añadir al carritoEl transistor MOSFET M3056 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3056, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor mosfet IRFB4227
$ 5.700,0Añadir al carritoEl IRFB4227PBF es un mosfet conmutador de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.
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Transistor mosfet P75NF75 Canal N
$ 2.900,0Añadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
$ 2.000,0Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFP150N
$ 6.500,0Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP150N son una ventaja de combinado con la rápida velocidad de conmutación y diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-247AC es el preferido para aplicaciones comerciales e industriales en …
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Transistor Mosfet IRFP4868
$ 35.000,0Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Regulador de voltaje XL4016
$ 10.000,0Añadir al carritoConvertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.
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Transistor Mosfet FTP11N60C
$ 3.000,0Añadir al carritoTransistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.
Encapsulado: TO-220-3
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Transistor Mosfet STN4NF20L
$ 2.500,0Añadir al carritoEste canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
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Transistor MOSFET IGBT 20N60C3
$ 8.000,0Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.
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Mosfet FDA70N20 Canal N
$ 8.500,0Añadir al carritoEl Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.
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Transistor Mosfet SVF23N50PN
$ 14.000,0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet SVF23N50PN ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activado obteniendo tiempos de conmutación más cortos aumentando su eficiencia.
Se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor PWM de puente H, los cuales requieren una gran potencia con tiempos muy cortos.
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Mosfet de potencia NCE80H11
$ 3.500,0Añadir al carritoEl Mosfet de potencia NCE80H11 cuenta con tiempos de conmutación muy cortos por lo cual es optimo para fuentes de conmutación de alta frecuencia. Cuenta con un excelente encapsulado el cual garantiza una correcta disipación de calor.
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Mosfet de potencia NCE80H12
$ 3.500,0Añadir al carritoEl Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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Mosfet de potencia NCE82H140
$ 4.000,0Añadir al carritoEl Mosfet de Potencia NCE82H140 esta diseñado para un tiempo de conmutación muy corto proporcionando una alta eficiencia en cada una de sus aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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Mosfet de potencia NCE80H15
$ 3.800,0Añadir al carritoEl Mosfet de Potencia NCE80H15 de Canal N esta diseñado para proporcionar una RDS baja, haciendo su tiempo de conmutación mas corto, brindando una alta eficiencia. Puede utilizarse en una gran variedad de aplicaciones.
Cuenta con un excelente encapsulado para garantizar una buena disipación de calor.
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Transistor Mosfet FTP03N06NA Canal N
$ 5.000,0Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP03N06NA es un dispositivo de canal N que controla la corriente eléctrica en aplicaciones con un máximo de 3 amperios y 60 voltios. Se utiliza en una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación, inversores y control de motores eléctricos.
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Transistor Mosfet FTP10N40C Canal N
$ 3.500,0Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP10N40C es un dispositivo de canal N diseñado para controlar la corriente eléctrica en aplicaciones electrónicas. Tiene una corriente máxima de 10 amperios y una tensión máxima de 400 voltios, lo que lo hace adecuado para conmutación y amplificación en diversas aplicaciones, como fuentes de alimentación conmutadas, inversores y control de motores eléctricos.
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Transistor Mosfet FTP1404 Canal N
$ 4.500,0Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
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Transistor Mosfet IRF740
$ 8.000,0Añadir al carritoEl transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
Estos transistores de efecto de campo de potencia en modo de realce de canal N se fabrican utilizando la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado encendido, proporcionando una conmutación superior y soportando impulsos de alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y balastos electrónicos de lámparas basados en medio puente.
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El transistor Mosfet 6N65K3 permite conmutación y amplificación de alta potencia.
Además, soporta hasta 650 V y 5.4 A, con disipación de 30 W.
Por lo tanto, es ideal para fuentes de alimentación y circuitos de potencia. -
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El Transistor MOSFET IRF510 proporciona conmutación estable y eficiente en aplicaciones de potencia media. Ofrece manejo sencillo y encapsulado robusto.
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El Transistor MOSFET IRF520 ofrece conmutación eficiente y control confiable de potencia. Su encapsulado TO-220AB facilita disipación térmica.
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Transistor MOSFET Canal N 400V TO-220
$ 1.800,0Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IRF720 ofrece conmutación eficiente en aplicaciones de alta tensión. Combina baja carga de compuerta y alta capacidad de disipación.
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El Transistor MOSFET BSS138LT1G ofrece conmutación eficiente de señal en formato SMD. Canal N, bajo consumo y alta confiabilidad para circuitos compactos.
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El Transistor IGBT 30F126 permite conmutación eficiente de alta corriente. Canal N, 330V y 200A, ideal para sistemas de potencia exigentes.
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Transistor IGBT 30F124 300V 200A TO-220
$ 5.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30F124 ofrece conmutación eficiente de alta corriente. Soporta 300V y 200A, con encapsulado TO-220 y tecnología de sexta generación.
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Transistor IGBT 30J127 600V 200A TO-220
$ 5.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J127 permite conmutación de alta potencia con estabilidad y eficiencia. Soporta 600V y 200A en encapsulado TO-220.
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Transistor IGBT 30J124 600V 200A TO-220
$ 3.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J124 ofrece conmutación eficiente de alta potencia. Soporta 600V y 200A, con baja saturación y encapsulado TO-220.
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El Transistor Mosfet IRFR3707Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, maneja corrientes elevadas con excelente estabilidad térmica.
Es ideal para proyectos exigentes de electrónica de potencia. -
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El Transistor Mosfet IRFR4105Z garantiza conmutación eficiente y estable.
Además, maneja corrientes elevadas con bajas pérdidas por conducción.
Es ideal para electrónica de potencia y sistemas de control. -
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El Transistor Mosfet IRFR3711Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, soporta corrientes elevadas en encapsulado SMD.
Es ideal para etapas de potencia de alta velocidad. -
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El Transistor Mosfet IRFR3710Z proporciona conmutación rápida y eficiente.
Además, soporta alto voltaje y corriente en encapsulado SMD.
Es ideal para electrónica de potencia y control. -
Transistor Mosfet RD15HVF1 N 30V 4A TO-220S
$ 38.000,0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet RD15HVF1 ofrece conmutación eficiente y confiable.
Además, soporta alta disipación de potencia y operación estable.
Ideal para proyectos electrónicos y aplicaciones de potencia. -
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El transistor MOSFET IRF540N N-Channel ofrece alta corriente y baja pérdida de conducción. Ideal para control de potencia, fuentes conmutadas y motores eléctricos.
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El Transistor MOSFET IRF3703 ofrece ultra baja resistencia, alta capacidad de corriente y conmutación rápida para aplicaciones de potencia intensiva.
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