Transistor MOSFET IRFP350
$ 2.8
Transistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
10 disponibles
- Número de Parte: IRFP350
- Tipo de FET: MOSFET
- Empaquetado:TO247AC
- Polaridad de transistor: N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 400 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 150(max) nC
- Tiempo de subida (tr): 49 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 660 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Hoja de datos:IRFP350
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