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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor MOSFET IRFP9240

$ 3.1

Los MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.

10 disponibles

  • Referencia: IRFP9240
  • Tipo de FET: MOSFET
  • Empaquetado: TO-247AC
  • Polaridad de transistor: P
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
  • Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 200 V
  • Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
  • Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
  • Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
  • Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
  • Carga de la puerta (Qg): 90(max) nC
  • Tiempo de subida (tr): 15(max) nS
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450(max) pF
  • Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm

Hoja de datos:IRFP9240

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SKU: C16-C1-B Categoría: Etiquetas: , ,