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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor MOSFET IRFP140N

$ 2.7

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

10 disponibles

  • Referencia: IRFP140N
  • Tipo de FET: MOSFET
  • Polaridad de transistor: N
  • Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
  • Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V
  • Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
  • Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
  • Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
  • Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
  • Carga de la puerta (Qg): 94(max) nC
  • Tiempo de subida (tr): 39 nS
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
  • Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.052 Ohm

Hoja de datos: IRFP140N

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