Transistor MOSFET IRFB3306
$ 1.4
El transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFB3306
Características:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 230 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 60 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 160 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 85 nC
- Tiempo de subida (tr): 76 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0042 Ohm
- Paquete: TO220AB
Hoja de datos: irfb3306
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