Etiqueta: Transistor
Transistor
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Triodo Transistor 2SA1020
$ 400,0 +IVAAñadir al carritoEl 2SA1020 es un transistor bipolar PNP de pequeña señal diseñado para diversas aplicaciones, que presenta una corriente de colector continua (I(C)) de 2 A y una tensión de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO) de 50 V. Construido a partir de silicio, este transistor utiliza un solo elemento dentro de su diseño. Viene empaquetado en una configuración TO-92, lo que garantiza una fácil integración en una amplia gama de circuitos electrónicos.
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Transistor NPN BUV48A
$ 3.800,0 +IVAAñadir al carritoEl Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.
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Transistor MOSFET IRFB3607
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoEl transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB4310
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoEl transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB3006
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoEl transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
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Transistor MOSFET IRFB3306
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoEl transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Transistor MOSFET IRFB4110
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoTransistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRFB3077
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoEste MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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Tiristor SCR TYN1225
$ 6.100,0 +IVAAñadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
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Tiristor SCR TYN610
$ 6.000,0 +IVAAñadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
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Transistor Mosfet IRFP4242
$ 17.700,0 +IVAAñadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
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Transistor Mosfet FSW25N50A
$ 5.400,0 +IVAAñadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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Transistor MOSFET IRFBC40
$ 5.800,0 +IVAAñadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Transistor MOSFET IRF1407
$ 4.700,0 +IVAAñadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF2805
$ 4.400,0 +IVAAñadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF1405
$ 4.300,0 +IVAAñadir al carritoCuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRF1312
$ 5.000,0 +IVAAñadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Transistor mosfet MMD60R360P SMD
$ 3.000,0 +IVAAñadir al carritoTransistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.
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Transistor IGBT MGD623S
$ 9.000,0 +IVA -
Transistor Mosfet HY4008 Canal N
$ 12.600,0 +IVAAñadir al carritoTransistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.
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Transistor Mosfet M3056 SMD
$ 3.500,0 +IVAAñadir al carritoEl transistor MOSFET M3056 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3056, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor mosfet IRFB4227
$ 5.700,0 +IVAAñadir al carritoEl IRFB4227PBF es un mosfet conmutador de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.
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Transistor mosfet P75NF75 Canal N
$ 2.900,0 +IVAAñadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
$ 2.000,0 +IVAAñadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.


























