Etiqueta: Transistor
Transistor
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Transistor SS8050 TO-92
$ 1.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl Transistor SS8050 es un NPN de propósito general en encapsulado TO-92, con capacidad de corriente de 1.5A y bajo consumo, perfecto para amplificación y conmutación.
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AO3400/AO3401/AO3402 MOSFET SOT-23
$ 500,0 sin IVASeleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoEl MOSFET AO3400 y sus versiones AO3401/AO3402 en encapsulado SOT-23 son transistores de efecto de campo diseñados para aplicaciones SMD, con alta eficiencia y versatilidad.
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IRF630N MOSFET DIP TO-220
$ 4.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl IRF630N MOSFET DIP TO-220 ofrece alta capacidad de corriente, baja resistencia Rds(on) y excelente disipación térmica, siendo perfecto para proyectos de potencia y control electrónico.
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MOSFET IRFZ24N IRFZ24 TO-220
$ 1.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl MOSFET IRFZ24N IRFZ24 TO-220 ofrece bajo Rds(on), alta capacidad de corriente y buena disipación térmica, lo que lo convierte en un componente confiable para proyectos de potencia.
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MOSFET FGA25N120AN TO-3P
$ 12.800,0 sin IVAAñadir al carritoEl MOSFET FGA25N120AN TO-3P combina alta eficiencia, confiabilidad y capacidad de manejo de potencia, siendo una excelente opción para aplicaciones industriales exigentes.
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MOSFET IRF3205S Canal N SOT 263
$ 3.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl MOSFET IRF3205S Canal N en encapsulado SOT-263 combina alta capacidad de corriente, baja resistencia y montaje SMD, perfecto para aplicaciones de potencia.
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MOSFET K4107 N-Channel TO-220
$ 11.500,0 sin IVAAñadir al carritoMOSFET K4107 N-Channel TO-220 para aplicaciones de alta potencia. Ofrece baja resistencia interna y alta capacidad de conmutación en fuentes, controladores y sistemas industriales.
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Transistor SPA11N80 TO-220 11N80
$ 1.800,0 sin IVAAñadir al carritoEl transistor SPA11N80 TO-220 11N80 es un MOSFET de alta tensión diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia y confiabilidad en el manejo de cargas eléctricas.
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Transistor MOSFET FQPF8N60C
$ 5.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl FQPF8N60C es un MOSFET N-Channel de 600V y 8A, diseñado para conmutación eficiente en aplicaciones de alta potencia y rendimiento confiable.
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Transistor BC817-25 6B SMD NPN
$ 600,0 sin IVAAñadir al carritoEl transistor BC817-25 6B es un dispositivo SMD NPN versátil, diseñado para amplificación y conmutación en una amplia gama de aplicaciones electrónicas.
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MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N
$ 8.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl MOSFET de Potencia 6R125P (IPP60R125CP) de Canal N es un transistor diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 650V y una corriente de drenaje continua de 25A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido …
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Transistor TIP36C PNP
$ 9.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl Transistor TIP36C PNP es un dispositivo de alta potencia diseñado para manejar cargas de hasta 125W y 25A. Ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación, con encapsulado TO-247.
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Transistor TIP35C NPN
$ 9.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl Transistor TIP35C NPN es un dispositivo de alta potencia que soporta hasta 125W y 25A, ideal para amplificación y conmutación en electrónica de potencia. Viene en un encapsulado TO-247.
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Transistor TIP147 PNP
$ 10.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl Transistor TIP147 PNP es un dispositivo de alta potencia, con capacidad de disipar hasta 125W y corriente máxima de 10A, diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en electrónica de potencia.
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Transistor TIP142 NPN
$ 10.000,0 sin IVAAñadir al carritoEl Transistor TIP142 NPN es un transistor de potencia con capacidad de 125W y corriente máxima de 10A, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
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Triac BT139 600V 16A
$ 2.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl TRIAC BT139 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 16A y voltajes de hasta 600V, el BT139 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT138 600V 12A
$ 2.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl TRIAC BT138 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 12A y voltajes de hasta 600V, el BT138 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Triac BT137 600V 8A
$ 2.500,0 sin IVAAñadir al carritoEl TRIAC BT137 es un dispositivo semiconductor de potencia ampliamente utilizado en aplicaciones de control de corriente alterna (AC). Diseñado para manejar corrientes de hasta 8A y voltajes de hasta 600V, el BT137 es especialmente adecuado para el control de carga resistiva e inductiva en circuitos de baja potencia y aplicaciones de conmutación de AC.
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Transistor MOSFET M3054M
$ 1.200,0 sin IVAAñadir al carritoEl transistor MOSFET M3046 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3054, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor MOSFET M3058M
$ 1.200,0 sin IVAAñadir al carritoTransistor Mosfet M3056 SMD de canal N de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON
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Transistor MOSFET M3052M
$ 1.200,0 sin IVAAñadir al carritoEl QM3052M6 se destaca como un MOSFET de canal N de vanguardia, reconocido por su excepcional rendimiento y una densidad de celda sin precedentes. Diseñado para brindar una eficiencia superior en una amplia gama de aplicaciones de convertidores reductores síncronos, este dispositivo ofrece una baja resistencia de encendido (RdsON) y una carga de compuerta optimizada. Su combinación de características lo posiciona como una opción líder para sistemas que requieren un alto nivel de eficiencia y fiabilidad en la conversión de energía.
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Transistor Mosfet IRFP360
$ 10.900,0 sin IVAAñadir al carritoEl transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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Transistor MOSFET IRFP350
$ 11.100,0 sin IVAAñadir al carritoTransistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
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Transistor MOSFET IRFP9240
$ 12.400,0 sin IVAAñadir al carritoLos MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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Transistor MOSFET IRFP140N
$ 13.500,0 sin IVAAñadir al carritoLos HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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