Categoría: Transistores
Transistores
Mostrando 151–175 de 255 resultadosOrdenado por los últimos
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Tiristor SCR TYN812
$ 6.700,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
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Transistor Mosfet IRFP4242
$ 17.700,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
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Transistor Mosfet FSW25N50A
$ 5.600,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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Transistor MOSFET IRFBC40
$ 5.800,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Transistor MOSFET IRF1407
$ 4.700,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF2805
$ 4.400,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF1312
$ 5.000,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5.700,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Transistor mosfet P75NF75 Canal N
$ 2.900,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
$ 2.300,0 +IVA3 disponibles
Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor IGBT G50T65D
$ 10.900,0 +IVA47 disponibles
Añadir al carritoTransistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET) de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de …
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Transistor bipolar GB8204NG
$ 9.000,0 +IVA11 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.
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Transistor Mosfet FTP1404 Canal N
$ 4.500,0 +IVA11 disponibles
Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
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Transistor 2SC2073 NPN
$ 3.400,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl transistor 2SC2073 está diseñado para su uso en amplificadores de potencia de propósito general y aplicación de salida vertical.
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Transistor 2SA940 PNP
$ 3.400,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SA940 es un transistor de silicio complementario PNP de -150 V diseñado para amplificación de potencia de desviación vertical, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.
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Transistor 2SC2238 NPN
$ 4.400,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoTransistor 2SC2238 Tipo T es un transistor NPN de silicio diseñado para su uso en aplicaciones de salida vertical de TV.- Complemento 2SA968
- Aplicaciones: Amplificador de potencia y amplificador de etapa del conductor
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Transistor 2SA968 PNP
$ 4.400,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl transistor 2SA968 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de amplificación de alta potencia.
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Transistor 2SC2562 NPN
$ 4.000,0 +IVA7 disponibles
Añadir al carritoEl transistor 2SC2562 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
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Transistor 2SA1012 PNP
$ 4.000,0 +IVA1 disponibles
Añadir al carritoEl transistor 2SA1012 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
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Transistor Mosfet 60R360Q
$ 5.900,0 +IVA23 disponibles
Añadir al carritoEl MMF60R360Q es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión de magnachip que puede tener muy baja resistencia de encendido y carga de puerta. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.
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Transistor Mosfet MGD622
$ 11.400,0 +IVA3 disponibles
Añadir al carritoEl MGD622 de 600V, tiene estructura de zanja original de Sanken que reduce la capacitancia de la puerta y logra una conmutación de alta velocidad y una reducción de la pérdida de conmutación.
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Transistor de potencia NJW0302G
$ 7.500,0 +IVA50 disponibles
Añadir al carritoEl NJW0302G es un transistor de potencia bipolar complementario PNP con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento de área de operación segura. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales
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Transistor Mosfet 80NF70
$ 7.500,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl transistor Mosfet 80NF70 es un MOSFET de potencia de canal N, que se ha diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la de puerta. Por lo tanto, el dispositivo es adecuado para aplicaciones avanzadas de conmutación de alta eficiencia.
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Transistor de Potencia NJW0281G
$ 7.500,0 +IVA80 disponibles
Añadir al carritoEl transistor de Potencia NJW0281G, es un transistor de potencia bipolar NPN con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento seguro en el área de operación. Este transistor es ideal para etapas de salida de amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales.
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