Categoría: Transistores
Transistores
Mostrando 76–100 de 192 resultadosOrdenado por los últimos
-
Tiristor SCR TYN208
$ 6.000,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEl Tiristor SCR TYN208 de la familia de rectificadores controlados por silicio de uso general está diseñado para fuentes de alimentación de hasta 400 Hz con carga resistiva o inductiva. El Tiristor SCR TYN208 con un voltaje pico máximo en estado de 200V
-
Transistor MOSFET IRFB3607
$ 5.700,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
-
Transistor MOSFET IRFB4310
$ 5.700,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
-
Transistor MOSFET IRFB3006
$ 5.700,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
-
Transistor MOSFET IRFB3306
$ 5.700,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
-
Transistor MOSFET IRFB4110
$ 5.700,0 +IVA41 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
-
Transistor MOSFET IRFB3077
$ 5.700,0 +IVA50 disponibles
Añadir al carritoEste MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
-
Tiristor SCR TYN825
$ 6.000,0 +IVA12 disponibles
Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.
-
Tiristor SCR TYN816
$ 6.000,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Tiristor SCR TYN816 de la serie estándar TN16 / TYNx16 de 16 A es adecuada para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.
-
Tiristor SCR TYN612
$ 5.000,0 +IVA7 disponibles
Añadir al carritoTYN612 SCR Tiristor 600V – 12A TO-220, diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, electrodomésticos, control de motores, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.
-
Tiristor SCR TYN1225
$ 6.100,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
-
Tiristor SCR TYN610
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
-
Tiristor SCR TYN812
$ 6.700,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
-
Transistor Mosfet IRFP4242
$ 17.700,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
-
Transistor Mosfet FSW25N50A
$ 5.400,0 +IVA12 disponibles
Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
-
Transistor MOSFET IRFBC40
$ 5.800,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
-
Transistor MOSFET IRF1407
$ 4.700,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
-
Transistor MOSFET IRF2805
$ 4.400,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
-
Transistor MOSFET IRF1312
$ 5.000,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
-
Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5.700,0 +IVA11 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
-
-
Transistor mosfet P75NF75 Canal N
$ 2.900,0 +IVA18 disponibles
Añadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
-
Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
$ 2.000,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
-
Transistor IGBT G50T65D
$ 10.900,0 +IVA31 disponibles
Añadir al carritoTransistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET) de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de …
-
Transistor bipolar GB8204NG
$ 9.000,0 +IVA16 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.
Productos Destacados
-
Módulo Fuente de Alimentación Aislada AC-DC 12V 300mA 3.5W
$ 8.000,0 +IVA
-
Kit de 45 sensores para Arduino
$ 153.000,0 +IVA
-
Adaptador Enchufe Americano Compacto para Viaje
$ 5.500,0 +IVA
