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Categoría: Transistores

Transistores

  • Tiristor SCR TYN816

    Tiristor SCR TYN816

    $ 6.000,0 +IVA

    8 disponibles

    El Tiristor SCR TYN816 de la serie estándar TN16 / TYNx16 de 16 A es adecuada para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.

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  • Tiristor SCR TYN612

    Tiristor SCR TYN612

    $ 5.000,0 +IVA

    7 disponibles

    TYN612 SCR Tiristor 600V – 12A TO-220, diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, electrodomésticos, control de motores, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.

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  • Tiristor SCR TYN1225

    Tiristor SCR TYN1225

    $ 6.100,0 +IVA

    9 disponibles

    Estos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.

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  • Tiristor SCR TYN610

    Tiristor SCR TYN610

    $ 6.000,0 +IVA

    10 disponibles

    Los rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.

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  • Tiristor SCR TYN812

    Tiristor SCR TYN812

    $ 6.700,0 +IVA

    10 disponibles

    El  SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

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  • Transistor Mosfet IRFP4242

    Transistor Mosfet IRFP4242

    $ 17.700,0 +IVA

    8 disponibles

    El Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.

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  • Transistor Mosfet FSW25N50A

    12 disponibles

    Transistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC

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  • Transistor MOSFET IRFBC40

    Transistor MOSFET IRFBC40

    $ 5.800,0 +IVA

    9 disponibles

    El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.

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  • Transistor MOSFET IRF1407

    Transistor MOSFET IRF1407

    $ 4.700,0 +IVA

    15 disponibles

    Diseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.

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  • Transistor MOSFET IRF2805

    Transistor MOSFET IRF2805

    $ 4.400,0 +IVA

    30 disponibles

    Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.

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  • Transistor MOSFET IRF1312

    Transistor MOSFET IRF1312

    $ 5.000,0 +IVA

    27 disponibles

    Transistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.

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  • Transistor MOSFET IRFB3207

    11 disponibles

    Transistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.

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  • Transistor IGBT MGD623S

    Transistor IGBT MGD623S

    $ 9.000,0 +IVA

    27 disponibles

    Transistor IGBT MGD623S con un VCE= 600V e IC= 50V

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  • Transistor mosfet P75NF75 Canal N

    18 disponibles

    Transistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V.  Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.

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  • Transistor Mosfet IRF1404 Canal N

    5 disponibles

    Transistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

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  • Transistor IGBT G50T65D

    Transistor IGBT G50T65D

    $ 10.900,0 +IVA

    11 disponibles

    Transistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET)  de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de …

    Transistor IGBT G50T65DLeer más

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  • Transistor bipolar GB8204NG

    16 disponibles

    El Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.

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  • Transistor Mosfet FTP1404 Canal N

    11 disponibles

    El transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.

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  • Transistor 2SC2073 NPN

    Transistor 2SC2073 NPN

    $ 3.400,0 +IVA

    10 disponibles

    El transistor 2SC2073 está diseñado para su uso en amplificadores de potencia de propósito general y aplicación de salida vertical.

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  • Transistor 2SA940 PNP

    Transistor 2SA940 PNP

    $ 3.400,0 +IVA

    10 disponibles

    El 2SA940 es un transistor de silicio complementario PNP de -150 V diseñado para amplificación de potencia de desviación vertical, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.

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  • Transistor 2SC2238 NPN

    Transistor 2SC2238 NPN

    $ 4.400,0 +IVA

    10 disponibles

    Transistor 2SC2238 Tipo T es un transistor NPN de silicio  diseñado para su uso en aplicaciones de  salida vertical de TV.
    • Complemento 2SA968
    • Aplicaciones: Amplificador de potencia y amplificador de etapa del conductor
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  • Transistor 2SA968 PNP

    Transistor 2SA968 PNP

    $ 4.400,0 +IVA

    10 disponibles

    El transistor 2SA968 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de amplificación de alta potencia.

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  • Transistor 2SC2562 NPN

    Transistor 2SC2562 NPN

    $ 4.000,0 +IVA

    10 disponibles

    El transistor 2SC2562 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.

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  • Transistor 2SA1012 PNP

    Transistor 2SA1012 PNP

    $ 4.000,0 +IVA

    4 disponibles

    El transistor 2SA1012 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.

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  • Transistor Mosfet 60R360Q

    Transistor Mosfet 60R360Q

    $ 5.900,0 +IVA

    Pregúntanos

    El MMF60R360Q es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión de magnachip que puede tener muy baja resistencia de encendido y carga de puerta. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.

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