Categoría: Transistores
Transistores
Mostrando 81–120 de 187 resultadosOrdenado por los últimos
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Tiristor SCR TYN1225
$ 6.100,0Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
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Tiristor SCR TYN610
$ 6.000,0Añadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
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Tiristor SCR TYN812
$ 6.700,0Añadir al carritoEl SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
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Transistor Mosfet IRFP4242
$ 17.700,0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
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Transistor Mosfet FSW25N50A
$ 5.400,0Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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Transistor MOSFET IRFBC40
$ 5.800,0Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Transistor MOSFET IRF1407
$ 4.700,0Añadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF2805
$ 4.400,0Añadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF1312
$ 5.000,0Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5.700,0Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Transistor IGBT MGD623S
$ 9.000,0 -
Transistor mosfet P75NF75 Canal N
$ 2.900,0Añadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
$ 2.000,0Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor IGBT G50T65D
$ 10.900,0Añadir al carritoTransistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET) de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de …
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Transistor bipolar GB8204NG
$ 9.000,0Añadir al carritoEl Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.
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Transistor Mosfet FTP1404 Canal N
$ 4.500,0Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
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Transistor 2SC2073 NPN
$ 3.400,0Añadir al carritoEl transistor 2SC2073 está diseñado para su uso en amplificadores de potencia de propósito general y aplicación de salida vertical.
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Transistor 2SA940 PNP
$ 3.400,0Añadir al carritoEl 2SA940 es un transistor de silicio complementario PNP de -150 V diseñado para amplificación de potencia de desviación vertical, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.
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Transistor 2SC2238 NPN
$ 4.400,0Añadir al carritoTransistor 2SC2238 Tipo T es un transistor NPN de silicio diseñado para su uso en aplicaciones de salida vertical de TV.- Complemento 2SA968
- Aplicaciones: Amplificador de potencia y amplificador de etapa del conductor
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Transistor 2SA968 PNP
$ 4.400,0Añadir al carritoEl transistor 2SA968 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de amplificación de alta potencia.
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Transistor 2SC2562 NPN
$ 4.000,0Añadir al carritoEl transistor 2SC2562 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
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Transistor 2SA1012 PNP
$ 4.000,0Añadir al carritoEl transistor 2SA1012 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
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Transistor Mosfet 60R360Q
$ 5.900,0Añadir al carritoEl MMF60R360Q es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión de magnachip que puede tener muy baja resistencia de encendido y carga de puerta. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.
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Transistor Mosfet MGD622
$ 11.400,0Añadir al carritoEl MGD622 de 600V, tiene estructura de zanja original de Sanken que reduce la capacitancia de la puerta y logra una conmutación de alta velocidad y una reducción de la pérdida de conmutación.
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Transistor de potencia NJW0302G
$ 7.500,0Añadir al carritoEl NJW0302G es un transistor de potencia bipolar complementario PNP con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento de área de operación segura. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales
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Transistor Mosfet 80NF70
$ 7.500,0Añadir al carritoEl transistor Mosfet 80NF70 es un MOSFET de potencia de canal N, que se ha diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la de puerta. Por lo tanto, el dispositivo es adecuado para aplicaciones avanzadas de conmutación de alta eficiencia.
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Transistor de Potencia NJW0281G
$ 7.500,0Añadir al carritoEl transistor de Potencia NJW0281G, es un transistor de potencia bipolar NPN con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento seguro en el área de operación. Este transistor es ideal para etapas de salida de amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales.
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Transistor PNP 2SB817 Alta Corriente
$ 4.700,0Añadir al carritoEl transistor PNP 2SB817 ofrece alta corriente y respuesta rápida en frecuencias elevadas.
Además, soporta tensiones de hasta 160V base-colector y 140V emisor-colector.
Por lo tanto, resulta ideal para amplificación y conmutación de potencia en electrónica avanzada. -
Transistor NPN 2SD1047 Alta Corriente
$ 4.700,0Añadir al carritoEl transistor NPN 2SD1047 ofrece alta corriente y disipación de potencia confiable.
Además, soporta tensiones elevadas en colector-base y colector-emisor.
Por lo tanto, es ideal para aplicaciones de amplificación y conmutación de potencia. -
Transistor PNP 2SB1369 Potencia Media
$ 2.500,0Añadir al carritoEl transistor PNP 2SB1369 ofrece conmutación y amplificación confiable.
Además, soporta alta corriente y elevada disipación de potencia.
Por lo tanto, resulta adecuado para aplicaciones electrónicas exigentes. -
Transistor NPN 2SD2061 Potencia Media
$ 2.500,0Añadir al carritoEl transistor NPN 2SD2061 ofrece conmutación y amplificación confiable.
Además, soporta alta corriente y disipación de potencia.
Por lo tanto, resulta adecuado para aplicaciones electrónicas exigentes. -
IC Power E09A92GA SOP24
$ 29.000,0Añadir al carritoEl IC Power E09A92GA gestiona la alimentación en placas lógicas de impresoras.
Además, ofrece integración precisa en encapsulado SOP24.
Por lo tanto, resulta ideal para reparación electrónica especializada. -
Transistor NPN 2SC945 TO-92
$ 200,0Añadir al carritoEl Transistor 2SC945 NPN ofrece conmutación y amplificación confiables en encapsulado TO-92.
Además, soporta tensiones moderadas y buena respuesta en alta frecuencia.
Por lo tanto, resulta adecuado para diseños electrónicos compactos y estables. -
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El Transistor MOSFET IRF510 proporciona conmutación estable y eficiente en aplicaciones de potencia media. Ofrece manejo sencillo y encapsulado robusto.
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El Transistor MOSFET IRF520 ofrece conmutación eficiente y control confiable de potencia. Su encapsulado TO-220AB facilita disipación térmica.
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Transistor MOSFET Canal N 400V TO-220
$ 1.800,0Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IRF720 ofrece conmutación eficiente en aplicaciones de alta tensión. Combina baja carga de compuerta y alta capacidad de disipación.
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El Transistor MOSFET BSS138LT1G ofrece conmutación eficiente de señal en formato SMD. Canal N, bajo consumo y alta confiabilidad para circuitos compactos.
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Transistor NPN MMBT8050 SOT-23
$ 100,0Añadir al carritoEl Transistor MMBT8050 NPN ofrece amplificación y conmutación eficiente en formato SOT-23. Ideal para circuitos compactos y aplicaciones electrónicas generales.
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El Transistor IGBT 30F126 permite conmutación eficiente de alta corriente. Canal N, 330V y 200A, ideal para sistemas de potencia exigentes.
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Transistor IGBT 30F124 300V 200A TO-220
$ 5.000,0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30F124 ofrece conmutación eficiente de alta corriente. Soporta 300V y 200A, con encapsulado TO-220 y tecnología de sexta generación.
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Módulo Fuente de Alimentación Aislada AC-DC 12V 300mA 3.5W
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