Categoría: Transistores
Transistores
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Transistor 2SC945 NPN
$ 200.0Añadir al carritoEl transistor 2SC945 de pequeña señal diseñado para el uso en aplicaciones de etapa de manejo del amplificador AF y conmutación de baja velocidad.
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Transistor MOSFET IRF510
$ 1,900.0Añadir al carritoEl transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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Transistor Mosfet Irf520
$ 1,800.0Añadir al carritoEl transistor IRF750 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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Transistor MOSFET IRF720
$ 1,800.0Añadir al carritoEste transistor de potencia de categoría MOSFET, tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS. Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Este dispositivo está bien adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y dispositivos electrónicos como lámparas basados en medio puente.
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Transistor MOSFET BSS138LT1G
$ 200.0Añadir al carritoLas aplicaciones típicas son convertidores DC a DC, distribución de energía en productos portátiles y alimentados por batería como computadoras, impresoras, teléfonos celulares y algunos dispositivos inalámbricos.
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Transistor MMBT8050 NPN
$ 100.0Añadir al carritoMMTB8050 es un transistor de silicio epitaxial de montaje en superficie NPN con baja tensión, alta intensidad y pequeña señal. El dispositivo está diseñado para amplificadores de audio y aplicaciones de uso general.
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Transistor MOSFET IGBT 30F126
$ 2,700.0Añadir al carritoIGBT 30F126 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 330V.
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Transistor MOSFET IGBT 30F124
$ 5,000.0Añadir al carritoIGBT 30F124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 300V.
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Transistor MOSFET IGBT 30J127
$ 5,000.0Añadir al carritoIGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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Transistor MOSFET IGBT 30J124
$ 3,000.0Añadir al carritoIGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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Transistor 2SD2012 NPN
$ 2,000.0Añadir al carritoEs un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
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Transistor 2SD1415 NPN
$ 2,500.0Añadir al carritoAplicaciones de conmutación de alta potencia, también cuenta con accionamiento de martillo enfocado para el uso de accionamiento de motor de impulsos
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Transistor 2SD2058 NPN
$ 2,500.0Añadir al carritoTransistor de propósito general, unión bipolar tipo PNP , su uso depende de como se configure ya sea para conmutación o amplificación.
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Transistor 2SD1594 NPN
$ 5,900.0Añadir al carritoFunciona como Amplificador de potencia de baja frecuencia y como conmutador de alta velocidad en uso industrial
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Fuente de Corriente Ajustable LM334Z
$ 5,000.0Añadir al carritoFuente de Corriente Ajustable LM334Z es un dispositvo electrónico tipo through hole de tres terminales que proporciona una fuente de corriente con un rango de corriente de operación de 10000:1 manteniendo excelente regulación de corriente en un amplio rango de voltaje de operación. En la Fuente de Corriente Ajustable LM334Z la mínima funcionalidad se obtiene con una simple resitencia externa para establecer la corriente y no se requieren componentes electrónicos adicionales.
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Transistor Mosfet IRFP9140
$ 6,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFP9140 es un componente eléctrico de canal P que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutación de propósito general.
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Transistor 2SA2210 Y 2SC6082
$ 4,500.0Añadir al carritoEl Transistor 2SA2210 Y 2SC6082 son transistores bipolares PNP y NPN. Soportan 50V-20A y 50V-15A respectivamente.
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Transistor 2N5460 JFET Canal P
$ 2,000.0Añadir al carritoLos 2N5460 son transistores JFET de canal P de silicio diseñados para aplicaciones de amplificadores de bajo nivel. además de poder implementarse en aplicaciones de propósito general, siendo diseñado principalmente para audio de bajo nivel y también aplicaciones de alta impedancia.
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Transistor 2N5457 JFET CANAL N 25V 10MA
$ 3,000.0Añadir al carritoEl 2N5457 está diseñado para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. Además cuenta con una capacidad de 10mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.
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Transistor 2n6027
$ 900.0Añadir al carritoEl 2N6027 es un transistor de unijuntura programable (PUT), estos dispositivos también se pueden utilizar en tiristores especiales. Se encuentra en un paquete de plástico TO-92 económico para requisitos de alto volumen,este paquete es fácilmente adaptable para su uso.
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Transistor 2N3904 NPN
$ 300.0Añadir al carritoEl 2N3904 es un transistor NPN el cual está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general para distintas aplicaciones. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como interruptor y a 100 MHz como amplificador, debido a sus características, es un transistor utilizado para aplicaciones de contaminación rápida.
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Transistor BJT 2N2907
$ 300.0Añadir al carritoEl 2N2907 es un transistor de unión bipolar PNP, se utiliza principalmente para fines generales, relacionados con amplificación de baja potencia o aplicaciones de conmutación-switcheo. Es un transistor rápido, pues puede operar a altas velocidades.
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Transistor 2N5551 NPN
$ 300.0Añadir al carritoEl 2N5551 es un transistor NPN de propósito general, diseñado para montaje por orificio pasante en un encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alta tensión de propósito general, también de switcheo y controladores de pantalla de descarga de gas.
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Triac BT136 600V 4A
$ 2,000.0Añadir al carritoTriac BT136 600V 4A es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.
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Transistor IGBT NGD8201
$ 3,500.0Añadir al carritoEl Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
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Transistor Mosfet NCE4688
$ 6,000.0Añadir al carritoEl Transistor Mosfet NCE4688 es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.
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Transistor Mosfet FTP23N10A
$ 3,500.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet FTP23N10A es un transistor de canal N de 100V y 57A es un dispositivo electrónico semiconductor. Permite el paso de una señal en respuesta a otra. Se puede configurar como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos como radios, televisores y computadoras. Habitualmente dentro de los llamados circuitos integrados.
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Transistor A2222 Y C6144
$ 4,900.0Añadir al carritoEl Transistor A2222 y C6144 es un par complementario NPN-PNP utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación, ideal para proyectos electrónicos., ideales para la board de la Impresora Epson con un encapsulado TO220.
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Transistor IGBT 60T65
$ 13,500.0Añadir al carritoEl Transistor IGBT 60T65 es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-247 de 3 pines, soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 650V.
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Transistor Mosfet IRFB4115
$ 3,500.0Leer másEl Transistor Mosfet IRFB4115 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 150V a 104A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos conmutados y de alta frecuencia.
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Transistor FGH40N60SFD
$ 13,000.0Añadir al carritoEste es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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Transistor IGBT FGH60N60S
$ 13,000.0Añadir al carritoEl IGBT FGH60N60S es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet 2N7000 X10
$ 3,000.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet 2N7000 es un transistor de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines de canal N. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
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Transistor Mosfet IRFZ44N
$ 2,300.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRFZ44N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistores Mosfet Rd06
$ 19,000.0Añadir al carritoTransistores Mosfet Rd06 es un dispositivo electrónico con una baja resistencia de encendido, rápida velocidad de conmutación y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones como amplificadores de potencia VHF/RF.
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Tiristor C106D SCR
$ 1,500.0Añadir al carritoEl Tiristor C106D SCR soporta una tensión máxima de 400V, una corriente máxima de 4A y su encapsulado es TO-126. Diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, control de motores, controladores de compuerta para tiristores más grandes, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.
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Transistor IGBT K40H603
$ 11,500.0Añadir al carritoEl IGBT K40H603 es un transistor de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 306 W. Viene en un encapsulado TO247.
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Transitor IGBT K75T60
$ 11,400.0Añadir al carritoEl IGBT K75T60 es un transistor de canal N ideal para aplicaciones de electronica y convertidores de alta frecuencia gracias a su potencia de disipacion 428 W. Viene en un encapsulado TO247.
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Transistor Mosfet IRF840
$ 2,000.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF840N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRF640N
$ 1,900.0Añadir al carritoEl transistor Mosfet IRF640N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
