Categoría: Transistores
Transistores
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Transistor 2SA940 PNP
$ 0.9Añadir al carritoEl 2SA940 es un transistor de silicio complementario PNP de -150 V diseñado para amplificación de potencia de desviación vertical, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.
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Transistor 2SC2238 NPN
$ 1.1Añadir al carritoTransistor 2SC2238 Tipo T es un transistor NPN de silicio diseñado para su uso en aplicaciones de salida vertical de TV.- Complemento 2SA968
- Aplicaciones: Amplificador de potencia y amplificador de etapa del conductor
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Transistor 2SA968 PNP
$ 1.1Añadir al carritoEl transistor 2SA968 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de amplificación de alta potencia.
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Transistor 2SC2562 NPN
$ 1.0Añadir al carritoEl transistor 2SC2562 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
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Transistor 2SA1012 PNP
$ 1.0Añadir al carritoEl transistor 2SA1012 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 240. Además es un transistor bipolar muy completo, perfecto para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
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El MMF60R360Q es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión de magnachip que puede tener muy baja resistencia de encendido y carga de puerta. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.
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Transistor Mosfet MGD622
$ 2.9Añadir al carritoEl MGD622 de 600V, tiene estructura de zanja original de Sanken que reduce la capacitancia de la puerta y logra una conmutación de alta velocidad y una reducción de la pérdida de conmutación.
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El NJW0302G es un transistor de potencia bipolar complementario PNP con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento de área de operación segura. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales
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Transistor Mosfet 80NF70
$ 1.9Añadir al carritoEl transistor Mosfet 80NF70 es un MOSFET de potencia de canal N, que se ha diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la de puerta. Por lo tanto, el dispositivo es adecuado para aplicaciones avanzadas de conmutación de alta eficiencia.
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El transistor de Potencia NJW0281G, es un transistor de potencia bipolar NPN con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento seguro en el área de operación. Este transistor es ideal para etapas de salida de amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales.
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Transistor 2SB817 PNP
$ 1.2Añadir al carritoEl Transistor 2SB817 PNP está diseñado para su uso en general, el propósito es de un amplificador de potencia. Tiene una excelente respuesta en alta frecuencia. Para complementar 2SD1047.
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Transistor 2SD1047 NPN
$ 1.2Añadir al carritoEl transistor 2SD1047 está diseñado para su uso en general, el propósito es de un amplificador de potencia. Alta capacidad de corriente, alta disipación de potencia. Para complementar 2SB817. También es DC a DC convertidor de audio.
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Transistor 2SB1369 PNP
$ 0.6Añadir al carritoTransistor 2SB1369 PNP, posee una alta disipación de potencia del colector, además de una alta capacidad de corriente; transistor de potencia para aplicaciones generales.
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Transistor NPN 2SD2061
$ 0.6Añadir al carritoEl Transistor NPN 2SD2061, posee una baja tensión de saturación, además de excelentes características de ganancia de corriente continua, además puede tener una ganancia de corriente de 100 a 320; puede trabajar en las etapas de audiofrecuencia o como un conmutador de potencia.
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Transistor 2SC945 NPN
$ 0.1Añadir al carritoEl transistor 2SC945 de pequeña señal diseñado para el uso en aplicaciones de etapa de manejo del amplificador AF y conmutación de baja velocidad.
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Transistor MOSFET IRF510
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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Transistor Mosfet Irf520
$ 0.5Añadir al carritoEl transistor IRF750 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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Transistor MOSFET IRF720
$ 0.5Añadir al carritoEste transistor de potencia de categoría MOSFET, tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS. Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Este dispositivo está bien adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y dispositivos electrónicos como lámparas basados en medio puente.
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Las aplicaciones típicas son convertidores DC a DC, distribución de energía en productos portátiles y alimentados por batería como computadoras, impresoras, teléfonos celulares y algunos dispositivos inalámbricos.
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Transistor MMBT8050 NPN
$ 0.0Añadir al carritoMMTB8050 es un transistor de silicio epitaxial de montaje en superficie NPN con baja tensión, alta intensidad y pequeña señal. El dispositivo está diseñado para amplificadores de audio y aplicaciones de uso general.
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IGBT 30F126 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 330V.
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IGBT 30F124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 300V.
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IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.
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Transistor 2SD2012 NPN
$ 0.5Añadir al carritoEs un transistor de potencia NPN de silicio alojado en un paquete aislado TO-220F. Está diseñado para aplicaciones en potencia lineal y conmutación.
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Transistor 2SD1415 NPN
$ 0.6Añadir al carritoAplicaciones de conmutación de alta potencia, también cuenta con accionamiento de martillo enfocado para el uso de accionamiento de motor de impulsos
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Transistor 2SD2058 NPN
$ 0.6Añadir al carritoTransistor de propósito general, unión bipolar tipo PNP , su uso depende de como se configure ya sea para conmutación o amplificación.
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Transistor 2SD1594 NPN
$ 1.5Añadir al carritoFunciona como Amplificador de potencia de baja frecuencia y como conmutador de alta velocidad en uso industrial
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Fuente de Corriente Ajustable LM334Z es un dispositvo electrónico tipo through hole de tres terminales que proporciona una fuente de corriente con un rango de corriente de operación de 10000:1 manteniendo excelente regulación de corriente en un amplio rango de voltaje de operación. En la Fuente de Corriente Ajustable LM334Z la mínima funcionalidad se obtiene con una simple resitencia externa para establecer la corriente y no se requieren componentes electrónicos adicionales.
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El transistor Mosfet IRFP9140 es un componente eléctrico de canal P que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutación de propósito general.
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El pack 2SA2210 y 2SC6082 incluye transistores PNP y NPN de alta potencia, diseñados para amplificadores y sistemas de conmutación de corriente elevada.
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El Transistor 2N5460 JFET Canal P ofrece amplificación lineal y baja distorsión, ideal para aplicaciones analógicas de precisión y conmutación controlada.
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El Transistor 2N5457 JFET Canal N ofrece excelente linealidad y baja corriente de fuga. Ideal para amplificación y control de señal en circuitos analógicos.
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El Transistor 2N6027 es un PUT programable que permite ajustar características de disparo y unijuntura con dos resistencias, ideal para temporizadores y controladores electrónicos.
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El Transistor 2N3904 NPN es un BJT de propósito general para amplificación y conmutación de señales, soportando hasta 60 V y 200 mA con encapsulado TO-92.
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El Transistor 2N2907 PNP permite amplificación y conmutación de señales en circuitos electrónicos, soportando hasta 60 V y 600 mA con encapsulado TO-92 compacto.
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El Transistor 2N5551 NPN es un dispositivo de propósito general para amplificación y conmutación, capaz de soportar tensiones de hasta 160V y corrientes de 300mA.
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El Triac BT136 600V 4A permite el control eficiente de corriente alterna en cargas de hasta 4A. Compacto, confiable y fácil de integrar en proyectos electrónicos.
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El Transistor IGBT NGD8201 combina alta eficiencia y baja caída de voltaje, soporta hasta 400V y 20A, ideal para aplicaciones de potencia y control electrónico.
