Etiqueta: transistor de potencia
transistor de potencia
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Añadir al carritoEl AOD417 es un MOSFET canal-P de 30 V, 25 A y baja RDS(on) (34 mΩ a VGS = –10 V), en encapsulado TO-252, diseñado para conmutación de alta corriente y eficiencia térmica.
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El transistor IRFP360 están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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Transistor MOSFET de Potencia, diseñado para ser obtener un equilibrio perfecto entre conmutación rápida y un encapsulado robusto de baja resistencia cuando esta activo, todo a un costo muy asequible.
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Los MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor NPN BUV48A
$ 1.0Añadir al carritoEl Transistor BUV48A de potencia NPN, de conmutación rápida de alto voltaje, características capacidad de alta corriente velocidad de conmutación rápida al unas aplicaciones son fuentes de alimentación de modo de conmutación, convertidor 21 de baja potencia de transistor único flyback y forward TO-247.
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El NJW0302G es un transistor de potencia bipolar complementario PNP con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento de área de operación segura. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales
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El transistor de Potencia NJW0281G, es un transistor de potencia bipolar NPN con una linealidad de ganancia superior y un rendimiento seguro en el área de operación. Este transistor es ideal para etapas de salida de amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales.
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Transistor NPN 2SD2061
$ 0.6Añadir al carritoEl Transistor NPN 2SD2061, posee una baja tensión de saturación, además de excelentes características de ganancia de corriente continua, además puede tener una ganancia de corriente de 100 a 320; puede trabajar en las etapas de audiofrecuencia o como un conmutador de potencia.
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El Transistor Mosfet RD15HVF1 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 30V a 4A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET.
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El Transistor MOSFET IRFZ44N ofrece conmutación rápida y eficiente con 55V, 49A y baja resistencia interna, ideal para controladores de potencia y fuentes DC.
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El transistor MOSFET IRF840 N-Channel soporta hasta 500V y 8A, ideal para fuentes conmutadas, inversores y sistemas de control de potencia de alta tensión.
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El transistor MOSFET IRF640N N-Channel ofrece alta tensión de trabajo y baja resistencia, ideal para fuentes conmutadas, inversores y controladores de potencia.
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El transistor MOSFET IRF540N N-Channel ofrece alta corriente y baja pérdida de conducción. Ideal para control de potencia, fuentes conmutadas y motores eléctricos.
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El transistor MOSFET IRF530N N-Channel ofrece alta eficiencia y baja resistencia, ideal para fuentes de poder, control de motores y aplicaciones de conmutación.
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El Transistor MOSFET IRFR3607 ofrece alta corriente, baja resistencia y conmutación rápida para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRFR3806 combina baja resistencia, rápida conmutación y alta fiabilidad para aplicaciones de potencia y control electrónico
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El Transistor MOSFET IRF6218 P-Canal combina alta tensión, baja resistencia y excelente disipación térmica para control y conmutación de potencia.
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El Transistor MOSFET IRF3708 ofrece alta corriente, baja RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para aplicaciones de potencia y control electrónico.
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El Transistor MOSFET IRF3709 ofrece alta corriente, baja resistencia RDS(on) y conmutación rápida, optimizado para fuentes de poder y controladores.
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El Transistor MOSFET IRFP260 ofrece alta capacidad de corriente, baja resistencia de conducción y excelente eficiencia térmica para aplicaciones de potencia.
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Transistor Bipolar 2SC5200 NPN TO-3P, 230V y 15A, 150W de potencia. Usado en amplificadores de audio, fuentes de potencia y sistemas electrónicos.
