Categoría: Componentes Electrónicos
Componentes Electrónicos
Mostrando 926–950 de 1734 resultadosOrdenado por los últimos
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Transistor MOSFET IRFB3607
$ 5.700,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3607 de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB4310
$ 5.700,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
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Transistor MOSFET IRFB3006
$ 5.700,0 +IVA4 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
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Transistor MOSFET IRFB3306
$ 5.700,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl transistor IRFB3306 de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.
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Transistor MOSFET IRFB4110
$ 5.700,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRFB3077
$ 5.700,0 +IVA48 disponibles
Añadir al carritoEste MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
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Tiristor SCR TYN825
$ 6.000,0 +IVA12 disponibles
Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.
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Tiristor SCR TYN816
$ 6.000,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Tiristor SCR TYN816 de la serie estándar TN16 / TYNx16 de 16 A es adecuada para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente.
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Tiristor SCR TYN612
$ 5.000,0 +IVA7 disponibles
Añadir al carritoTYN612 SCR Tiristor 600V – 12A TO-220, diseñados para aplicaciones en controladores de Relés (Relay) y lámparas, electrodomésticos, control de motores, control de cargas AC y DC (Corriente Alterna y Corriente Continua), entre otros.
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Tiristor SCR TYN1225
$ 6.100,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEstos SCR estándar de 25 A son adecuados para aplicaciones de uso general. Al utilizar tecnología de ensamblaje de clips, brindan un rendimiento superior en capacidades de sobrecorriente, está empaquetado en entradas TO-220AB.
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Tiristor SCR TYN610
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoLos rectificadores controlados por silicio el TYN610 es una tecnología de vidrio pasivado de alto rendimiento. Estos rectificadores controlados por silicio de uso general están diseñados para suministro de energía de hasta 400 Hz en carga resistiva o inductiva.
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Tiristor SCR TYN812
$ 6.700,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
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Transistor Mosfet IRFP4242
$ 17.700,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.
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Transistor Mosfet FSW25N50A
$ 5.400,0 +IVA12 disponibles
Añadir al carritoTransistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC
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Mini switch 2 posiciones 15x21mm
$ 1.300,0 +IVAMira variaciones
Seleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoMini switch negro 2 pines, 2 posiciones (ON/OFF).
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Transistor MOSFET IRFBC40
$ 5.800,0 +IVA9 disponibles
Añadir al carritoEl ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.
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Transistor MOSFET IRF1407
$ 4.700,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoDiseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF2805
$ 4.400,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEste MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.
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Transistor MOSFET IRF1405
$ 4.300,0 +IVA13 disponibles
Añadir al carritoCuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRF1312
$ 5.000,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5.700,0 +IVA11 disponibles
Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Amplificador de Audio TPA3110 Bluetooth 4.2 Clase D
$ 27.900,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl TPA3110D2 puede manejar parlantes estéreo tan bajos como 4. La alta eficiencia del TPA3110D2, 90%, elimina la necesidad de un disipador de calor externo cuando se reproduce música.
Las salidas también están totalmente protegidas contra cortocircuitos a GND, VCC y salida a salida. La protección contra cortocircuitos y la protección térmica incluyen una función de recuperación automática. -
Compuerta NAND Cuádruple HEF4093BT SMD
$ 15.000,0 +IVA10 disponibles
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Añadir al carritoEl conector SMA se utiliza con mayor frecuencia en sistemas de microondas, antenas de teléfonos móviles y radios portátiles y, más recientemente, con sistemas de antenas WiFi y llaves de radio USB definidas por software .También se usa comúnmente en radio-astronomía , particularmente en frecuencias más altas (5 GHz +).
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Fotoresistencia o Fotocelda LDR 7mm
$ 1.800,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoFotoresistencia LDR Fotocelda 7mm, es una resistencia que disminuye su valor al aumentar la intensidad de la luz que incide sobre ella.


























