Categoría: MOSFET
MOSFET
Los MOSFET son transistores de efecto de campo ideales para controlar corriente y voltaje en circuitos electrónicos. Se utilizan en fuentes de poder, motores, amplificadores y sistemas de conmutación.
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Transistor MOSFET 2SJ374 Canal P 60 V 20 A TO-220F
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ374 es un transistor MOSFET de potencia de canal P, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente continua de hasta −20 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Está disponible en versiones documentadas por distintos fabricantes, por lo que se recomienda verificar el encapsulado y los parámetros de la referencia exacta antes de instalarlo.
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Transistor MOSFET 2SJ349 Canal P 60 V 20 A TO-220NIS
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ349 es un transistor MOSFET de potencia de canal P, fabricado originalmente por Toshiba, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente continua máxima de −20 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Su resistencia de conducción típica de 33 mΩ permite reducir las pérdidas eléctricas y facilita su uso en convertidores DC-DC, accionamiento de relés y control de motores.
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Transistor MOSFET 2SJ334 Canal P 60 V 30 A TO-220NIS
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ334 es un transistor MOSFET de potencia de canal P fabricado originalmente por Toshiba. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente continua máxima de −30 A bajo las condiciones especificadas en la hoja de datos. Su baja resistencia de conducción, de 29 mΩ típica, permite utilizarlo en circuitos de conmutación de alta corriente, convertidores DC-DC, accionamiento de relés y control de motores.
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Transistor MOSFET 2SJ329 Canal P 60 V 15 A MP-45F
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ329 es un transistor MOSFET de potencia de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control electrónico. Soporta una tensión drenador-fuente de −60 V y una corriente máxima de drenador de −15 A bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Incorpora protección entre compuerta y fuente y presenta una baja resistencia de conducción, por lo que resulta adecuado para circuitos de control de motores, solenoides y etapas de potencia.
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Transistor MOSFET 2SJ308 Canal P 250 V 9 A TO-220ML
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoDescripción corta: El 2SJ308 es un transistor MOSFET de potencia de canal P, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Soporta una tensión drenador-fuente de hasta −250 V y una corriente continua de drenador de −9 A, con una resistencia de conducción típica de 0,35 Ω. Su encapsulado TO-220ML permite integrarlo en diferentes diseños …
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Transistor MOSFET 2SJ306 Canal P 250V 3A TO-220ML
$ 6.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl 2SJ306 es un transistor MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Soporta una tensión drenador-fuente de hasta 250 V y una corriente continua de drenaje de 3 A, según las condiciones especificadas por el fabricante. Su encapsulado TO-220ML facilita la integración en circuitos electrónicos de potencia y sistemas de control.
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MOSFET IRF2807 Canal N 75V 82A TO-220
$ 3.500,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl IRF2807 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de cargas de alta corriente. Soporta una tensión máxima de drenaje-fuente de 75 V y una corriente continua de hasta 82 A a 25 °C, con una resistencia de conducción máxima de 13 mΩ a VGS = 10 V.
Su encapsulado TO-220AB facilita el montaje en placas electrónicas y permite utilizar disipadores cuando la potencia disipada así lo requiere.
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Leer másEl BTN7930B es un controlador de motor de alta corriente de la familia NovalithIC de Infineon. Integra un MOSFET P de lado alto, un MOSFET N de lado bajo y el circuito de control en un solo encapsulado, formando una etapa half bridge para accionar motores DC.
Está diseñado para aplicaciones de control mediante PWM, con capacidad de hasta 25 kHz, diagnóstico de corriente y protecciones frente a sobrecorriente, cortocircuito, sobretemperatura, sobretensión y subtensión. La variante BTN7930B utiliza encapsulado SMD PG-TO263-7-1.
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IRL530N MOSFET Canal N de Potencia 100 V 17 A
$ 2.200,0 +IVA100 disponibles
Añadir al carritoEl IRL530N es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Soporta una tensión máxima drenador-fuente de 100 V y una corriente continua de hasta 17 A a 25 °C, según las condiciones especificadas por el fabricante.
Su característica Logic Level permite obtener una baja resistencia de conducción con tensiones de compuerta relativamente bajas, alcanzando hasta 150 mΩ a VGS = 4.5 V según la especificación del fabricante. El IRL530N original utiliza encapsulado TO-220 y actualmente figura como producto descontinuado; existe la variante SMD IRL530NS en D2PAK.
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MOSFET P-Channel AONS21357 30V 36A 7.8mΩ
$ 2.600,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl MOSFET P-Channel AONS21357 ofrece una tensión de drenador-fuente de -30V y una capacidad de corriente de hasta 36A.
Su baja resistencia RDS(on) facilita aplicaciones de conmutación, protección de baterías y gestión de potencia. -
MOSFET de Potencia N-Channel IRFP240 200V 20A TO-247
$ 8.300,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoEl IRFP240 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Soporta una tensión Drain-Source de 200 V, una corriente continua de hasta 20 A y una resistencia RDS(on) máxima de 0.18 Ω. Su encapsulado TO-247 permite una buena disipación térmica, siendo adecuado para fuentes conmutadas, control de motores, amplificadores de audio, convertidores y aplicaciones de alta potencia.
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MOSFET de Potencia N-Channel IRF820 500V TO-220
$ 2.800,0 +IVA30 disponibles
Añadir al carritoEl IRF820 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 500 V y está disponible en encapsulado TO-220, siendo adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores, UPS, controladores de motores y otras aplicaciones de electrónica de potencia. Dependiendo del fabricante y la versión, sus especificaciones de corriente y resistencia RDS(on) pueden variar.
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Leer másEl IRF721 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 350 V, una corriente continua de aproximadamente 3.3 A a 25 °C y una resistencia RDS(on) máxima de 1.8 Ω. Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, UPS, control de motores, relés y solenoides.
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MOSFET de Potencia N-Channel IRF230 200V 9A TO-3
$ 38.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl IRF230 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 200 V, una corriente continua de hasta 9 A a 25 °C y presenta una resistencia RDS(on) máxima de 0.40 Ω.
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Transistor BJT NPN 2SD400 TO-220
$ 500,0 +IVA50 disponibles
Añadir al carritoEl 2SD400 es un transistor bipolar NPN de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de media potencia. Soporta un voltaje colector-emisor de hasta 400 V, una corriente máxima de colector de 4 A y una disipación de potencia de hasta 40 W, lo que lo hace adecuado para fuentes de alimentación, control de motores, reguladores, inversores y equipos electrónicos industriales. Se presenta en encapsulado TO-220.
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Transistor Darlington NPN 2SD1071 450V 6A TO-220
$ 3.000,0 +IVA20 disponibles
Añadir al carritoEl 2SD1071 es un transistor Darlington NPN de silicio fabricado mediante tecnología de difusión triple (Triple Diffused Planar), lo que le proporciona una alta ganancia de corriente (hFE), baja tensión de saturación y excelente confiabilidad en aplicaciones de potencia. Está diseñado para trabajar en sistemas de alta tensión donde se requiere un transistor robusto con …
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Transistor MOSFET Canal N IRF1010E 60V 84A TO-220
$ 3.400,0 +IVA15 disponibles
Añadir al carritoEl IRF1010E es un transistor MOSFET de canal N de alta potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Soporta un voltaje drenador-fuente de 60 V, una corriente continua de hasta 84 A y presenta una baja resistencia RDS(on) de 12 mΩ, lo que reduce las pérdidas de potencia y mejora el rendimiento en fuentes conmutadas, inversores, controladores de motores y convertidores DC-DC.
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Transistor MOSFET Canal N RU7570L 75V 70A TO-252
$ 2.500,0 +IVA19 disponibles
Añadir al carritoEl PIC16F882-I/SP es un microcontrolador de 8 bits de Microchip Technology, perteneciente a la familia PIC16F88X. Cuenta con 3.5 KB de memoria Flash, 128 bytes de EEPROM, 128 bytes de RAM, convertidor ADC de 10 bits con 11 canales, módulos EUSART, SPI e I²C, comparadores analógicos y tecnología nanoWatt, lo que lo convierte en una excelente opción para sistemas embebidos, automatización, robótica, instrumentación y proyectos electrónicos.
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Transistor MOSFET Canal N HY3912
$ 17.000,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl HY3912 es un transistor MOSFET de potencia canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, ideal para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, control de motores y sistemas de potencia de alta corriente.
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Transistor MOSFET IRFP064N Canal N 55V 110A TO-247
$ 8.500,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl IRFP064N es un MOSFET de potencia canal N de 55V y 110A, diseñado para aplicaciones de alta corriente como inversores, fuentes conmutadas, controladores de motores y sistemas de potencia.
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Leer másEl IR2103 es un controlador de compuerta MOSFET e IGBT de lado alto y lado bajo capaz de operar hasta 600V, ideal para inversores, fuentes conmutadas, convertidores de potencia y control de motores.
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10 disponibles
Añadir al carritoEl IR2102 es un controlador de compuerta MOSFET e IGBT de lado alto y lado bajo con capacidad de hasta 600V, ideal para inversores, fuentes conmutadas y control de motores.
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Transistor HY3810 MOSFET Canal N
$ 7.500,0 +IVA23 disponibles
Añadir al carritoEl HY3810 es un MOSFET Canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de conmutación, inversores, fuentes de alimentación y sistemas de gestión de potencia.
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Transistor 28NM60ND MOSFET Canal N
$ 11.000,0 +IVA20 disponibles
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El 28NM60ND es un MOSFET N-Channel de alta tensión ideal para fuentes switching, inversores y electrónica de potencia de hasta 600V y 28A. -
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Módulo Fuente de Alimentación Aislada AC-DC 12V 300mA 3.5W
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