MOSFET de Potencia N-Channel IRF820 500V TO-220

El IRF820 es un transistor MOSFET de potencia de canal N y modo enriquecimiento, desarrollado para aplicaciones que requieren conmutación rápida y operación a tensiones elevadas. Su tensión máxima VDS es de 500 V, lo que permite utilizarlo en etapas de potencia donde se presentan tensiones superiores a las habituales de los MOSFET de baja tensión.

Existen diferentes versiones y fabricantes bajo la referencia IRF820. Por ejemplo, algunas versiones históricas especifican 2.5 A de corriente continua y aproximadamente 3 Ω de RDS(on), mientras que la versión PowerMESH II de STMicroelectronics especifica hasta 4 A y una resistencia de conducción inferior a 0.3 Ω según su hoja de datos. Por ello, es importante verificar el fabricante y el datasheet de la pieza exacta antes de utilizar sus valores eléctricos.

El IRF820 se utiliza principalmente como dispositivo de conmutación de potencia, especialmente en fuentes SMPS, convertidores DC-AC, equipos UPS, controladores de motores y circuitos que necesitan manejar tensiones elevadas. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en PCB y permite utilizar disipadores térmicos cuando la potencia disipada lo requiere.

Funciones destacadas

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tecnología de compuerta aislada.
• Tensión Drain-Source de hasta 500 V.
• Alta capacidad de conmutación.
• Capacidad de avalancha.
• Compuerta de alta impedancia.
• Encapsulado TO-220.
• Diseñado para aplicaciones de alta tensión.
• Adecuado para fuentes conmutadas y convertidores.
• Puede utilizar disipador térmico.

Usos comunes

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Convertidores DC-AC.
• Sistemas UPS.
• Convertidores de potencia.
• Controladores de motores.
• Circuitos de conmutación de alta tensión.
• Equipos de soldadura.
• Control de relés y actuadores.
• Electrónica industrial.
• Circuitos de potencia.

Características técnicas

• Modelo: IRF820.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: N-Channel.
• Modo: Enriquecimiento.
• VDS máximo: 500 V.
• VGS: depende de la versión; existen datasheets con ±20 V y ±30 V.
• Corriente continua: 2.5 A a 4 A, según fabricante/versión.
• RDS(on): aproximadamente 3 Ω en versiones clásicas; existen versiones PowerMESH con valores inferiores.
• Corriente pulsada: hasta 10–12 A según versión.
• Temperatura máxima de unión: hasta 150 °C.
• Encapsulado: TO-220 / TO-220AB.
• Montaje: Through Hole (THT).

Datasheet

IRF820 – N-Channel 500V Power MOSFET – STMicroelectronics. 

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