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Transistor 28NM60ND MOSFET Canal N

$ 11.000,0 +IVA

Descripción corta:
El 28NM60ND es un MOSFET N-Channel de alta tensión ideal para fuentes switching, inversores y electrónica de potencia de hasta 600V y 28A.

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El transistor 28NM60ND MOSFET N-Channel alta tensión es un semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, sistemas UPS y equipos electrónicos industriales. Este MOSFET soporta altos niveles de voltaje y corriente, ofreciendo un excelente desempeño en circuitos de conversión de energía y control electrónico.

Una de las principales ventajas del 28NM60ND MOSFET N-Channel alta tensión es su baja resistencia interna de conducción, permitiendo reducir pérdidas de energía y mejorar la disipación térmica. Gracias a su encapsulado tipo TO-220, puede trabajar eficientemente con disipadores de calor, siendo ampliamente utilizado en fuentes switching, cargadores, balastos electrónicos y sistemas de control de potencia. Su rápida velocidad de conmutación mejora la eficiencia y estabilidad del sistema electrónico.

Funciones destacadas del transistor 28NM60ND MOSFET alta tensión

  • Alta capacidad de voltaje
  • Baja resistencia RDS(on)
  • Conmutación rápida
  • Encapsulado TO-220
  • Diseñado para fuentes switching
  • Alta eficiencia energética

Usos comunes en electrónica de potencia

El transistor 28NM60ND MOSFET alta tensión se utiliza en:

  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
  • Inversores
  • Sistemas UPS
  • Controladores de motores
  • Sistemas de iluminación electrónica
  • Convertidores DC-DC

Características técnicas

  • Modelo: 28NM60ND
  • Tipo: MOSFET N-Channel de potencia
  • Material: Silicio
  • Encapsulado: TO-220
  • Voltaje drenador-fuente (VDS): 600V
  • Corriente de drenador (ID): 28A
  • Resistencia RDS(on): Baja
  • Frecuencia de operación: Alta
  • Potencia de disipación: Alta (con disipador)
  • Temperatura de operación: Alta estabilidad térmica
  • Dimensiones aproximadas: 10 x 15 x 4 mm
  • Peso: 3 g
  • Compatibilidad: Circuitos de potencia y fuentes switching

Datasheet

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