Transistor MOSFET Canal N RU7570L 75V 70A TO-252

El RU7570L es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado por Ruichips Semiconductor, fabricado con tecnología Advanced Trench MOSFET, la cual proporciona una excelente combinación de baja resistencia de conducción, alta capacidad de corriente y rápida velocidad de conmutación. Estas características lo hacen ideal para aplicaciones de electrónica de potencia donde se requiere alta eficiencia y confiabilidad.

Con un voltaje máximo de 75 V y una corriente continua de 70 A, el RU7570L es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, controladores de motores, inversores, sistemas de alimentación para baterías y equipos industriales. Su baja resistencia RDS(on) disminuye la disipación de calor, mejorando el rendimiento general del circuito.

El encapsulado TO-252 (DPAK) permite una excelente disipación térmica y facilita el montaje automático sobre tarjetas PCB mediante tecnología SMT. Además, el dispositivo es totalmente avalancha (Avalanche Rated), ofreciendo mayor robustez frente a transitorios de tensión.

Funciones destacadas

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tecnología Advanced Trench MOSFET.
• Voltaje drenador-fuente de 75 V.
• Corriente continua de hasta 70 A.
• Baja resistencia RDS(on).
• Alta velocidad de conmutación.
• Totalmente avalancha (Avalanche Rated).
• Excelente disipación térmica.
• Encapsulado TO-252 (DPAK).
• Compatible con montaje superficial (SMD).

Usos comunes

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Convertidores DC-DC.
• Controladores de motores.
• Inversores.
• Control PWM.
• Sistemas de carga de baterías.
• Electrónica automotriz.
• Equipos industriales.
• Reguladores de potencia.
• Electrónica de consumo.

Características técnicas

• Modelo: RU7570L.
• Fabricante: Ruichips Semiconductor.
• Tipo: MOSFET de canal N.
• Voltaje drenador-fuente (VDS): 75 V.
• Corriente continua de drenador (ID): 70 A.
• Corriente de pulso (IDM): 280 A.
• Resistencia RDS(on): 9 mΩ típica (VGS = 10 V).
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±25 V.
• Potencia máxima de disipación: 103 W.
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C.
• Encapsulado: TO-252 (DPAK).
• Montaje: SMD.

Datasheet

RU7570L – N-Channel Advanced Power MOSFET – Ruichips Semiconductor.

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