Transistor MOSFET 2SJ306 Canal P 250V 3A TO-220ML

El transistor MOSFET 2SJ306 está diseñado para controlar cargas eléctricas mediante una señal aplicada a su terminal de compuerta. Su estructura de canal P permite realizar conmutaciones electrónicas en circuitos que requieren controlar tensiones negativas entre drenador y fuente. Entre sus características destacan la capacidad de soportar hasta 250 V, una corriente continua de 3 A y una resistencia de conducción típica de 1,5 Ω en las condiciones indicadas en la hoja de datos.

Este componente puede utilizarse en circuitos de conmutación, fuentes de alimentación y equipos electrónicos que requieran controlar cargas de potencia. Su encapsulado TO-220ML está diseñado para facilitar el montaje y la disipación térmica adecuada. Antes de sustituirlo por otro transistor, se recomienda comprobar la distribución de terminales, la tensión de control y los parámetros eléctricos para garantizar la compatibilidad con el circuito.

Características destacadas

• Transistor MOSFET de canal P.
• Tensión máxima drenador-fuente de 250 V.
• Corriente continua de drenaje de hasta 3 A, bajo las condiciones especificadas.
• Corriente de drenaje pulsada de hasta 12 A, según las condiciones de la hoja de datos.
• Resistencia de conducción típica de 1,5 Ω.
• Diseñado para conmutación de alta velocidad.
• Requiere una tensión de control adecuada en la compuerta.
• Encapsulado TO-220ML para montaje de orificio pasante.

Usos comunes

• Circuitos de conmutación electrónica.
• Fuentes de alimentación.
• Circuitos de control de potencia.
• Equipos electrónicos industriales.
• Sistemas de regulación y conversión de energía.
• Reparación y mantenimiento de circuitos electrónicos.
• Proyectos de electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: 2SJ306.
• Fabricante original: Sanyo.
• Tipo de componente: MOSFET de potencia.
• Polaridad: Canal P.
• Tensión drenador-fuente máxima (VDS): −250 V.
• Tensión compuerta-fuente máxima (VGS): ±30 V.
• Corriente continua de drenaje (ID): −3 A.
• Corriente de drenaje pulsada (IDP): −12 A, bajo las condiciones especificadas.
• Resistencia de conducción típica (RDS(on)): 1,5 Ω.
• Disipación de potencia: 2 W a temperatura ambiente bajo las condiciones indicadas; hasta 25 W con temperatura de carcasa de 25 °C.
• Temperatura máxima del canal: 150 °C.
• Encapsulado: TO-220ML.
• Montaje: Orificio pasante (THT).
• Terminales: Compuerta (Gate), drenador (Drain) y fuente (Source).

Nota técnica: Los valores máximos de corriente y potencia dependen de las condiciones térmicas y eléctricas. El 2SJ306 es un componente de generación anterior; verifica su autenticidad y estado de disponibilidad antes de utilizarlo en diseños nuevos.

Datasheet:

-2SJ306-

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