Transistor MOSFET 2SJ329 Canal P 60 V 15 A MP-45F

El MOSFET 2SJ329 de canal P es un semiconductor de potencia desarrollado originalmente por NEC para aplicaciones de conmutación. Su tensión máxima drenador-fuente es de −60 V y admite una corriente continua de drenador de hasta −15 A en las condiciones térmicas indicadas en su hoja de datos. Ofrece una resistencia de conducción típica de 47 mΩ con una tensión compuerta-fuente de −10 V y una corriente de drenador de −8 A. Además, incorpora diodos de protección entre compuerta y fuente.

Este componente puede utilizarse en circuitos de accionamiento de motores, control de solenoides, sistemas de iluminación y conmutación de potencia. Su encapsulado original MP-45F cuenta con tres terminales y está diseñado para montaje a través de orificios. Antes de sustituirlo por otro MOSFET, es necesario comprobar la distribución de terminales, la tensión de control, la resistencia de conducción y las condiciones de disipación térmica. El fabricante Renesas indica que este modelo se encuentra obsoleto, por lo que conviene verificar la procedencia y autenticidad de las unidades disponibles.

Características destacadas del MOSFET 2SJ329

• Transistor MOSFET de potencia de canal P.
• Tensión drenador-fuente máxima: −60 V.
• Corriente continua de drenador: hasta −15 A, según las condiciones térmicas especificadas.
• Corriente pulsada: hasta −60 A bajo condiciones de pulso específicas.
• Resistencia de conducción típica: 47 mΩ a VGS = −10 V e ID = −8 A.
• Resistencia de conducción típica: 80 mΩ a VGS = −4 V e ID = −6 A.
• Protección integrada entre compuerta y fuente.
• Encapsulado original MP-45F de tres terminales.

Usos comunes en electrónica

• Control y accionamiento de motores.
• Circuitos de control de solenoides.
• Etapas de conmutación de potencia.
• Sistemas electrónicos de iluminación.
• Fuentes y convertidores de potencia compatibles.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.
• Prototipos de electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: 2SJ329.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: P.
• Fabricante original: NEC.
• Estado del modelo: Obsoleto.
• Tensión drenador-fuente (VDSS): −60 V.
• Tensión compuerta-fuente: ±20 V en condiciones de corriente alterna; para corriente continua, −20 V a +10 V.
• Corriente continua de drenador (ID): ±15 A, según la hoja de datos.
• Corriente pulsada de drenador: ±60 A, con ancho de pulso ≤10 µs y ciclo de trabajo ≤1 %.
• Resistencia de conducción típica: 47 mΩ a VGS = −10 V e ID = −8 A.
• Resistencia de conducción típica: 80 mΩ a VGS = −4 V e ID = −6 A.
• Disipación de potencia: 35 W con la carcasa a Tc = 25 °C; 2 W a temperatura ambiente de 25 °C, bajo las condiciones indicadas.
• Temperatura máxima del canal: 150 °C.
• Capacitancia de entrada típica (Ciss): 2150 pF.
• Encapsulado: MP-45F.
• Número de terminales: 3.
• Distribución de terminales: 1. Gate, 2. Drain, 3. Source.
• Aplicación principal: Conmutación de potencia y accionamiento de cargas.

Datasheet:

-2SJ329-

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