MOSFET de Potencia N-Channel IRF230 200V 9A TO-3

El IRF230 es un MOSFET de potencia N-Channel de modo enriquecimiento, desarrollado originalmente con tecnología HEXFET de International Rectifier. Está diseñado para proporcionar una combinación de alta capacidad de conmutación, baja resistencia en conducción y buena capacidad para aplicaciones de potencia.

El dispositivo soporta una tensión máxima de 200 V entre drenador y fuente y puede manejar hasta 9 A de corriente continua a 25 °C, mientras que su corriente nominal disminuye a 6 A a 100 °C. Su resistencia máxima de conducción es de 0.40 Ω, especificada con una tensión de compuerta de 10 V.

Gracias a su construcción robusta y capacidad de avalancha repetitiva, el IRF230 puede utilizarse en fuentes de alimentación conmutadas, controles de motores AC/DC, controladores de relés y solenoides, circuitos chopper, amplificadores de audio y aplicaciones de pulsos de alta energía.

Funciones destacadas

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tecnología HEXFET.
• Tensión Drain-Source de hasta 200 V.
• Corriente continua de hasta 9 A a 25 °C.
• Baja resistencia RDS(on).
• Capacidad de corriente pulsada de hasta 36 A.
• Tensión Gate-Source máxima de ±20 V.
• Protección y capacidad de avalancha.
• Encapsulado metálico TO-3.
• Diseñado para conmutación de potencia.

Usos comunes

• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Controladores de motores.
• Convertidores DC-DC.
• Circuitos chopper.
• Control de relés.
• Control de solenoides.
• Amplificadores de audio.
• Sistemas UPS.
• Circuitos de pulsos de alta energía.
• Electrónica de potencia industrial.

Características técnicas

• Modelo: IRF230.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: N-Channel.
• Modo: Enriquecimiento.
• VDS máximo: 200 V.
• ID continuo: 9 A a 25 °C.
• ID continuo a 100 °C: 6 A.
• ID pulsado: 36 A.
• RDS(on) máximo: 0.40 Ω.
• VGS máximo: ±20 V.
• Disipación máxima: 75 W.
• Temperatura de unión: -55 °C a +150 °C.
• Encapsulado: TO-204AA / TO-3.
• Montaje: Through Hole (THT).

Datasheet

IRF230 – 200V N-Channel HEXFET Power MOSFET – International Rectifier / Infineon. 

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