Transistor 5401 / MMBT5401 / 2L – SMD

El transistor MMBT5401 es un BJT de tipo PNP, pensado para circuitos electrónicos que necesitan amplificación de señales o conmutación con una tensión de colector-emisor elevada. Su encapsulado SOT-23 de 3 terminales permite utilizarlo directamente en placas PCB con tecnología SMD, ayudando a reducir el espacio ocupado frente a versiones de montaje pasante.

Transistor PNP de alta tensión para aplicaciones SMD

El MMBT5401 ofrece una tensión máxima colector-emisor de 150V y una corriente de colector continua de hasta 600mA, según las referencias de onsemi y Diodes Incorporated. Estas características lo hacen apropiado para etapas de conmutación, control de cargas, amplificación de pequeña señal y circuitos donde se requiere un transistor PNP compacto con mayor margen de tensión.

Encapsulado SOT-23 con marcado 2L

El dispositivo utiliza un encapsulado SOT-23 de 3 pines, habitual en diseños electrónicos de montaje superficial. En la versión documentada por onsemi, el código de marcado sobre el componente es 2L, por lo que la identificación “5401 / MMBT5401 / 2L” resulta especialmente útil para reconocer este componente en placas y listados de materiales.

Amplificación y conmutación

El MMBT5401 está diseñado como transistor PNP de propósito general para amplificación y conmutación de baja potencia. Puede utilizarse en etapas de señal, control de cargas, circuitos de interfaz, fuentes de alimentación y diferentes aplicaciones de automatización electrónica.

Características destacadas

• Transistor bipolar BJT PNP.
• Tensión colector-emisor máxima: 150V.
• Corriente de colector máxima: 600mA, según versiones de referencia.
• Encapsulado SOT-23 de 3 pines.
• Montaje superficial SMD/SMT.
• Marcado 2L en la versión especificada por onsemi.
• Adecuado para amplificación y conmutación.
• Tipo complementario: MMBT5551, transistor NPN.

Usos comunes en electrónica y automatización

• Circuitos de conmutación de señales.
• Etapas de amplificación de pequeña señal.
• Control de cargas desde microcontroladores y circuitos lógicos, respetando sus límites eléctricos.
• Circuitos de alimentación y control.
• Interfaces y etapas de señal en equipos electrónicos.
• Reparación y sustitución de transistores PNP SMD de alta tensión.
• Proyectos de electrónica y automatización con espacio reducido.

Características técnicas

• Tipo: Transistor bipolar PNP (BJT).
• Referencia: MMBT5401.
• Marcado: 2L en determinadas versiones.
• Tensión colector-emisor (VCEO): -150V.
• Tensión colector-base (VCBO): -160V.
• Tensión emisor-base (VEBO): -5V.
• Corriente de colector continua (IC): -600mA.
• Encapsulado: SOT-23, 3 terminales.
• Montaje: SMD/SMT.
• Temperatura de unión: -55°C a +150°C en la referencia de onsemi.

Hoja de Datos: 5401_2L

Para más amplificadores operacionales similares, consulte la sección  Circuitos Integrados.