MOSFET de Potencia N-Channel IRF721 350V 3.3A TO-220
El IRF721 es un MOSFET de potencia de canal N (N-Channel) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad. Soporta una tensión Drain-Source de hasta 350 V, una corriente continua de aproximadamente 3.3 A a 25 °C y una resistencia RDS(on) máxima de 1.8 Ω. Se utiliza en fuentes de alimentación conmutadas, UPS, control de motores, relés y solenoides.
El IRF721 pertenece a la familia de MOSFET de potencia IRF720/721/722/723 y está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación rápida y operación a tensiones elevadas. Su estructura de compuerta de silicio permite un accionamiento sencillo y buenas características de conmutación.
El dispositivo presenta una tensión máxima VDS de 350 V y una corriente continua de 3.3 A a 25 °C, reduciéndose a aproximadamente 2.1 A a 100 °C. Su resistencia máxima en conducción es de 1.8 Ω, especificada bajo las condiciones indicadas por el fabricante.
Por sus características, el IRF721 puede emplearse en fuentes de alimentación fuera de línea, UPS, convertidores, controladores de motores AC/DC, circuitos de conmutación, accionamiento de relés y solenoides y otras aplicaciones de electrónica de potencia.
Funciones destacadas
- MOSFET de potencia de canal N.
- Alta tensión de operación.
- VDS máximo de 350 V.
- Corriente continua de hasta 3.3 A.
- RDS(on) máximo de 1.8 Ω.
- Conmutación rápida.
- Compuerta de silicio.
- Requiere baja potencia de accionamiento.
- Capacidad de avalancha.
- Encapsulado TO-220.
Usos comunes
- Fuentes de alimentación conmutadas.
- Fuentes de alimentación fuera de línea.
- Sistemas UPS.
- Convertidores de potencia.
- Control de motores AC/DC.
- Control de relés.
- Control de solenoides.
- Circuitos chopper.
- Conmutación de alta tensión.
- Electrónica industrial.
Características técnicas
- Modelo: IRF721.
- Tipo: MOSFET de potencia.
- Canal: N-Channel.
- VDS máximo: 350 V.
- ID continuo: 3.3 A a 25 °C.
- ID continuo a 100 °C: 2.1 A.
- ID pulsado: 13 A.
- RDS(on) máximo: 1.8 Ω.
- VGS máximo: ±20 V.
- Potencia máxima: 50 W.
- Temperatura de unión: -55 °C a +150 °C.
- Encapsulado: TO-220.
- Montaje: Through Hole (THT).
Datasheet
IRF721 – N-Channel Power MOSFET – International Rectifier / fabricantes equivalentes.
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