Categoría: Componentes Electrónicos
Componentes Electrónicos
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Condensador tantalio 16v SMD 1206 x10
$ 1.0 – $ 1.2Seleccionar opciones Este producto tiene múltiples variantes. Las opciones se pueden elegir en la página de productoCondensador de Tantalio 16v de montaje superficial 1206 Pack de 10 unidades.
Condensador tantalio SMD 1206 x10 con estabilidad a la temperatura, Baja fuga e impedancia diseñado para un porcentaje de fallos de menos del 1%.
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Transistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Transistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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El ESP8266 tiene potentes capacidades como lo es el procesamiento y almacenamiento que le permiten integrarse con sensores y dispositivos específicos de aplicación a través de sus GPIOs con un desarrollo mínimo y carga mínima durante el tiempo de ejecución.
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Transistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Convertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.
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Diodo Rectificador 1N4007 SMD 0805 montaje Superficial Voltaje Inverso Repetitivo (VRRM): 1000V; Voltaje en directo (VFM): 1.0v
Cantidad : 10 Diodos 1N4007 SMD 0805
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Transistor IGBT G50T65D
$ 2.7Añadir al carritoTransistor IGBT G50T65D es la nueva serie de IGBTs de parada de campo de ON Semiconductor IGBT(componente semiconductor de tres terminales que combina la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la facilidad de control de un MOSFET) de parada de campo de 4ª generación de ON. Semiconductor óptimo para aplicaciones de …
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Transistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.
Encapsulado: TO-220-3
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Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
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Tarjeta programadora Esp
$ 8.0Añadir al carritoTarjeta de desarrollo que permite programar y probrar placas de la serie ESP8266, ESP32-WROVER. Con zocalo para chipset ESP-01 ESP01S ESP32. Con un sistema de montaje y desmontaje sencillo que no requier soldadura.
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La Placa de extensión ESP8266 30 pines, es compatible con ESP8266 de 30 pines, puede ampliar un pin GPIO de la placa de desarrollo esp8266 a dos, lo que es conveniente para que los usuarios reutilicen todos los pines en proyectos de electrónica, programación, entre otros.
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La Placa de extensión ESP32 30 pines, es compatible con ESP32 de 30 pines, puede ampliar un pin GPIO de la placa de desarrollo esp32 a dos, lo que es conveniente para que los usuarios reutilicen todos los pines en proyectos de electrónica, programación, entre otros.
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Bobina SMD CD54-10uH
$ 1.1Leer másBobina SMD CD54-10uH es un inductor pequeño de 10 uH, diseñados para un montaje de superficie en los circuitos impresos.
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Pulsador 4 pines SMD x10
$ 0.5 -
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El Módulo adaptador ESP32 WROVER es perfecto para tus proyectos de electrónica ya que facilita la programación en los módulos ESP32 WROVER.
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El Modulo adaptador ESP32 WROOM 32 facilita la programación y actualización de firmware en los módulos WROOM de espressif que se usan en aplicaciones de montaje superficial. Este módulo facilita la tarea de carga de programa sin necesidad de soldar.
El módulo ESP32-WROOM-32 a programar se coloca en una base de alambres flexibles que garantizan un contacto excelente con los pads del adaptador sin la necesidad de soldar, para colocarlo solo hace falta alinearlo en el zócalo de programación y realizar un poco de presión.El ESP32-WROOM-32 puede retirarse fácilmente del adaptador fácilmente jalando levemente hacia arriba
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El BH1750FVI GY-30 es un sensor digital de iluminación ambiente con interfaz I2C. Este dispositivo es el más adecuado para obtener los datos correspondientes a la luz ambiente, para así poderlos visualizar y ajustar (escalar) en una LCD. A través de este sensor es posible la detección de una buena gamma de alta resolución, (1-65535 lx). Es posible seleccionar dos direcciones de comunicación I2C esclavo. Este módulo puede ser controlado por cualquier microcontrolador o Arduino.
Respecto a sus mediciones, el resultado de la medición es ajustable dependiendo de la venta usada. Es posible detectar un mínimo de 0.11 lx y un máximo de 100.000lx realizando estas variaciones.
Este tipo de sensor es usado para aplicaciones con teléfonos móviles celulares, TV LCD, computadores portátiles, juegos portables portátiles, cámaras digitales, cámaras de video digital, PDA, Pantallas LCD, entre otros.
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El módulo BH1750 es un sensor de iluminación digital para medición de flujo luminoso (iluminancia). Posee un conversor interno de 16-bit, por lo que entrega una salida digital en formato I2C. Su desempeño es mejor al de un Foto-Resistor (LDR), pues no es necesario realizar conversiones de voltaje para obtener datos interpretables.
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El Conversor Can Bus TJA1050 Transceptor se utiliza como interfaz entre el controlador de protocolo de la red de área del controlador (CAN) y el bus físico. El dispositivo proporciona capacidad de transmisión diferencial al bus y capacidad de recepción diferencial al controlador CAN. El TJA1050 es el transceptor CAN de alta velocidad de Philips de tercera generación después del PCA82C250 y el PCA82C251.
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El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.
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Mosfet FDA70N20 Canal N
$ 2.1Añadir al carritoEl Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.
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El Transistor bipolar GB8204NG esta diseñado con un circuito monolítico que integra protección contra cortocircuito haciéndolo ideal para aplicaciones de alta tensión o alta corriente.
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El Transistor Mosfet SVF23N50PN ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activado obteniendo tiempos de conmutación más cortos aumentando su eficiencia.
Se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor PWM de puente H, los cuales requieren una gran potencia con tiempos muy cortos.
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El Diodo Rectificador Schottky SS12 SMD es un diodo de conmutación rápida ideal para aplicaciones en las que se requiera conmutación de alta frecuencia.
Por sus características es usado comúnmente en aplicaciones donde se requiera una protección contra la polaridad.
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El Diodo Rectificador Schottky SS16 SMD es un diodo de conmutación rápida ideal para aplicaciones en las que se requiera conmutación de alta frecuencia. Por sus caracteristicas es usado conmunmente en aplicaciones donde se requiera una protección contra la polaridad.
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El Mosfet de potencia NCE80H11 cuenta con tiempos de conmutación muy cortos por lo cual es optimo para fuentes de conmutación de alta frecuencia. Cuenta con un excelente encapsulado el cual garantiza una correcta disipación de calor.
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El Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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El Mosfet de Potencia NCE80H15 de Canal N esta diseñado para proporcionar una RDS baja, haciendo su tiempo de conmutación mas corto, brindando una alta eficiencia. Puede utilizarse en una gran variedad de aplicaciones.
Cuenta con un excelente encapsulado para garantizar una buena disipación de calor.
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El Transistor Mosfet FTP10N40 Canal N se ha diseñado para alta eficiencia de conmutación, haciéndolo optimo para fuentes conmutadas tipo SMPS que requieren conmutaciones muy rápidas, además también se puede aplicar en alimentación para LCD.
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El Transistor Mosfet FTP08N06N canal N esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos haciéndolo optimo para amplificadores clase D y control de motores.
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El transistor MOSFET FTP03N06NA es un dispositivo de canal N que controla la corriente eléctrica en aplicaciones con un máximo de 3 amperios y 60 voltios. Se utiliza en una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación, inversores y control de motores eléctricos.
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El transistor MOSFET FTP10N40C es un dispositivo de canal N diseñado para controlar la corriente eléctrica en aplicaciones electrónicas. Tiene una corriente máxima de 10 amperios y una tensión máxima de 400 voltios, lo que lo hace adecuado para conmutación y amplificación en diversas aplicaciones, como fuentes de alimentación conmutadas, inversores y control de motores eléctricos.
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El transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
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El transistor FTP08N50D es un MOSFET de canal N diseñado para conmutación y amplificación en circuitos electrónicos, con una corriente máxima de 8 amperios y una tensión máxima de 500 voltios.
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El transistor Mosfet FTP10N60C de canal N ha sido especialmente diseñado para ofrecer una alta eficiencia en su conmutación. Esto se traduce en un tiempo de conmutación mejorado y un rendimiento superior. Además, minimiza la capacitancia de entrada y la carga de la puerta, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren una conmutación de alta eficiencia.
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Transistor 2SC2073 NPN
$ 0.9Añadir al carritoEl transistor 2SC2073 está diseñado para su uso en amplificadores de potencia de propósito general y aplicación de salida vertical.
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Transistor 2SA940 PNP
$ 0.9Añadir al carritoEl 2SA940 es un transistor de silicio complementario PNP de -150 V diseñado para amplificación de potencia de desviación vertical, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia.
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Transistor 2SC2238 NPN
$ 1.1Añadir al carritoTransistor 2SC2238 Tipo T es un transistor NPN de silicio diseñado para su uso en aplicaciones de salida vertical de TV.- Complemento 2SA968
- Aplicaciones: Amplificador de potencia y amplificador de etapa del conductor
