Categoría: MOSFET
MOSFET
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Leer másEl Módulo de Relé de Tiempo de Retardo Digital DC 5V-30V es un dispositivo electrónico diseñado para controlar cargas eléctricas con temporización precisa. Este módulo permite activar o desactivar dispositivos electrónicos con un retardo programable, ofreciendo flexibilidad en aplicaciones que requieren control de tiempo. Características Principales Módulo de Relé de Tiempo de Retardo Digital DC 5V-30V: …
Módulo de Relé de Tiempo de Retardo Digital DC 5V-30VLeer más
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El OB2358 es un interruptor de alimentación que combina un controlador PWM de modo de corriente con un MOSFET de alta tensión, optimizado para aplicaciones de convertidores flyback, ofreciendo eficiencia energética y múltiples características de protección.
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Transistor MOSFET M3054M
$ 1,200.0Añadir al carritoEl transistor MOSFET M3046 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3054, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor MOSFET M3058M
$ 1,200.0Añadir al carritoTransistor Mosfet M3056 SMD de canal N de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON
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Transistor MOSFET M3052M
$ 1,200.0Añadir al carritoEl QM3052M6 se destaca como un MOSFET de canal N de vanguardia, reconocido por su excepcional rendimiento y una densidad de celda sin precedentes. Diseñado para brindar una eficiencia superior en una amplia gama de aplicaciones de convertidores reductores síncronos, este dispositivo ofrece una baja resistencia de encendido (RdsON) y una carga de compuerta optimizada. Su combinación de características lo posiciona como una opción líder para sistemas que requieren un alto nivel de eficiencia y fiabilidad en la conversión de energía.
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Transistor MOSFET IRF1405
$ 4,300.0Añadir al carritoCuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor MOSFET IRF1312
$ 5,000.0Añadir al carritoTransistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.
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Transistor MOSFET IRFB3207
$ 5,700.0Añadir al carritoTransistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.
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Transistor mosfet MMD60R360P SMD
$ 3,000.0Añadir al carritoTransistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.
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Transistor Mosfet HY4008 Canal N
$ 12,600.0Añadir al carritoTransistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.
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Transistor Mosfet M3056 SMD
$ 3,500.0Leer másEl transistor MOSFET M3056 SMD de canal N es un dispositivo de vanguardia, reconocido por su extraordinario rendimiento y una densidad de celda excepcionalmente alta. Este componente ofrece un RdsON excepcional, lo que significa una resistencia de encendido mínima y una eficiencia óptima en la conducción de corriente. Su diseño compacto y avanzado lo convierte en la elección ideal para aplicaciones que requieren altos niveles de eficiencia y capacidad de conmutación. Con el M3056, se garantiza un rendimiento superior en una amplia variedad de sistemas electrónicos.
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Transistor mosfet IRFB4227
$ 5,700.0Añadir al carritoEl IRFB4227PBF es un mosfet conmutador de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.
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Transistor mosfet P75NF75 Canal N
$ 2,900.0Añadir al carritoTransistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V. Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.
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Transistor Mosfet IRF1404 Canal N
$ 2,000.0Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
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Transistor Mosfet IRFP4868
$ 35,000.0Añadir al carritoTransistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
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Regulador de voltaje XL4016
$ 10,000.0Añadir al carritoConvertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.
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Mosfet de potencia NCE82H140
$ 3,800.0Añadir al carritoEl Mosfet de Potencia NCE82H140 esta diseñado para un tiempo de conmutación muy corto proporcionando una alta eficiencia en cada una de sus aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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Transistor Mosfet IRFR3709Z smd
$ 1,500.0Añadir al carritoReductor síncrono de alta frecuencia Convertidores para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como CC-CC aislada de alta frecuencia con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
