Categoría: MOSFET
MOSFET
Mostrando 76–100 de 103 resultadosOrdenado por los últimos
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Transistor Mosfet STN4NF20L
$ 2.500,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoEste canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
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Transistor MOSFET IGBT 20N60C3
$ 8.000,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.
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Mosfet FDA70N20 Canal N
$ 8.500,0 +IVA27 disponibles
Añadir al carritoEl Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.
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Transistor Mosfet SVF23N50PN
$ 14.000,0 +IVA19 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet SVF23N50PN ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activado obteniendo tiempos de conmutación más cortos aumentando su eficiencia.
Se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor PWM de puente H, los cuales requieren una gran potencia con tiempos muy cortos.
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Mosfet de potencia NCE80H11
$ 3.500,0 +IVA7 disponibles
Añadir al carritoEl Mosfet de potencia NCE80H11 cuenta con tiempos de conmutación muy cortos por lo cual es optimo para fuentes de conmutación de alta frecuencia. Cuenta con un excelente encapsulado el cual garantiza una correcta disipación de calor.
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Mosfet de potencia NCE80H12
$ 3.500,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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Mosfet de potencia NCE82H140
$ 4.000,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl Mosfet de Potencia NCE82H140 esta diseñado para un tiempo de conmutación muy corto proporcionando una alta eficiencia en cada una de sus aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
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Mosfet de potencia NCE80H15
$ 3.800,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl Mosfet de Potencia NCE80H15 de Canal N esta diseñado para proporcionar una RDS baja, haciendo su tiempo de conmutación mas corto, brindando una alta eficiencia. Puede utilizarse en una gran variedad de aplicaciones.
Cuenta con un excelente encapsulado para garantizar una buena disipación de calor.
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Transistor Mosfet FTP03N06NA Canal N
$ 5.000,0 +IVA3 disponibles
Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP03N06NA es un dispositivo de canal N que controla la corriente eléctrica en aplicaciones con un máximo de 3 amperios y 60 voltios. Se utiliza en una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación, inversores y control de motores eléctricos.
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Transistor Mosfet FTP10N40C Canal N
$ 3.500,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP10N40C es un dispositivo de canal N diseñado para controlar la corriente eléctrica en aplicaciones electrónicas. Tiene una corriente máxima de 10 amperios y una tensión máxima de 400 voltios, lo que lo hace adecuado para conmutación y amplificación en diversas aplicaciones, como fuentes de alimentación conmutadas, inversores y control de motores eléctricos.
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Transistor Mosfet FTP1404 Canal N
$ 4.500,0 +IVA11 disponibles
Añadir al carritoEl transistor MOSFET FTP1404 de canal N ha sido diseñado específicamente para lograr una alta eficiencia en la conmutación, lo que se traduce en un rendimiento mejorado y tiempos de conmutación más rápidos. Además, es ideal para controlar motores eléctricos y se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
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Transistor Mosfet IRF740
$ 8.000,0 +IVA34 disponibles
Añadir al carritoEl transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
Estos transistores de efecto de campo de potencia en modo de realce de canal N se fabrican utilizando la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado encendido, proporcionando una conmutación superior y soportando impulsos de alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y balastos electrónicos de lámparas basados en medio puente.
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Transistor Mosfet de Potencia 6N65K3 Canal N
$ 3.400,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl transistor Mosfet 6N65K3 permite conmutación y amplificación de alta potencia.
Además, soporta hasta 650 V y 5.4 A, con disipación de 30 W.
Por lo tanto, es ideal para fuentes de alimentación y circuitos de potencia. -
Transistor MOSFET IRF510 Canal N 100V TO-220AB
$ 1.900,0 +IVAPregúntanos
Leer másEl Transistor MOSFET IRF510 proporciona conmutación estable y eficiente en aplicaciones de potencia media. Ofrece manejo sencillo y encapsulado robusto.
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Transistor MOSFET IRF520 Canal N 100V TO-220AB
$ 1.800,0 +IVA6 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IRF520 ofrece conmutación eficiente y control confiable de potencia. Su encapsulado TO-220AB facilita disipación térmica.
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Transistor MOSFET Canal N 400V TO-220
$ 1.800,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor MOSFET IRF720 ofrece conmutación eficiente en aplicaciones de alta tensión. Combina baja carga de compuerta y alta capacidad de disipación.
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Transistor MOSFET Canal N BSS138LT1G SOT-23
$ 200,0 +IVA365 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor MOSFET BSS138LT1G ofrece conmutación eficiente de señal en formato SMD. Canal N, bajo consumo y alta confiabilidad para circuitos compactos.
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Transistor IGBT 30F126 Canal N 330V 200A TO-220F
$ 2.700,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30F126 permite conmutación eficiente de alta corriente. Canal N, 330V y 200A, ideal para sistemas de potencia exigentes.
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Transistor IGBT 30F124 300V 200A TO-220
$ 5.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30F124 ofrece conmutación eficiente de alta corriente. Soporta 300V y 200A, con encapsulado TO-220 y tecnología de sexta generación.
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Transistor IGBT 30J127 600V 200A TO-220
$ 5.000,0 +IVA4 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J127 permite conmutación de alta potencia con estabilidad y eficiencia. Soporta 600V y 200A en encapsulado TO-220.
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Transistor IGBT 30J124 600V 200A TO-220
$ 3.000,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor IGBT 30J124 ofrece conmutación eficiente de alta potencia. Soporta 600V y 200A, con baja saturación y encapsulado TO-220.
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MOSFET Canal N 30V Alta Corriente SMD IRFR3707Z
$ 1.500,0 +IVA8 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFR3707Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, maneja corrientes elevadas con excelente estabilidad térmica.
Es ideal para proyectos exigentes de electrónica de potencia. -
MOSFET Canal N 55V Alta Eficiencia SMD IRFR4105Z
$ 1.500,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFR4105Z garantiza conmutación eficiente y estable.
Además, maneja corrientes elevadas con bajas pérdidas por conducción.
Es ideal para electrónica de potencia y sistemas de control. -
MOSFET Canal N 20V Alta Corriente SMD IRFR3711Z
$ 1.500,0 +IVA10 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFR3711Z permite conmutación eficiente a baja tensión.
Además, soporta corrientes elevadas en encapsulado SMD.
Es ideal para etapas de potencia de alta velocidad. -
MOSFET Canal N 100V Alta Corriente SMD IRFR3710Z
$ 1.500,0 +IVA5 disponibles
Añadir al carritoEl Transistor Mosfet IRFR3710Z proporciona conmutación rápida y eficiente.
Además, soporta alto voltaje y corriente en encapsulado SMD.
Es ideal para electrónica de potencia y control.
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Módulo Fuente de Alimentación Aislada AC-DC 12V 300mA 3.5W
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