Mosfet de potencia NCE82H140
$ 1.0
El Mosfet de Potencia NCE82H140 esta diseñado para un tiempo de conmutación muy corto proporcionando una alta eficiencia en cada una de sus aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.
Agotado
Cantidad
- 1 unidad –Mosfet de Potencia NCE82H140
Características
- VDS Tensión de la fuente de drenaje: 82V
- VGS Tensión puerta-fuente: ±20V
- ID Corriente de drenaje (continua Tc=25°C) = 140A
- ID Corriente de drenaje (continua Tc=100°C) = 99A
- Buena estabilidad y uniformidad con alta EAS.
- Excelente encapsulado para una buena disipación del calor.
- Canal N
Aplicación
- Conmutación de potencia
- Conmutación de alta frecuencia
- Sistema de alimentación ininterrumpida
Hoja de Datos
Debes acceder para publicar una valoración.
Productos relacionados
-
Añadir al carritoConvertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.
-
Añadir al carritoCuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
-
Añadir al carritoTransistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
-
Leer másTransistor Mosfet M3056 SMD de canal N de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON
-
Añadir al carritoTransistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.