Transistor Mosfet IRF740
$ 2.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
Estos transistores de efecto de campo de potencia en modo de realce de canal N se fabrican utilizando la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado encendido, proporcionando una conmutación superior y soportando impulsos de alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y balastos electrónicos de lámparas basados en medio puente.
20 disponibles
Cantidad
- 1 unidad – Transistor Mosfet IRF740
Características
- Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 63 nC
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1450 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm
- Empaquetado / Estuche: TO220
Aplicación
- Fuentes de alimentación conmutadas.
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