Transistor MOSFET IRFP9240
$ 3.1
Los MOSFET de potencia HEXFET de tercera generación de International Rectifier brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
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- Referencia: IRFP9240
- Tipo de FET: MOSFET
- Empaquetado: TO-247AC
- Polaridad de transistor: P
- Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 200 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 90(max) nC
- Tiempo de subida (tr): 15(max) nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450(max) pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.5 Ohm
Hoja de datos:IRFP9240
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